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자화된 유도결합형 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 발생방법

  • 기술번호 : KST2015160114
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자화된 유도결합형 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 발생방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유도결합형 플라즈마 처리 장치는 진공 챔버; 상기 진공 챔버의 내부에 마련되는 시료 장착수단; 상기 진공 챔버 내부에 플라즈마를 발생시키는 안테나; 및 상기 안테나의 상부 및 상기 진공 챔버 하부에 배치되고, 상기 진공 챔버의 수직 방향으로 자기장을 형성하는 서로 반대극을 갖는 적어도 한쌍의 영구자석을 포함할 수 있다.플라즈마 처리 장치, 안테나, 영구자석, 반응챔버
Int. CL H05H 1/30 (2006.01) H05H 1/24 (2006.01)
CPC H01J 37/321(2013.01) H01J 37/321(2013.01) H01J 37/321(2013.01) H01J 37/321(2013.01) H01J 37/321(2013.01) H01J 37/321(2013.01) H01J 37/321(2013.01) H01J 37/321(2013.01)
출원번호/일자 1020080099397 (2008.10.10)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0037343 (2009.04.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070102797   |   2007.10.11
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 2020110002870;
심사청구여부/일자 Y (2008.10.10)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황기웅 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0706480-30
2 보정요구서
Request for Amendment
2008.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0120635-25
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0774243-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0294153-12
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0582954-53
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0645453-02
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0645452-56
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0059741-93
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2011.03.09 수리 (Accepted) 7-1-2011-0009226-23
10 [변경출원]실용신안등록출원서
[Converted Application] Application for Utility Model Registration
2011.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0247778-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
진공 챔버;상기 진공 챔버의 내부에 마련되는 시료 장착수단;상기 진공 챔버 내부에 플라즈마를 발생시키는 안테나; 및상기 안테나의 상부 및 상기 진공 챔버 하부에 배치되고, 상기 진공 챔버의 수직 방향으로 자기장을 형성하는 서로 반대극을 갖는 적어도 한쌍의 영구자석을 포함하는 유도결합형 플라즈마 처리장치
2 2
제1항에 있어서,상기 진공 챔버 측면에 배치되고 상기 진공 챔버의 축과 수직한 방향으로 다극성 표면 자기장을 형성하는 적어도 한쌍의 측면자석을 더 포함하는 유도결합형 플라즈마 처리장치
3 3
제2항에 있어서,상기 측면자석은전자석 또는 영구자석인 유도결합형 플라즈마 처리장치
4 4
제2항에 있어서,상기 측면자석은서로 이웃하는 자석의 극성이 상반되게 배열되는 유도결합형 플라즈마 처리장치
5 5
제1항에 있어서,상기 안테나와 상기 플라즈마가 발생되는 상기 진공 챔버에 포함되는 반응 챔버를 격리시키고, 상기 안테나의 유도기전력을 통과시키는 비전도성 윈도우를 더 포함하는 유도결합형 플라즈마 처리장치
6 6
제5항에 있어서,상기 비전도성 윈도우는평면 형태 또는 비평면 형태를 갖는 고주파 유도결합형 플라즈마 처리장치
7 7
제1항에 있어서,상기 안테나는평면형 안테나 또는 비평면형 안테나인 유도결합형 플라즈마 처리장치
8 8
제1항에 있어서,상기 안테나는상기 진공 챔버 상부에 위치하거나 상기 진공 챔버에 포함되는 상기 플라즈마가 발생되는 반응 챔버 내부에 위치하는 유도결합형 플라즈마 처리장치
9 9
제1항에 있어서,상기 영구자석은적어도 하나 이상의 동심원, 적어도 하나 이상의 동심사각 및 적어도 1회 이상의 나선형 중 어느 하나의 형태로 배열되는 유도결합형 플라즈마 처리장치
10 10
제9항에 있어서,상기 영구자석은상기 진공 챔버의 중심에서 멀어질수록 두께 및 높이 중 적어도 어느 하나가 커지는 유도결합형 플라즈마 처리장치
11 11
제9항에 있어서, 상기 영구자석은상기 진공 챔버의 중심에서 멀어질수록 간격이 좁아지는 유도결합형 플라즈마 처리장치
12 12
제1항에 있어서,상기 영구자석은평행한 복수 개의 선형 및 적어도 하나 이상의 뱀형(serpentine) 중 어느 하나의 형태로 배열되는 유도결합형 플라즈마 처리장치
13 13
제1항에 있어서,상기 진공 챔버의 수직 방향으로 형성되는 자기장 세기는상기 안테나에 인가되는 라디오파 주파수가 전자 사이클로트론 주파수가 되는 자기장 세기의 0
14 14
제1항에 있어서,상기 영구자석은원통형 또는 육면체인 유도결합형 플라즈마 처리장치
15 15
유도결합형 플라즈마 처리 장치의 플라즈마 발생방법에 있어서,(a) 저압의 반응챔버 내부의 시료 상부에 반응가스를 주입하는 단계;(b) RF 전원이 공급되는 안테나를 이용하여 상기 반응가스로 전자기파를 발생시키는 단계; 및(c) 상기 전자기파로 인하여 발생된 플라즈마의 분포를 균일하게 하고, 상기 시료의 상단에 형성될 수 있도록 상기 시료의 상
16 16
제15항에 있어서,상기 반응챔버의 측면에 장착된 복수개의 영구자석을 이용하여 상기 반응챔버의 축과 수직한 방향으로 다극성 표면 자기장을 인가하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 발생방법
17 17
제16항에 있어서,상기 반응챔버의 측면에 장착된 전자석 또는 영구자석을 이용하여 상기 반응챔버의 축과 수직한 방향으로 다극성 표면 자기장을 인가하는 플라즈마 발생방법
18 18
제16항에 있어서,상기 반응챔버의 측면에 장착된 서로 이웃하는 자석의 극성이 상반되게 배열된 상기 복수개의 측면자석을 이용하여 상기 반응챔버의 축과 수직한 방향으로 다극성 표면 자기장을 인가하는 플라즈마 발생방법
19 19
제15항에 있어서,상기 반응챔버의 수직 방향으로 인가되는 자기장은상기 시료의 중심에서 반경방향으로 멀어질수록 자력선속의 밀도가 커지도록 인가되는 플라즈마 발생방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2009048294 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2009048294 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.