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태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014037172
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 탄소구조체층; 상기 탄소구조체층 상에 형성되어 있는 미세 구조물; 및 상기 미세 구조물 표면에 형성되어 있는, 전하분리접합부를 포함하는 전하분리층: 을 포함하는, 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100103904 (2010.10.25)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1142545-0000 (2012.04.26)
공개번호/일자 10-2012-0042282 (2012.05.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120508) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.25)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규철 대한민국 서울특별시 송파구
2 김용진 대한민국 서울특별시 관악구
3 이철호 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍장원 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)(특허법인 하나)
2 안상희 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
3 남준욱 대한민국 경기도 성남시 분당구 대왕판교로***, A동 ***호(삼평동, 유스페이스*)(특허법인지담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0687499-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.09.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0768630-17
5 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2011.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0774907-55
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.10.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0085030-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0608063-78
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0928862-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0928860-10
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0164398-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소구조체층;상기 탄소구조체층 상에 형성되어 있는 미세 구조물; 및상기 미세 구조물 표면에 형성되어 있는, 전하분리접합부를 포함하는 전하분리층:을 포함하는, 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 탄소구조체층 하부에 기판을 추가 포함하는, 태양전지
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 탄소구조체층과 상기 기판은 분리가능한 것인, 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 탄소구조체층은 그래핀(graphene) 또는 그래파이트(graphite)를 포함하는 것인, 태양전지
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전하분리층 상에 형성된 제 1 전극층을 추가 포함하는, 태양전지
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 탄소구조체층과 상기 제 1 전극층 사이에 위치한 절연층을 추가 포함하는, 태양전지
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 탄소구조체층의 표면 상에 형성된 제 2 전극층을 추가 포함하는, 태양전지
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 전하분리층은 한 개 또는 복수개의 층인 것인, 태양전지
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 전하분리접합부는 상기 미세 구조물과 상기 박막의 계면 또는 상기 복수개의 전하분리층의 각각의 계면에 형성되어 있는 것인, 태양전지
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 미세 구조물은 금속 또는 반도체 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것인, 태양전지
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 미세 구조물은 미세 막대, 미세 바늘, 미세 튜브, 미세 벽 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 태양전지
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 전하분리층은 금속 또는 반도체 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것인, 태양전지
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 미세구조물은 상기 탄소구조체층 상의 데미지(damage) 상측에 형성되어 있는, 태양전지
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 탄소구조체층은 상기 태양전지의 전극인 것인, 태양전지
15 15
탄소구조체층을 준비하는 단계;상기 탄소구조체층 상에 미세 구조물을 성장시키는 단계; 및상기 미세 구조물 표면에 전하분리층을 형성하는 단계: 를 포함하는, 태양전지의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 전하분리층 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계를 추가 포함하는, 태양전지의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 전하분리층의 형성 이전 또는 후에 상기 탄소구조체층과 상기 제 1 전극층 사이에 절연층을 형성하는 단계를 추가 포함하는, 태양전지의 제조 방법
18 18
제 15 항에 있어서, 상기 탄소구조체층의 표면 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 추가 포함하는, 태양전지의 제조 방법
19 19
제 15 항에 있어서, 상기 탄소구조체층을 준비하는 단계는 기판 상에 상기 탄소구조체층을 형성하는 것인, 태양전지의 제조 방법
20 20
제 19 항에 있어서, 상기 기판 상에 형성된 탄소구조체층을 목적 기판 상으로 전사하는 것을 추가 포함하는, 태양전지의 제조 방법
21 21
제 15 항에 있어서, 상기 탄소구조체층 상에 미세 구조물을 성장시키는 단계는, 상기 탄소구조체층 상에 데미지를 형성하고, 상기 데미지 상측에 상기 미세 구조물을 형성하는 것인, 태양전지의 제조 방법
22 22
제 21 항에 있어서, 상기 데미지는, 가스 플라즈마, 이온빔, 전자빔, 양성자빔, 중성자빔 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 방법 중 하나에 의해 형성되는 것인, 태양전지의 제조 방법
23 23
제 21 항에 있어서,상기 데미지를 형성하는 것은,상기 탄소구조체층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 패터닝하여 복수개의 개구부를 형성하는 단계; 및상기 개구부를 통해 상기 탄소구조체층에 데미지를 생성하는 단계:를 포함하는 것인, 태양전지의 제조 방법
24 24
제 23 항에 있어서,상기 마스크층을 패터닝하여 복수개의 개구부를 형성하는 단계는 전자빔 리소그래피, 포토리소그래피, 레이저 간섭 리소그래피, 나노임프린트, 및 탬플릿 중 하나 이상의 방법을 이용하는 것인, 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09419158 US 미국 FAMILY
2 US20130213470 US 미국 FAMILY
3 WO2012057504 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2012057504 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013213470 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9419158 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2012057504 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2012057504 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국연구재단 창의적연구진흥사업 반도체 나노막대 연구단