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금속박막 패턴 형성기술

  • 기술번호 : KST2014039872
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판상에 금속박막 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 특히 투명 기판을 사용하고, 이 투명 기판 하부측에서 자외선을 조사하여 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 공간부를 구비한 포토레지스트 패턴을 형성함으로써, 리프트 오프 공정을 통하여 정밀하고 깨끗하게 금속박막 패턴이 투명 기판상에 형성될 수 있도록 하는 투명 기판상 금속박막 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명인 투명기판상 금속박막 패턴 형성 방법을 이루는 구성수단은, 투명 기판 상부면에 포토레지스트를 형성하는 단계, 상기 투명 기판 하부측에 포토 마스크를 배치하고, 상기 투명 기판 하부측에서 자외선을 조사하여 노광 공정을 수행하되, 현상 공정에 의하여 형성되는 공간부의 형상이 상기 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 형상이 되도록 노광 공정을 수행하는 단계, 상기 노광 공정 후, 현상 공정을 통하여 상기 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 형상인 공간부를 구비하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 상부면 및 상기 공간부에 의하여 외부로 노출된 상기 투명 기판 상부면에 금속 박막을 증착시키는 단계, 상기 포토레지스트 및 상기 포토레지스트 상부면에 증착된 금속 박막을 리프트 오프 공정을 통하여 제거하여 상기 투명 기판상에 금속박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0331(2013.01) H01L 21/0331(2013.01) H01L 21/0331(2013.01)
출원번호/일자 1020100016525 (2010.02.24)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1015613-0000 (2011.02.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.24)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장성환 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤재성 대한민국 대전광역시 유성구
3 전은채 대한민국 서울특별시 영등포구
4 최두선 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0119911-63
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0559914-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.01 수리 (Accepted) 9-1-2010-0060686-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0460648-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0796666-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0796663-80
8 등록결정서
Decision to grant
2011.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0045384-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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투명 기판 상부면에 포토레지스트를 형성하는 단계;상기 투명 기판 하부측에 네거티브 폰 포토 마스크를 배치하고, 상기 네거티브 폰 포토 마스크 상부면에 확산층을 구비하며, 상기 투명 기판 하부측에서 자외선을 조사하여 노광 공정을 수행하되, 현상 공정에 의하여 형성되는 공간부의 형상이 상기 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 형상이 되도록 노광 공정을 수행하는 단계;상기 노광 공정 후, 현상 공정을 통하여 상기 포토레지스트의 윗쪽으로 갈수록 좁아지는 형상인 공간부를 구비하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 상부면 및 상기 공간부에 의하여 외부로 노출된 상기 투명 기판 상부면에 금속 박막을 증착시키는 단계;상기 포토레지스트 및 상기 포토레지스트 상부면에 증착된 금속 박막을 리프트 오프 공정을 통하여 제거하여 상기 투명 기판상에 금속박막 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 투명기판상 금속박막 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 포토레지스트는 나노임프린트, 스핀 코팅, 스프레이 코팅 및 열압착 코팅 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명기판상 금속 박막 패턴 형상 방법
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삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국기계연구원 국가연구개발사업(II) 자원절약형 고종횡비 형상 공정 기술 기반 구축 사업(1/5)