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저저항 탄화규소 소결체, 이의 조성물 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014036416
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저저항 탄화규소 소결체, 이의 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 폴리실록센(polysiolxane), 탄소전구체, β-탄화규소(β-SiC) 분말, 질화알루미늄(AlN) 및 희토류금속산화물을 포함하는 저저항 반응가압소결 탄화규소 소재 조성물에 관한 것이다. 또한, 상기 조성물을 반응가압소결방법으로 제조한 탄화규소 소결체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 탄화규소 소결체는 반응가압소결방법으로 제조되었음에도 불구하고 잔류 실리콘이 존재하지 않고, 고온 및 진공 분위기에서 안정하며, 전기전도성이 높아서 방전가공이 용이한 바, 복잡한 형상의 구조재료, 반도체 공정용 더미 웨이퍼, 반도체 공정용 히터 소재, 반도체 공정용 히터 플레이트 소재, 반도체 공정장비용 부품, 진공장비용 부품, 플라즈마 식각 챔버 내에서 높은 온도 안정성과 전기전도성을 요구하는 부품인 플라즈마스크린(plasma screen), 초점링(focus ring), 엣지링(edge ring) 등의 소재로 사용하기에 유용하다. 탄화규소, 반응소결, 체적비저항, 잔류실리콘
Int. CL C04B 35/571 (2006.01) C04B 35/632 (2006.01) C04B 35/565 (2006.01) C04B 35/581 (2006.01)
CPC C04B 35/575(2013.01) C04B 35/575(2013.01) C04B 35/575(2013.01) C04B 35/575(2013.01) C04B 35/575(2013.01) C04B 35/575(2013.01) C04B 35/575(2013.01) C04B 35/575(2013.01) C04B 35/575(2013.01) C04B 35/575(2013.01)
출원번호/일자 1020090046823 (2009.05.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1040761-0000 (2011.06.03)
공개번호/일자 10-2010-0128437 (2010.12.08) 문서열기
공고번호/일자 (20110610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상환 대한민국 서울특별시 강남구
2 김영욱 대한민국 서울특별시 도봉구
3 임광영 대한민국 서울특별시 서대문구
4 노명훈 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0321961-50
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2010-0068430-82
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0182268-14
6 등록결정서
Decision to grant
2011.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0284843-63
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
8 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent
2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
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번호 청구항
1 1
폴리실록센 5
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 탄화규소 소결체 조성물 100 중량부에 대하여, C1 ~ C5의 알코올 및 아세톤 중에서 선택된 1 종 이상의 용매 30 ~ 200 중량부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저저항 소결체 조성물
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 희토류금속산화물은 CeO2, Pr2O3, Nd2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb2O3, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, Sc2O3, Y2O3 및 La2O3 중에서 선택된 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 저저항 탄화규소 소결체 조성물
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 β-탄화규소 분말은 평균직경 5 ㎚ ~ 3 ㎛인 것을 특징으로 하는 저저항 탄화규소 소결체 조성물
5 5
폴리실록센 5
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제 5 단계는 불활성 기체 또는 질소 분위기 하에서, 추가적인 압력을 가하지 않고, 1,400 ~ 1,700℃의 온도로 가열하여, 실리콘옥시카바이드와 탄소(C)를 탄화규소(SiC)로 탄소열환원 반응시키는 제 5-1 단계; 1,700 ~ 1,900℃의 온도 하에서 200 ~ 600 Kg/cm2로 가압시키는 제 5-2 단계; 및 200 ~ 600 Kg/cm2의 압력 하에서, 1,900 ~ 2,300℃의 온도로 승온시킨 후, 0
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 열 가교는 대기압 및 140 ~ 200℃ 온도 조건에서, 1 ~ 48 시간 동안 가열시키는 것을 특징으로 하는 제조방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 제 4 단계의 열 분해는 불활성 기체 또는 질소 분위기 하에서, 700 ~ 1,400℃ 온도로 30 분 ~ 3 시간 정도 가열시키는 것을 특징으로 하는 제조방법
9 9
제 5 항 내지 제 8 항 중에서 선택된 어느 항의 제조방법으로 제조되고, 밀도 3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 소재원천기술개발사업 계면제어기술을 통한 초임계 성능 세라믹 소재 개발