맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

미세전극 어레이 제조방법 및 이를 이용한 커넥터 연결방법

  • 기술번호 : KST2014036476
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미세전극 어레이 제조방법 및 이를 이용한 커넥터 연결방법에 관한 것으로, 더 상세하게는, 신경계에 부착되는 유연한 미세전극 어레이의 본딩부를 전기도금으로 구성하며, 커넥터와의 연결시 각 경계면에서의 임피던스를 낮출 수 있는 미세전극 어레이 제조방법 및 이를 이용한 커넥터 연결방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 미세전극 어레이 제조방법은, 미리 준비된 실리콘 기판 상에 희생층을 증착하는 단계; 상기 증착된 희생층 상에 제1 폴리머를 도포하여 패터닝한 후, 열 경화시키는 단계; 상기 제1 폴리머 상에 본딩 패드 영역과, 트랜스미션 라인과, 레코딩 패드 영역을 형성하도록 금속박막을 패터닝하는 단계; 상기 트랜스미션 라인을 폐쇄하고, 상기 본딩 패드 영역과 레코딩 패드 영역을 패터닝하도록 제2 폴리머를 도포하는 단계; 및 상기 본딩 패드 영역에 대해 전기도금을 실시하여, 상기 금속박막과 접하는 본딩 패드를 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/00 (2006.01) H01R 13/22 (2006.01) H01R 43/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100016293 (2010.02.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1033907-0000 (2011.05.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.23)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최지현 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 신희섭 대한민국 경기도 의왕시
3 성호근 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 김신근 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 신기수 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0118571-64
2 등록결정서
Decision to grant		 2011.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0228701-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
미리 준비된 실리콘 기판 상에 희생층을 증착하는 단계; 상기 증착된 희생층 상에 제1 폴리머를 도포하여 패터닝한 후, 열 경화시키는 단계; 상기 제1 폴리머 상에 본딩 패드 영역과, 트랜스미션 라인과, 레코딩 패드 영역을 형성하도록 금속박막을 패터닝하는 단계; 상기 트랜스미션 라인을 폐쇄하고, 상기 본딩 패드 영역과 레코딩 패드 영역을 패터닝하도록 제2 폴리머를 도포하는 단계; 및상기 본딩 패드 영역에 대해 전기도금을 실시하여, 상기 금속박막과 접하는 본딩 패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 희생층은 알루미늄(Al)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 전기도금을 실시하기 전, 상기 본딩 패드가 형성될 영역에 대해 음각 형태로 포토레지스트를 패터닝하며, 상기 전기도금으로 상기 본딩 패드가 형성된 후에 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전기도금 시, 전류 밀도를 조절하여 상기 본딩 패드의 표면 거칠기를 제어하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 본딩 패드 영역에 대해 전기도금 시, 상기 레코딩 패드 영역에도 동시에 전기도금을 실시하여 레코딩 패드를 형성하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 전기도금에 사용되는 금속은 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 또는 니켈코발트(NiCo)인 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 레코딩 패드 영역에 대해 금속을 증착하여, 상기 금속박막과 접하는 레코딩 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 금속을 증착하기 전, 상기 레코딩 패드가 형성될 영역에 대해 음각 형태로 포토레지스트를 패터닝하며, 상기 금속이 증착되어 상기 레코딩 패드가 형성된 후에 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 증착되는 금속은 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 스테인레스강(SUS-27), 철(Fe) 또는 은-염화은(Ag-AgCl)인 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이 제조방법
10 10
신경계에 부착되는 미세전극 어레이와, 신호 처리 회로에 연결되는 커넥터 사이의 연결방법으로서, 미리 준비된 기판 상에 미세전극 어레이와 정렬 마크를 형성하는 단계;상기 정렬 마크와 섀도우 마스크를 정렬한 후, 상기 섀도우 마스크의 개구를 통해 본딩 물질을 상기 미세전극 어레이의 본딩 패드 상에 도포하는 단계; 및상기 미세전극 어레이의 본딩 패드 상에서 상기 커넥터의 핀을 정렬한 후, 상기 미세전극 어레이의 본딩 패드에 본딩시키는 단계를 포함하며, 상기 미세전극 어레이의 제조는, 미리 준비된 실리콘 기판 상에 희생층을 증착하는 단계; 상기 증착된 희생층 상에 제1 폴리머를 도포하여 패터닝한 후, 열 경화시키는 단계; 상기 제1 폴리머 상에 본딩 패드 영역과, 트랜스미션 라인과, 레코딩 패드 영역을 형성하도록 금속박막을 패터닝하는 단계; 상기 트랜스미션 라인을 폐쇄하고, 상기 본딩 패드 영역과 레코딩 패드 영역을 패터닝하도록 제2 폴리머를 도포하는 단계; 및상기 본딩 패드 영역에 대해 전기도금을 실시하여, 상기 금속박막과 접하는 본딩 패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이와 커넥터의 연결방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 커넥터가 상기 미세전극 어레이에 본딩된 후, 상기 희생층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이와 커넥터의 연결방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 희생층은 알루미늄 식각액(Al etchant), 희석된 불산(diluted HF(hydrofluoric acid)), 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH(tetramethylammonium hydroxide)) 계열의 PR 현상액(developer)을 사용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이와 커넥터의 연결방법
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 희생층이 제거된 후, 상기 제1 폴리머의 하부에 금속, 플라스틱, 실리콘, GaAs, 유리 또는 석영(quartz) 웨이퍼 기판으로 이루어진 플레이트(plate)를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이와 커넥터의 연결방법
14 14
제 10 항에 있어서, 상기 미세전극 어레이의 본딩 패드 상에 상기 커넥터의 핀을 정렬하는 단계는, 자동 설비 기계(automatic mounting machine)가 상기 커넥터의 진공 픽업 영역(vacuum pick-up area)을 통해 상기 커넥터를 잡아서 상기 커넥터의 핀이 상기 미세전극 어레이의 본딩 패드 상에 위치하도록 배치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이와 커넥터의 연결방법
15 15
제 10 항에 있어서, 상기 커넥터는 복수의 핀을 갖는 리셉터클(receptacle)과 헤더(header)로 구성되며, 상기 헤더가 상기 리셉터클의 중앙 부분에 메탈 피팅(metal fitting)되고, 상기 헤더의 핀이 상기 미세전극 어레이의 본딩 패드에 직접 결합되며, 상기 리셉터클은 상기 신호 처리 회로에 와이어를 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이와 커넥터의 연결방법
16 16
제 10 항에 있어서, 상기 본딩 물질은 은 페이스트(Ag paste) 또는 납 페이스트(Pb paste)인 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이와 커넥터의 연결방법
17 17
제 10 항에 있어서, 상기 본딩 물질은 Au-Ge, Au-In, Au-Sn, Ag-Sn 및 Pb-Sn로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 합금인 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이와 커넥터의 연결방법
18 18
제 10 항에 있어서, 상기 레코딩 패드 영역에 대해 백금을 증착하여, 상기 금속박막과 접하는 레코딩 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이와 커넥터의 연결방법
19 19
제 10 항에 있어서, 상기 커넥터의 핀을 절연 물질로 이루어진 에폭시로 마감 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세전극 어레이와 커넥터의 연결방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2011105664 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2011105664 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.