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배가스 정전 후처리 장치

  • 기술번호 : KST2014039861
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 및 LCD 제조공정 등에서 배출되는 다량의 산성가스를 포함하는 배출가스를 처리하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치는, 유입구로 유입되는 배출가스의 미세입자를 하전시키는 하전부와, 상기 하전부의 후단에 설치되어 하전된 미세입자를 집진하는 집진부와 하전부의 방전판과, 집진부의 집진판에 수막을 형성시키는 수막용 분사장치로 이루어진 전기집진장치와, 상기 전기집진장치의 후단에 패킹볼이 충진되어 있는 스크러버에 배출가스를 유입시키고, 상기 스크러버에 세정액을 정전분무시켜 배출가스의 처리하는 스크러버장치로 이루어진다. 산성가스, 반도체, LCD, 전기집진장치, 스크러버장치
Int. CL H01L 21/00 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 21/67051(2013.01) H01L 21/67051(2013.01)
출원번호/일자 1020080115714 (2008.11.20)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1015057-0000 (2011.02.09)
공개번호/일자 10-2010-0056753 (2010.05.28) 문서열기
공고번호/일자 (20110216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.20)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용진 대한민국 대전광역시 유성구
2 한방우 대한민국 대전광역시 유성구
3 김학준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진용석 대한민국 대전광역시 서구 청사로 ***, 청사오피스텔 ***호 세빈 국제특허법률사무소 (둔산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0800805-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0038247-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0457217-70
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0685068-53
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0685069-09
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0055015-71
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
인가되는 고전압에 의하여 하전부에서 코로나 방전이 발생하고, 상기 발생된 코로나 방전에 의하여 배출가스내에 있는 미세입자가 하전되며, 하전된 미세입자는 집진부의 집진판에서 정전집진되는 전기집진장치(100)와, 패킹볼이 충진되어 있는 스크러버에 세정액을 분사하여 가스를 제거하는 스크러버장치(200)로 이루어진 배출가스처리장치에 있어서, 상기 전기집진장치(100)는 배출가스에 포함되어 있는 산성가스로부터 산화를 억제시킬 수 있도록 수막용 분사장치(130)가 설치되고, 상기 스크러버장치(200)에는 세정액 하전장치(240)가 설치되어 정전분무됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 수막용 분사장치(130)는 하전부(110)의 방전판(112)에 세정액을 분사시키는 것을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
3 3
제 1항에 있어서, 상기 수막용 분사장치(130)는 하전부(110)의 방전판(112)과 집진부(120)의 집진판(121)에 세정액을 분사시키는 것을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
4 4
제 1항 내지 제 3항 중 어느한 항에 있어서, 상기 전기집진장치(100)의 수막용 분사장치(130)는, 전기집진장치의 하측에 설치되는 저장탱크(131)와, 상기 저장탱크(131)의 세정액을 순환시키는 펌프(132)와, 상기 펌프(132)에서 공급되는 세정액을 분사하는 분사노즐(134)이 설치된 분사노즐대(133)로 구성되어, 상기 분사노즐(134)에서 분사되는 세정액에 의하여 수막이 형성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
5 5
제 4항에 있어서, 상기 수막용 분사장치(130)의 저장탱크(131) 일측에는 세정액의 pH농도를 조절하는 농도조절장치(135)가 더 설치됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
6 6
제 1항에 있어서, 상기 집진판(121)은 내측에 금속성 박막이 설치되어 있는 PE, PP 등의 플라스틱 계열의 판으로 이루어짐을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
7 7
제 1항에 있어서, 상기 집진판(121)은 내부식성의 CFRP(carbon fiber reinforced plastic) 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
8 8
제 1항에 있어서, 상기 스크러버장치(200)는, 패킹볼(211)이 충진된 스크러버(210)와, 상기 스크러버(210)에 세정액을 분사하는 세정액 분사장치(220)와, 상기 스크러버(210)의 후단에 설치되는 필터(230)와, 세정액 하전장치(240)로 이루어지고, 상기 세정액 분사장치(220)는 스크러버(210)의 하측에 설치되는 세정액 탱크(221)와, 상기 세정액 탱크(221)의 세정액의 pH농도를 조절하는 농도조절장치(222)와, 상기 세정액 탱크(221)의 세정액을 순환시키는 펌프(223)와, 상기 펌프(223)로부터 공급되는 세정액을 스크러버(210)에 분사시키는 분사노즐(225)이 설치된 노즐대(224)로 구성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
9 9
제 8항에 있어서, 상기 세정액 하전장치(240)는 세정액 분사장치(220)의 분사노즐(225)과 이격되게 설치되는 금속봉(241) 또는 금속링(241')과, 고전압을 인가하는 고전압장치(242)로 구성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
10 10
고전압을 인가하여 발생되는 코로나 방전에 의하여 미세입자를 하전시켜 정전집진하는 전기집진장치(100)와, 패킹볼이 충진되어 있는 스크러버에 세정액을 분사하여 가스를 제거하는 스크러버장치(200)로 이루어진 배출가스처리장치에 있어서, 상기 전기집진장치(100)는 유입구로 유입되는 배출가스의 미세입자를 하전시키는 하전부(110')와, 상기 하전부(110')의 후단에 설치되어 하전된 미세입자를 집진하는 집진부(120)로 형성되되, 상기 하전부(110')는 다심의 탄소섬유 또는 금속섬유가 다발로 이루어진 방전구(111')와 상기 방전구(111')에 고전압을 인가하는 고전압장치(113)으로 형성되고, 상기 스크러버장치(200)에서 분사되는 세정액은 정전분무됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
11 11
제 10항에 있어서, 상기 전기집진장치(100)에는 수막용 분사장치(130)가 설치되고, 상기 수막용 분사장치(130)는 집진부(120)의 집진판(121)에 세정액을 분사시킴을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
12 12
제 11항에 있어서, 상기 전기집진장치(100)의 수막용 분사장치(130)는, 전기집진장치의 하측에 설치되는 저장탱크(131)와, 상기 저장탱크의 세정액을 순환시키는 펌프(132)와, 상기 펌프에서 공급되는 세정액을 분사하는 분사노즐(134)이 설치된 분사노즐대(133)로 구성되어, 상기 분사노즐(134)에서 분사되는 세정액에 의하여 수막이 형성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
13 13
제 11항에 있어서, 상기 수막용 분사장치(130)의 저장탱크(121) 일측에는 세정액의 pH농도를 조절하는 농도조절장치(135)가 더 설치됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
14 14
제 10항에 있어서, 상기 스크러버장치(200)는, 패킹볼(211)이 충진된 스크러버(210)와, 상기 스크러버(210)에 세정액을 분사하는 세정액 분사장치(220)와, 상기 세정액 분사장치(220)로부터 분사되는 세정액을 하전시키는 세정액 하전장치(240)와, 상기 스크러버의 후단에 설치되는 필터(230)로 이루어지고, 상기 세정액 분사장치(220)는 스크러버(210)의 하측에 설치되는 세정액 탱크(221)와, 상기 세정액 탱크(221)의 세정액의 pH농도를 조절하는 농도조절장치(222)와, 상기 세정액 탱크(221)의 세정액을 순환시키는 펌프(223)와, 상기 펌프(223)로부터 공급되는 세정액을 스크러버(210)에 분사시키는 분사노즐(225)이 설치된 노즐대(224)로 구성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
15 15
제 14항에 있어서, 상기 세정액 하전장치(240)는 세정액 분사장치(220)의 분사노즐(225)와 이격되게 설치되는 금속봉(241)과, 고전압을 인가하는 고전압장치(242)로 구성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
16 16
제 14항에 있어서, 상기 세정액 하전장치(240)는 세정액 분사장치(220)의 분사노즐(225)와 이격되게 설치되는 금속링(241')과, 고전압을 인가하는 고전압장치(242)로 구성됨을 특징으로 하는 내부식성의 반도체/LCD 공정 배가스 정전 후처리 장치
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1 환경부 한국기계연구원 차세대핵심환경기술개발사업 반도체 배출가스 처리용 2단 전기 패킹 스크러버 시스템 개발