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플렉서블 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015136997
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플렉서블 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 투명 전도성 산화물층이 증착된 플렉서블 고분자 기판을 챔버에 배치시키는 단계(단계 1); 투명 전도성 산화물층이 증착된 플렉서블 고분자 기판에 대하여 가스에 의해 운반된 1㎚∼10 ㎛ 크기의 산화물 반도체 분말을 100∼1200 m/sec의 속도로 분사노즐을 사용하여 분사하여 산화물 반도체층을 증착시키는 단계(단계 2); 상기 산화물 반도체층에 염료를 흡착시켜 작동전극을 제조하는 단계(단계 3); 투명 전도성 산화물층이 형성된 투명 기판의 상부에 촉매층을 형성하여 상대전극을 제조하는 단계(단계 4); 및 상기 단계 3에서 제조된 작동전극과 단계 4에서 제조된 상대전극을 대향시켜 접합시킨 후 전해액을 주입하는 단계(단계 5)를 포함하는 플렉서블 염료감응 태양전지의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 플렉서블 염료감응 태양전지에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100031548 (2010.04.06)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0994902-0000 (2010.11.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20101116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.06)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 천두만 대한민국 서울특별시 관악구
3 김민생 대한민국 서울특별시 금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인명인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층(역삼동, 두원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0219628-69
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0233916-32
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0258710-64
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.05.24 수리 (Accepted) 9-1-2010-0032909-62
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0221215-66
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0472195-14
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0545569-76
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0591987-60
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0591989-51
11 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0508268-73
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플렉서블 고분자 기판 상에 증착된 투명 전도성 산화물층, 상기 투명 전도성 산화물층 상에 저온 증착된 산화물 반도체층 및 상기 산화물 반도체층에 흡착된 염료를 포함하는 작동전극;플렉서블 고분자 기판 상에 증착된 투명 전도성 산화물층 및 상기 투명 전도성 산화물층에 저온 증착된 촉매층을 포함하는 상대전극; 및상기 작동전극 및 상대전극 사이에 개재되는 전해질을 포함하며,상기 투명 전도성 산화물층 상에 저온 증착된 산화물 반도체층은 상기 투명 전도성 산화물층이 증착된 플렉서블 고분자 기판에 대하여 150℃ 이하의 저온에서 가스에 의해 운반된 1㎚∼10 ㎛ 크기의 산화물 반도체 분말을 100∼1200 m/sec의 속도로 분사노즐을 사용하여 분사하여 형성된 것임을 특징으로 하는 플렉서블 염료감응 태양전지
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 분말로는 이산화티탄 분말(TiO2), 산화주석 분말(SnO2), 산화아연 분말(ZnO) 및 산화니오븀 분말(Nb2O5)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 혼합한 분말을 사용하거나, 이산화티탄 분말(TiO2), 산화주석 분말(SnO2), 산화아연 분말(ZnO) 및 산화니오븀 분말(Nb2O5)으로 이루어진 군에서 선택된 1종과 탄소나노튜브(CNT), 탄소나노섬유(CNF), 그라핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종을 혼합한 분말을 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 염료감응 태양전지
4 4
제1항에 있어서,상기 플렉서블 고분자 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이드(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR) 및 폴리이미드(PI)로 이루어진 군으로부터 선택된 고분자를 사용하여 제조된 기판임을 특징으로 하는 플렉서블 염료감응 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물층은 불소가 도핑된 틴 옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드 (AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드 (IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군으로부터 선택된 투명 전도성 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 염료감응 태양전지
6 6
제1항에 있어서, 상기 촉매층은 탄소, 금 및 백금으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 염료감응 태양전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 상대전극 및 작동전극 중 하나는 플렉서블 유리기판 또는 금속기판을 사용하여 제조된 것임을 특징으로 하는 플렉서블 염료감응 태양전지
8 8
투명 전도성 산화물층이 증착된 플렉서블 고분자 기판을 챔버에 배치시키는 단계(단계 1);투명 전도성 산화물층이 증착된 플렉서블 고분자 기판에 대하여 가스에 의해 운반된 1㎚∼10 ㎛ 크기의 산화물 반도체 분말을 150℃ 이하의 저온에서 100∼1200 m/sec의 속도로 분사노즐을 사용하여 분사하여 산화물 반도체층을 증착시키는 단계(단계 2);상기 산화물 반도체층에 염료를 흡착시켜 작동전극을 제조하는 단계(단계 3);투명 전도성 산화물층이 형성된 투명 기판의 상부에 촉매층을 형성하여 상대전극을 제조하는 단계(단계 4); 및 상기 단계 3에서 제조된 작동전극과 단계 4에서 제조된 상대전극을 대향시킨 후 전해액을 주입하는 단계(단계 5)를 포함하는 플렉서블 염료감응 태양전지의 제조방법
9 9
삭제
10 10
제8항에 있어서,상기 산화물 반도체 분말로는 이산화티탄 분말(TiO2), 산화주석 분말(SnO2), 산화아연 분말(ZnO) 및 산화니오븀 분말(Nb2O5)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 혼합한 분말을 사용하거나, 이산화티탄 분말(TiO2), 산화주석 분말(SnO2), 산화아연 분말(ZnO) 및 산화니오븀 분말(Nb2O5)으로 이루어진 군에서 선택된 1종과 탄소나노튜브(CNT), 탄소나노섬유(CNF), 그라핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종을 혼합한 분말을 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 염료감응 태양전지의 제조방법
11 11
제8항에 있어서,상기 단계 2에서 상기 산화물 반도체 분말을 분사하여 산화물 반도체층을 형성한 후 압력기 등을 이용하여 가압하거나, 진공저온소결로, 오븐 등을 이용하여 플렉서블 고분자 기판의 유리전이 온도이하에서 저온 소결과정을 거치거나, 레이저를 이용하여 증착된 투명 전도성 산화물층을 국부 소결하는 과정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 염료감응 태양전지의 제조방법
12 12
제8항에 있어서,상기 플렉서블 고분자 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이드(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR) 및 폴리이미드(PI)로 이루어진 군으로부터 선택된 고분자를 사용하여 제조된 기판임을 특징으로 하는 플렉서블 염료감응 태양전지의 제조방법
13 13
제8항에 있어서,상기 투명 전도성 산화물층은 불소가 도핑된 틴 옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드 (AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드 (IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군으로부터 선택된 투명 전도성 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 염료감응 태양전지의 제조방법
14 14
제8항에 있어서, 상기 촉매층은 탄소, 금 및 백금으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 플렉서블 염료감응 태양전지의 제조방법
15 15
플렉서블 고분자 기판 상에 증착된 투명 전도성 산화물층, 상기 투명 전도성 산화물층 상에 저온 증착된 산화물 반도체층 및 상기 산화물 반도체층에 흡착된 염료를 포함하는 작동전극; 플렉서블 고분자 기판 상에 증착된 투명 전도성 산화물층 및 상기 투명 전도성 산화물층에 저온 증착된 촉매층을 포함하는 상대전극; 및 상기 작동전극 및 상대전극 사이에 개재되는 전해질을 포함하며,상기 투명 전도성 산화물층 상에 저온 증착된 산화물 반도체층은 상기 투명 전도성 산화물층이 증착된 플렉서블 고분자 기판에 대하여 150℃ 이하의 저온에서 가스에 의해 운반된 1㎚∼10 ㎛ 크기의 산화물 반도체 분말을 100∼1200 m/sec의 속도로 분사노즐을 사용하여 분사하여 형성된 것임을 특징으로 하는 플렉서블 염료감응 태양전지 기판 디스플레이
16 16
삭제
17 17
제15항에 있어서,상기 산화물 반도체 분말로는 이산화티탄 분말(TiO2), 산화주석 분말(SnO2), 산화아연 분말(ZnO) 및 산화니오븀 분말(Nb2O5)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 혼합한 분말을 사용하거나, 이산화티탄 분말(TiO2), 산화주석 분말(SnO2), 산화아연 분말(ZnO) 및 산화니오븀 분말(Nb2O5)으로 이루어진 군에서 선택된 1종과 탄소나노튜브(CNT), 탄소나노섬유(CNF), 그라핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종을 혼합한 분말을 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 염료감응 태양전지 기판 디스플레이
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1 JP05296758 JP 일본 FAMILY
2 JP23222477 JP 일본 FAMILY
3 US20110240112 US 미국 FAMILY

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1 한국연구재단 서울대학교 산학협력단 선도연구센터육성사업 마이크로 제어계측 기술개발