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반도체 기판의 비아 형성방법

  • 기술번호 : KST2014027869
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 기판의 비아 형성방법을 개시한다. 상기 방법은 반도체 기판을 진공 상태의 챔버 내 시료를 올려놓은 척(chuck)부에 제공하는 기판 제공단계, 상기 진공 상태의 챔버 내 공간인 플라즈마 생성부로 육플루오린화 황(SF6), 산소(O2) 및 팔플루오르화 부텐(C4F8)을 투입하고 상기 플라즈마 생성부에 전원을 인가하는 제1전원 및 상기 척부에 전원을 인가하는 제2전원을 인가하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성단계, 및 상기 제1전원은 연속적으로 인가하고 상기 제2전원은 저 주파수로 주기적으로 온(on)·오프(off)하면서 상기 플라즈마를 이용하여 상기 반도체 기판을 식각함으로써 상기 반도체 기판에 비어를 형성하는 플라즈마 식각단계를 포함한다. 반도체, 비아, 플라즈마, 저 주파수, 펄스
Int. CL H01L 21/683 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01)
출원번호/일자 1020090016724 (2009.02.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1037043-0000 (2011.05.19)
공개번호/일자 10-2010-0097865 (2010.09.06) 문서열기
공고번호/일자 (20110526) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.27)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유원종 미국 서울특별시 송파구
2 이승환 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0122500-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0057158-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0582419-95
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0108287-57
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0108286-12
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0259433-71
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판을 진공 상태의 챔버 내 시료를 올려놓은 척(chuck)부에 제공하는 기판 제공단계; 상기 진공 상태의 챔버 내 공간인 플라즈마 생성부로 육플루오린화 황(SF6), 산소(O2) 및 팔플루오르화 부텐(C4F8)을 투입하고 상기 플라즈마 생성부에 전원을 인가하는 제1전원 및 상기 척부에 전원을 인가하는 제2전원을 인가하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성단계; 및 상기 제1전원은 연속적으로 인가하고 상기 제2전원은 10 Hz 내지 300 Hz의 저 주파수로 주기적으로 온(on)·오프(off)하면서 상기 플라즈마를 이용하여 상기 반도체 기판을 식각함으로써 상기 반도체 기판에 비아를 형성하는 플라즈마 식각단계를 포함하는 반도체 기판의 비아 형성방법
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 저 주파수는 10 Hz 내지 50 Hz인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 비아 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 주기적으로 온(on)·오프(off)하는 한 주기의 온 시간을 나타내는 듀티 싸이클(duty-cycle)은 5 내지 30%인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 비아 형성방법
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제 4 항에 있어서, 상기 듀티 싸이클은 15 내지 25%인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 비아 형성방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제2전원은 5 내지 50 W 인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 비아 형성방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제2전원은 20 내지 40 W 인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 비아 형성방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제1전원은 550 내지 650 W 인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 비아 형성방법
9 9
제 1 항에 따른 반도체 기판의 비아 형성방법에 의해 제조된 반도체 기판의 비아
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 반도체 기판의 비아는 20:1 이상의 종횡비(aspect ratio)를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 비아
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정부)산자-산업기술평가원-산업기술/핵심기술 성균관대학교산학협력단 성장동력기술개발사업 SiP 적용을 위한 deep via etching 공정 개발