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저전력, 광대역, 고분해력을 갖춘 스핀 디지털 제어 발진기

  • 기술번호 : KST2015113701
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 디지털 제어 스핀 발진기는 트랜지스터 어레이와 스핀 발진 구조를 포함한다. 트랜지스터 어레이는 제어 비트에 따라 선택적으로 동작하는 다수의 전류원 유닛들을 포함하고 전류원 유닛들로부터 생성된 제어 전류를 출력한다. 스핀 발진 구조는 나노필러를 포함하고 제어 전류의 크기에 따라 나노필러에서 발생하는 발진 신호의 발진 주파수가 변경되도록 구성된다. 제어 비트는 상기 발진 신호가 원하는 발진 주파수에 록킹(locking)되도록 결정될 수 있다.
Int. CL H01F 10/32 (2006.01) H03B 15/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090093742 (2009.10.01)
출원인 한국과학기술원, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1080813-0000 (2011.11.01)
공개번호/일자 10-2011-0036205 (2011.04.07) 문서열기
공고번호/일자 (20111107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.01)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오인열 대한민국 대전광역시 유성구
2 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
3 민병철 대한민국 서울특별시 성북구
4 신경호 대한민국 서울특별시 성북구
5 한석희 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김강욱 대한민국 전북 전주시 덕진구 틀못*길**, 은빛빌딩 ***호(장동)(특허법인다해(전라도분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0605716-64
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0075032-04
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0618959-45
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005362-00
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0108013-12
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0243104-00
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0243105-45
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0293668-80
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0438345-14
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0438347-05
13 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0629041-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노필러를 포함하고 제어 전류의 크기에 따라 상기 나노필러에서 발생하는 발진 신호의 발진 주파수가 변경되는 스핀 발진 구조; 및 상기 발진 신호를 원하는 발진 주파수에 록킹(locking)하기 위해 조절되는 다수의 제어 비트 중 대응하는 제어 비트에 따라 선택적으로 동작하는 다수의 전류원 유닛들을 포함하여, 상기 전류원 유닛들로부터 생성된 제어 전류를 출력하는 트랜지스터 어레이를 포함하고, 상기 다수의 전류원 유닛은 서로 병렬로 연결되고, 각각 캐스코드 연결된 증폭기이며, 상기 다수의 제어 비트는 상기 다수의 캐스코드 증폭기의 공통 게이트 트랜지스터 중 대응하는 캐스코드 증폭기의 공통 게이트 트랜지스터의 게이트에 인가되고, 상기 제어 전류는 상기 캐스코드 증폭기의 공통 소스 트랜지스터의 소스에서 합산 출력되는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 스핀 발진 구조는 제1 도체와 제2 도체 사이에 자유층, 비자성 스페이서 및 고정층을 포함하는 나노필러; 및 상기 트랜지스터 어레이로부터 상기 제어 전류가 제공되도록 연결되고, 상기 제어 전류에 의한 자속이 상기 자유층에 인가될 수 있도록 배치된 제3 도체를 포함하며, 상기 발진 신호는 상기 제1 도체에서 출력되는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 제어 전류에 의한 자속이 상기 자유층에 집중되도록 상기 제3 도체 주위를 부분적으로 포위하여 배치된 강자성의 마그네틱 클래딩을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 스핀 발진 구조는 제1 도체와 제2 도체 사이에 자유층, 비자성 스페이서 및 고정층을 포함하는 나노필러를 포함하고, 상기 제어 전류가 상기 제1 도체의 일단에 인가되면, 상기 발진 신호는 상기 제1 도체의 일단 또는 타단에서 출력되는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 발진 신호는 상기 캐스코드 증폭기의 공통 소스 트랜지스터의 게이트에 인가되고, 상기 캐스코드 증폭기의 공통 게이트 트랜지스터의 드레인에서 출력 발진 신호가 출력되는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 제어 비트는 이진값이고, 상기 전류원 유닛들은 이진 가중 전류들을 출력하도록 이진 가중 어레이의 형태로 병렬 배열되는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 제어 비트는 이진 온도계 코드이고, 상기 전류원 유닛들은 동일한 전류들을 출력하도록 병렬 배열되어, 상기 제어 전류의 크기는 상기 전류원 유닛들 중 상기 제어 비트에 의해 선택된 수에 비례하는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 전류원 유닛들은 n x m 매트릭스(n과 m은 1보다 큰 정수)로 배열되며, 상기 제어 비트는 n개 행을 위한 제1 이진 온도계 코드와 m개 열을 위한 제2 이진 온도계 코드로 변환되고, 상기 제1 및 제2 이진 온도계 코드의 논리합 결과에 따라 상기 전류원 유닛들이 선택적으로 동작되는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
10 10
기준 발진 신호를 생성하는 기준 주파수 발진기; 상기 기준 발진 신호와 분주된 발진 신호의 위상 차이를 검출하는 위상 검출기; 상기 검출된 위상 차이에 따라 제어 전압을 생성하는 전하 펌프; 상기 제어 전압을 디지털 변환한 값에 기초하여 제어 비트를 생성하는 아날로그 디지털 변환기; 나노필러를 포함하고 제어 전류의 크기에 따라 상기 나노필러에서 발생하는 발진 신호의 발진 주파수가 변경되는 스핀 발진 구조; 상기 발진 신호를 원하는 발진 주파수에 록킹(locking)하기 위해 조절되는 다수의 제어 비트 중 대응하는 제어 비트에 따라 선택적으로 동작하는 다수의 전류원 유닛들을 포함하여, 상기 전류원 유닛들로부터 생성된 제어 전류를 출력하는 트랜지스터 어레이; 및 상기 발진 신호를 소정의 분주비에 따라 분주하여 상기 분주된 발진 신호를 생성하는 분주기를 포함하고, 상기 다수의 전류원 유닛은 서로 병렬로 연결되고, 각각 캐스코드 연결된 증폭기이며, 상기 다수의 제어 비트는 상기 다수의 캐스코드 증폭기의 공통 게이트 트랜지스터 중 대응하는 캐스코드 증폭기의 공통 게이트 트랜지스터의 게이트에 인가되고, 상기 제어 전류는 상기 캐스코드 증폭기의 공통 소스 트랜지스터의 소스에서 합산 출력되는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
11 11
발진 신호를 원하는 발진 주파수에 록킹(locking)하기 위해 조절되는 다수의 제1 제어 비트와 다수의 제2 제어 비트 중 대응하는 제1 제어 비트에 따라 선택적으로 동작하는 다수의 제1 전류원 유닛들을 포함하여, 상기 제1 전류원 유닛들로부터 생성된 제1 제어 전류를 출력하는 제1 트랜지스터 어레이; 상기 다수의 제2 제어 비트 중 대응하는 제2 제어 비트에 따라 선택적으로 동작하는 다수의 제2 전류원 유닛들을 포함하여, 상기 제2 전류원 유닛들로부터 생성된 제2 제어 전류를 출력하는 제2 트랜지스터 어레이; 및 제1 도체와 제2 도체 사이에 자유층, 비자성 스페이서 및 고정층을 포함하며 상기 제2 제어 전류가 상기 제1 도체에서 상기 제2 도체로 흐르도록 상기 제2 트랜지스터 어레이와 연결된 나노필러와, 상기 제1 제어 전류가 흐르도록 상기 제1 트랜지스터 어레이와 연결되며 상기 제1 제어 전류에 의한 자속이 상기 자유층에 인가될 수 있도록 배치된 제3 도체를 포함하며, 상기 제1 및 제2 제어 전류의 크기에 따라 상기 나노필러에서 발생하는 상기 발진 신호의 상기 발진 주파수가 변경되는 스핀 발진 구조를 포함하고, 상기 다수의 제 1 전류원 유닛과 상기 다수의 제2 전류원 유닛 각각은 서로 병렬로 연결되고, 상기 다수의 제 1 및 제 2 전류원 유닛은 각각 캐스코드 연결된 증폭기이며, 상기 다수의 제1 및 제2 제어 비트는 상기 다수의 캐스코드 증폭기의 공통 게이트 트랜지스터 중 대응하는 캐스코드 증폭기의 공통 게이트 트랜지스터의 게이트에 인가되고, 상기 제1 및 제2 제어 전류는 각각 제1 및 제2 트랜지스터 어레이에 속하는 캐스코드 증폭기의 공통 소스 트랜지스터의 소스에서 출력되는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 스핀 발진 구조는 상기 제1 제어 전류에 의한 자속이 상기 자유층에 집중되도록 상기 제3 도체 주위를 부분적으로 포위하여 배치된 강자성의 마그네틱 클래딩을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
13 13
삭제
14 14
청구항 11에 있어서, 상기 나노필러로부터 생성된 발진 신호는 상기 제2 트랜지스터 어레이에 속하는 캐스코드 증폭기의 공통 소스 트랜지스터의 게이트에 인가되고, 상기 제2 트랜지스터 어레이에 속하는 캐스코드 증폭기의 공통 게이트 트랜지스터의 드레인은 상기 제1 트랜지스터 어레이에 속하는 캐스코드 증폭기의 공통 소스 트랜지스터의 게이트에 인가되며, 상기 제1 트랜지스터 어레이에 속하는 상기 캐스코드 증폭기의 공통 게이트 트랜지스터의 드레인에서 출력 발진 신호가 출력되는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
15 15
청구항 11에 있어서, 상기 제1 및 제2 제어 비트는 이진값이고, 상기 제1 및 제2 전류원 유닛들은 이진 가중 전류들을 출력하도록 이진 가중 어레이의 형태로 병렬 배열되는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
16 16
청구항 11에 있어서, 상기 제1 및 제2 제어 비트는 이진 온도계 코드이고, 상기 제1 및 제2 전류원 유닛들은 실질적으로 동일한 전류들을 출력하도록 병렬 배열되며, 상기 제1 및 제2 제어 전류의 크기는 상기 전류원 유닛들 중 상기 제어 비트에 의해 선택된 수에 비례하는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
17 17
청구항 11에 있어서, 상기 제1 및 제2 전류원 유닛들은 n x m 매트릭스(n과 m은 1보다 큰 정수)로 각각 배열되며, 상기 제1 제어 비트는 상기 제1 트랜지스터 어레이의 n개 행을 위한 제1 이진 온도계 코드와 m개 열을 위한 제2 이진 온도계 코드로 변환되고, 상기 제2 제어 비트는 상기 제2 트랜지스터 어레이의 n개 행을 위한 제3 이진 온도계 코드와 m개 열을 위한 제4 이진 온도계 코드로 변환되며, 상기 제1 및 제2 이진 온도계 코드의 논리합 결과에 따라 상기 제1 전류원 유닛들이 선택적으로 동작되고, 상기 제3 및 제4 이진 온도계 코드의 논리합 결과에 따라 상기 제2 전류원 유닛들이 선택적으로 동작되는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
18 18
청구항 11에 있어서, 상기 제1 제어 비트에 따라 제1 트랜지스터 어레이에서 생성되는 제1 전류에 의해 상기 나노필러에서 원하는 발진 주파수에 대해 조정된 발진 신호가 발생하고, 이어서 상기 제2 제어 비트에 따라 제2 트랜지스터 어레이에서 생성되는 제2 전류에 의해 상기 나노필러에서 미세 조정된 발진 신호가 발생하는 것을 특징으로 하는 디지털 제어 스핀 발진기
19 19
삭제
20 20
청구항 1 내지 청구항 4, 청구항 6 내지 청구항 12 및 청구항 14 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 기재된 디지털 제어 스핀 발진기를 포함하는 반도체 집적 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.