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자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036444
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 자기터널접합 디바이스는 i) 반전 가능한 자화 방향을 가지는 제1 자성층, ii) 제1 자성층 위에 위치한 비자성층, iii) 비자성층 위에 위치하고 고정된 자화 방향을 가지는 제2 자성층, iv) 제2 자성층 위에 위치하는 산화 방지층, v) 산화 방지층 위에 위치하고, 제2 자성층과의 자성 결합에 의해 제2 자성층의 자화 방향을 고정시키는 제3 자성층, 및 vi) 제3 자성층 위에 위치하고, 제3 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층을 포함한다. 자기터널접합 디바이스, 확산, 강자성, 교환 결합
Int. CL G11C 11/15 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090095703 (2009.10.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1042338-0000 (2011.06.10)
공개번호/일자 10-2011-0038419 (2011.04.14) 문서열기
공고번호/일자 (20110617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.08)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신일재 대한민국 서울 강북구
2 민병철 대한민국 경기 광명시
3 신경호 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0617311-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0015571-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0136637-82
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0188579-37
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0188577-46
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0296918-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반전 가능한 자화 방향을 가지는 제1 자성층, 상기 제1 자성층 위에 위치한 비자성층, 상기 비자성층 위에 위치하고 고정된 자화 방향을 가지는 제2 자성층, 상기 제2 자성층 위에 위치하는 산화 방지층, 상기 산화 방지층 위에 위치하고, 상기 제2 자성층과의 자성 결합에 의해 상기 제2 자성층의 자화 방향을 고정시키는 제3 자성층, 및 상기 제3 자성층 위에 위치하고, 상기 제3 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층 을 포함하는 자기터널접합 디바이스
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화 방지층은 비정질을 포함하는 자기터널접합 디바이스
3 3
제2항에 있어서, 상기 산화 방지층은 Ru, Ta, Cr, V, Rh, Ir, Re, Mo, Os 및 Pt로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 자기터널접합 디바이스
4 4
제1항에 있어서, 상기 제3 자성층은 Fe, Co, Ni, FeCo, CoNi 및 NiFe로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 자기터널접합 디바이스
5 5
제4항에 있어서, 상기 제3 자성층은 B, Re, Rh, Cr, Cu, Gd 및 Tb로 이루어진 군에서 선택된 하나의 원소와 상기 물질과의 화합물을 포함하는 자기터널접합 디바이스
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층은 Fe, Co, Ni, FeCo, CoNi 및 NiFe로 이루어진 군에서 선택된 물질과 B, Re, Rh, Cr, Cu, Gd 및 Tb로 이루어진 군에서 선택된 하나의 원소와의 화합물을 포함하는 자기터널접합 디바이스
7 7
제6항에 있어서, 상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 자성층은 체심입방(body centered cubic, BCC) 격자구조를 가지는 자기터널접합 디바이스
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 자성층의 두께는 1nm 내지 5nm인 자기터널접합 디바이스
9 9
제1항에 있어서, 상기 비자성층은 절연체 또는 반도체를 포함하는 자기터널접합 디바이스
10 10
제9항에 있어서, 상기 비자성층이 절연체를 포함하는 경우, 상기 절연체는 MgO, Al2O3, HfO2, TiO2, Y2O3 및 Yb2O3로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물을 포함하는 자기터널접합 디바이스
11 11
제9항에 있어서, 상기 비자성층의 두께는 0
12 12
제1항에 있어서, 상기 반강자성층은 IrMn, PtMn, NiMn 및 FeMn으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물을 포함하는 자기터널접합 디바이스
13 13
제1항에 있어서, 상기 제1 자성층 아래에 위치한 버퍼층, 및 상기 반강자성층 위에 위치한 보호층 을 더 포함하고, 상기 버퍼층 또는 상기 보호층은 Au, Ru, Ta, Cu, CuN, Pd, Pt 및 다이아몬드상 탄소로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 자기터널접합 디바이스
14 14
제1항에 있어서, 상기 산화 방지층 및 상기 제3 자성층 사이에 위치하고, 상기 제2 자성층과 상기 제3 자성층의 자성 결합을 유도하는 교환 결합층을 더 포함하는 자기터널접합 디바이스
15 15
제14항에 있어서, 상기 교환 결합층은 Ru, Cr, V, Rh, Ir, Re, Mo, Cu, Os, Au 및 Ag로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 자기터널접합 디바이스
16 16
제14항에 있어서, 상기 제2 자성층의 자화 방향과 상기 제3 자성층의 자화 방향은 상호 반대로 고정되는 자기터널접합 디바이스
17 17
제1 자성층을 제공하는 단계, 상기 제1 자성층 위에 비자성층을 제공하는 단계, 상기 비자성층 위에 제2 자성층을 제공하는 단계, 상기 제2 자성층 위에 산화 방지층을 제공하는 단계, 상기 제1 자성층, 상기 비자성층, 상기 제2 자성층 및 상기 산화 방지층을 진공 열처리하는 단계, 상기 산화 방지층 위에 제3 자성층을 제공하는 단계, 및 상기 제3 자성층 위에 반강자성층을 제공하는 단계 를 포함하는 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
18 18
제1 자성층을 제공하는 단계, 상기 제1 자성층 위에 비자성층을 제공하는 단계, 상기 비자성층 위에 제2 자성층을 제공하는 단계, 상기 제2 자성층 위에 산화 방지층을 제공하는 단계, 상기 제1 자성층, 상기 비자성층, 상기 제2 자성층 및 상기 산화 방지층을 진공 열처리하는 단계, 상기 산화 방지층 위에 교환 결합층을 제공하는 단계, 상기 교환 결합층 위에 제3 자성층을 제공하는 단계, 및 상기 제3 자성층 위에 반강자성층을 제공하는 단계 를 포함하는 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
19 19
제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 각 층을 최종 열처리하면서 자기장을 인가하는 단계를 더 포함하고, 상기 각 층을 최종 열처리하면서 자기장을 인가하는 단계에서, 상기 제2 자성층의 자화 방향 및 상기 제3 자성층의 자화 방향이 고정되는 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 최종 열처리하는 단계에서의 열처리 온도는 상기 진공 열처리하는 단계에서의 열처리 온도보다 낮은 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
21 21
제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 진공 열처리하는 단계에서, 열처리 온도는 250℃ 내지 600℃인 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 진공 열처리하는 단계에서, 상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층은 체심입방 격자구조로 변화하는 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
23 23
제22항에 있어서, 상기 제1 자성층을 제공하는 단계에서 상기 제1 자성층은 비정질을 포함하고, 상기 비자성층 위에 제2 자성층을 제공하는 단계에서, 상기 제2 자성층은 비정질을 포함하는 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
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2 JP23082477 JP 일본 FAMILY
3 US08329478 US 미국 FAMILY
4 US20110084347 US 미국 FAMILY

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1 JP2011082477 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5380317 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2011084347 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8329478 US 미국 DOCDBFAMILY
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