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플라즈마 처리 시스템 및 이를 이용한 플라즈마수 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022002697
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 처리 시스템에 관한 것으로, 플라즈마 처리하기 위한 활성종(reactive species)을 생성하는 플라즈마 소스(plasma source)를 구비한 플라즈마 생성부; 내부로 활성종이 유입되어 처리대상물을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리부; 및 상기 플라즈마 생성부에서 생성된 활성종을 상기 플라즈마 처리부로 이송하기 위한 유체 이송부를 포함하며, 상기 플라즈마 소스는 상기 플라즈마 처리부로부터 이격되어 마련된다.
Int. CL C02F 1/46 (2006.01.01) H05H 1/24 (2006.01.01) B01D 53/32 (2006.01.01)
CPC C02F 1/4608(2013.01) H05H 1/2406(2013.01) B01D 53/32(2013.01) H05H 2242/10(2013.01) B01D 2259/818(2013.01)
출원번호/일자 1020200112933 (2020.09.04)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0031243 (2022.03.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.09.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강동현 서울시 관악구
2 한진영 서울시 관악구
3 김수환 서울시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인에이아이피 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, AIP빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2020-0938240-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2021-5205564-29
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.11.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2022.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0012152-24
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0173262-56
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라즈마 처리 시스템으로서,플라즈마 처리하기 위한 활성종(reactive species)을 생성하는 플라즈마 소스(plasma source)를 구비한 플라즈마 생성부;내부로 활성종이 유입되어 처리대상물을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리부; 및상기 플라즈마 생성부에서 생성된 활성종을 상기 플라즈마 처리부로 이송하기 위한 유체 이송부를 포함하고,상기 플라즈마 소스는 상기 플라즈마 처리부로부터 이격되는 플라즈마 처리 시스템
2 2
제 1항에 있어서,상기 플라즈마 소스는 유전체 격벽방식 면방전(surface dielectric barrier discharge) 형태인 플라즈마 처리 시스템
3 3
제 1항에 있어서,상기 플라즈마 생성부는,상기 플라즈마 소스의 일면에 수직하게 돌출된 다수의 방열핀을 구비하는 히트싱크; 및상기 플라즈마 소스로부터 상기 히트싱크로 전도된 열을 외부 공기로 방열하는 냉각팬을 포함하는 플라즈마 처리 시스템
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제 1항에 있어서,상기 플라즈마 처리부는,반응 챔버; 및상기 반응 챔버의 하부에서 상기 반응 챔버와 구획되어 상기 플라즈마 소스에서 생성된 활성종이 임시 수용되는 가스 포집부를 포함하고,상기 가스 포집부의 상측에는 상기 반응 챔버와 연통하는 다수의 미세 가스홀이 형성되는 플라즈마 처리 시스템
5 5
제 1항에 있어서,상기 유체 이송부는,상기 플라즈마 생성부에서 생성된 활성종을 상기 플라즈마 처리부로 이송하는 펌프; 및상기 펌프와 상기 플라즈마 처리부 사이에 구비되어 유속을 조절하는 유량계(flow meter)를 포함하는 플라즈마 처리 시스템
6 6
제 1항에 있어서,상기 플라즈마 생성부와 상기 플라즈마 처리부를 연결하는 활성종 공급라인; 및상기 활성종 공급라인과 별도로 상기 플라즈마 생성부와 상기 플라즈마 처리부를 연결하는 활성종 회수라인을 포함하고,상기 플라즈마 생성부에서 생성된 활성종은 상기 활성종 공급라인 및 상기 활성종 회수라인을 통해 순환하는 구조인 플라즈마 처리 시스템
7 7
제 1항에 있어서상기 플라즈마 소스에 고전압이 인가되도록 전원을 공급하는 전원 공급부; 및상기 플라즈마 소스에 인가되는 전력을 조절하기 위한 제어 패널을 더 포함하는 플라즈마 처리 시스템
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제 1항에 따른 플라즈마 처리 시스템을 이용한 플라즈마수(plasma activated water) 제조 방법으로서,상기 플라즈마 처리부의 반응 챔버 내부에 물을 넣어 플라즈마수를 제조하기 위한 준비 단계;상기 플라즈마 소스 내부로 유입되는 기체를 방전시켜 활성종을 생성하는 단계; 및상기 반응 챔버에 하부에 구비된 가스 포집부 내부로 활성종을 주입하고, 상기 가스 포집부 상측에 형성된 다수의 미세 가스홀을 통해 활성종을 물에 용해시키는 단계를 포함하는 플라즈마 처리 시스템을 이용한 플라즈마수 제조 방법
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제 8항에 있어서,물에 활성종을 용해시키는 단계에서,상기 반응 챔버 내부로 주입되는 활성종은 상기 미세 가스홀을 통해 다수의 버블 형태로 주입되는 플라즈마 처리 시스템을 이용한 플라즈마수 제조 방법
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국가 R&D 정보가 없습니다.