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테라헤르츠파 생성기 및 이를 이용한 고출력 테라헤르츠파 생성방법

  • 기술번호 : KST2014036433
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 테라헤르츠파 생성기 및 이를 이용한 고출력 테라헤르츠파 생성 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 내부가 비어있는 구체와, 상기 구체의 소정 부위가 절개되어 설치되는 포커싱렌즈 또는 상기 구체의 소정 부위가 절개된 개구를 포함하고, 상기 구체의 내면이 금속으로 코팅된 테라헤르츠파 생성기와, 상기 포커싱렌즈 또는 상기 개구로 준위가 다른 2개의 주파수를 입사시켜 다수의 에어플라즈마(air plasma)를 생성하고, 상기 다수의 에어플라즈마가 상기 구체의 금속으로 코팅된 내면과 빈공간을 이용해 계속적인 포커싱(focusing)을 해줌으로써 고출력의 테라헤르츠파를 생성하는 방법이 제시된다. 본 발명에 의하면 계속적인 에어플라즈마를 생성함으로써 하나의 에어플라즈마를 이용하여 생성되는 테라헤르츠파의 광세기가 낮게 되는 것을 극복할 수 있다. 테라헤르츠파, 펨토초, 광신호
Int. CL H01S 3/05 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090072426 (2009.08.06)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1017938-0000 (2011.02.21)
공개번호/일자 10-2011-0014855 (2011.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20110304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재헌 대한민국 서울특별시 양천구
2 이석 대한민국 서울특별시 서초구
3 우덕하 대한민국 서울특별시 서대문구
4 김선호 대한민국 서울특별시 종로구
5 변영태 대한민국 경기도 구리시
6 전영민 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 소프트일레븐 경기도 안양시 동안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0481443-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0045778-71
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0052797-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부가 비어 있는 빈공간으로 되어 있는 구체와, 금속으로 코팅되거나 금속으로 이루어진 상기 구체의 내면과, 상기 구체의 소정 부위에 상기 구체 외부와 상기 구체의 빈공간을 사이에 두고 형성되는 포커싱렌즈 또는 상기 구체의 소정 부위가 절개되어 형성되는 소정 크기의 개구부를 포함하는 테라헤르츠 생성기
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 금속은 알루미늄 또는 그 외의 가시광선에서 테라헤르츠파까지의 범위를 가지는 광신호를 반사할 수 있는 모든 금속인 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 생성기
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 포커싱렌즈 또는 상기 개구부로 입사되는 광신호가 상기 구체의 빈공간에서 포커싱 및 평행이동을 하고 상기 구체의 내면에서의 반사에 의해서 다수의 에어 플라즈마를 생성하고 에어 플라즈마의 반응시 생성되는 다수의 테라헤르츠파가 합쳐져서(superposition) 고출력의 테라헤르츠파를 생성하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 생성기
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 구체의 빈공간에서 생성되는 에어 플라즈마의 수는 상기 포커싱렌즈 또는 상기 개구부로 입사되는 상기 광신호의 입사각을 조절하여 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 생성기
5 5
청구항 3에 있어서, 상기 광신호는 ω주파수와 2ω 주파수를 갖는 두개의 광신호이고, 상기 2ω주파수를 갖는 광신호는 ω 주파수를 가지는 펨토초 레이저를 BBO (beta-BaB2O4) 또는 LBO (lithium triborate: LiB3O5) 크리스탈에 입력시 세컨하모닉반응(Second Harmonic Generation)으로 인해 생성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 생성기
6 6
구체의 내부가 비어 있는 빈공간으로 되어 있고 구체 내면이 금속이거나 또는 금속으로 코팅되어 있고 상기 구체의 소정부위에 포커싱렌즈 또는 개구부가 설치되어 있는 테라헤르츠 생성기를 이용한 고출력 테라헤르츠파 생성방법에 있어서, 상기 포커싱렌즈 또는 상기 개구부를 통하여 광신호가 입사되는 단계와, 상기 입사된 광신호가 상기 구체의 빈공간에서 포커싱되거나 평행이동하는 단계와, 상기 포커싱되는 상기 광신호에서 첫번째 에어 플라즈마가 발생되는 단계와, 상기 발생된 에어 플라즈마의 반응 시 첫번째 테라헤르츠파가 생성되는 단계와, 상기 광신호가 상기 구체의 빈공간에서 평행이동하는 단계와, 상기 광신호가 상기 구체의 내면에서 반사되는 단계와, 상기 반사된 광신호가 상기 구체의 빈공간에서 포커싱되는 단계와, 상기 포커싱되는 상기 광신호에서 두번째 에어 플라즈마가 발생되는 단계와, 상기 발생된 에어 플라즈마의 반응 시 두번째 테라헤르츠파가 생성되어 상기 첫번째 테라헤르츠파와 합쳐지는 단계를 포함하는 고출력 테라헤르츠파 생성 방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 첫번째 테라헤르츠파와 상기 두번째 테라헤르츠파가 합쳐지는 단계 이후, 상기 광신호가 상기 구체의 빈공간에서 평행이동을 하는 단계와, 상기 광신호가 상기 구체의 내면에서 반사되는 단계와, 상기 반사된 광신호가 상기 구체의 빈공간에서 포커싱되는 단계와, 상기 포커싱되는 상기 광신호에서 세번째 에어 플라즈마가 발생되는 단계와, 상기 발생된 에어 플라즈마의 반응 시 세번째 테라헤르츠파가 생성되어 상기 첫번째와 두번째가 합쳐진 테라헤르츠파와 합쳐지는 단계를 더 포함하는 고출력 테라헤르츠파 생성 방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 광신호가 상기 구체의 빈공간에서의 평행이동, 포커싱 및 상기 구체의 내면에서의 반사를 반복하여 N번째 에어 플라즈마가 발생하고, 상기 에어 플라즈마의 반응 시 N번째 테라헤르츠파가 생성되고, 상기 생성된 N번째 테라헤르츠파와 지금까지 생성되어 합쳐진 테라헤르츠파와 합쳐져서 상기 포커싱렌즈 또는 상기 개구부로 출력되는 단계를 더 포함하는 고출력 테라헤르츠파 생성 방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 구체의 빈공간에서 발생되는 에어 플라즈마의 수는 상기 포커싱렌즈 또는 상기 개구부로 입사되는 상기 광신호의 입사각을 조절하여 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 고출력 테라헤르츠파 생성 방법
10 10
청구항 6 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광신호는 ω 주파수와 2ω 주파수를 갖는 두개의 광신호이고, 상기 2ω 주파수를 갖는 광신호는 ω 주파수를 가지는 펨토초 레이저를 BBO (beta-BaB2O4) 또는 LBO (lithium triborate: LiB3O5) 크리스탈에 입력시 세컨하모닉반응 (Second Harmonic Generation)으로 인해 생성되는 것을 특징으로 하는 고출력 테라헤르츠파 생성 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08198614 US 미국 FAMILY
2 US20110031417 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011031417 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8198614 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.