맞춤기술찾기

이전대상기술

전극부 냉각 장치가 구비된 표면처리용 분사형 대기압 저온 플라즈마 발생 장치

  • 기술번호 : KST2014037103
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기존의 표면처리용 분사형 대기압 저온플라즈마 발생장치의 단점을 보완하기 위해서 고안된 것으로서, 전극의 냉각을 통해 방전기의 온도를 안정적으로 유지할 수 있도록 하고, 전극의 형태 및 구조 변경을 통하여 플라즈마의 발생영역을 극대화 하고, 분사영역내의 화학적 활성종의 밀도증가 및 활성상태 유지시간 향상을 통하여 충분한 분사거리를 확보할 수 있고, 다수의 전극을 사용하여 대면적의 플라즈마를 발생시켜 대면적 시편의 균일한 처리가 가능하도 플라즈마 발생기를 구성하는 장치에 관한 것이다.
Int. CL H05H 1/24 (2006.01.01) H01J 37/32 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01) H05H 1/24 (2006.01.01)
CPC H05H 1/2406(2013.01)H05H 1/2406(2013.01)H05H 1/2406(2013.01)H05H 1/2406(2013.01)H05H 1/2406(2013.01)H05H 1/2406(2013.01)H05H 1/2406(2013.01)H05H 1/2406(2013.01)H05H 1/2406(2013.01)
출원번호/일자 1020100015713 (2010.02.22)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1190208-0000 (2012.10.05)
공개번호/일자 10-2011-0096328 (2011.08.30) 문서열기
공고번호/일자 (20121016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.22)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍상희 대한민국 서울특별시 관악구
2 강우석 대한민국 서울특별시 관악구
3 김현수 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성헌 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** 비봉빌딩 *층(장백국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0114095-49
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0019751-24
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0165497-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0356251-66
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0671221-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0671222-51
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
8 등록결정서
Decision to grant
2012.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0012206-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-0124823-44
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0127370-88
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면처리용 대기압 저온 플라즈마를 발생시키는 유전체장벽방전 발생기에 있어서,한쪽 끝단이 개방되고 한쪽끝단은 폐쇄된 형태의 중공의 금속 전극으로서, 상기 전극의 외부는 유전체로 둘러싸이며 내부에는 양쪽이 개방된 금속으로 형성된 관이 삽입되어 냉각재주입채널(4)과 냉각재배출채널(5)을 형성하는 전극을 포함하며, 상기 전극은 전원에 연결되는 전원전극과 접지되는 접지전극으로 나뉘는, 표면처리용 대기압 저온 플라즈마를 발생시키는 유전체장벽방전 발생기
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 접지전극과 전원전극은 한 개의 전원전극 주위에 4개의 접지전극이 오도록 배치되며 상기 접지전극과 전원전극은 한줄씩 번갈아 배치되는 것을 특징으로 하는, 표면처리용 대기압 저온 플라즈마를 발생시키는 유전체장벽방전 발생기
4 4
제3항에 있어서, 상기 접지전극과 전원전극은 단면이 원형과 사각형 중 어느 하나 인 것을 특징으로 하는, 표면처리용 대기압 저온 플라즈마를 발생시키는 유전체장벽방전 발생기
5 5
제4항에 있어서, 1~100 kHz 이내의 주파수를 가지고 수 kVRMS의 크기를 가지는 교류전압이 상기전원전극으로 인가되고, 플라즈마 형성기체와 반응성기체로 혼합된 방전기체가 두전극사이에 형성되는 방전영역으로 주입되며 상기 전원전극과 접지전극의 하단부에는 하부전극이 추가로 배치되며 방전기체의 유량조절을 통하여 전극사이에서 발생되는 포스트 플라즈마의 분사속도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 표면처리용 대기압 저온 플라즈마를 발생시키는 유전체장벽방전 발생기
6 6
제5항에 있어서, 상기 냉각재주입채널(4)과 냉각재배출채널(5)의 내벽에는 FIN이 형성되는 것을 특징으로 하는, 표면처리용 대기압 저온 플라즈마를 발생시키는 유전체장벽방전 발생기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 원자력연구기반확충사업 원자로 냉각계통 내 열전달 특성 향상을 위한 금속 표면처리용 대기압 저온 플라즈마 기술 연구
2 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 선도연구센터육성사업 핵융합로공학 선행연구센터