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하이브리드 플라즈마 소스 및 이를 채용한 플라즈마 발생 장치

기술번호 : KST2014040035
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	하이브리드 플라즈마 소스 및 이를 채용한 플라즈마 발생 장치가 개시된다. 본 발명의 하이브리드 플라즈마 소스는 내부의 용량 결합형 플라즈마 소스를 둘러싸는 유도 결합형 플라즈마 소스로 구성됨으로써 각 플라즈마 소스의 장점을 활용하여 저압에서도 공정이 가능하며, 고밀도 및 높은 균일도의 플라즈마를 확보할 수 있다. 또한 상기의 플라즈마 소스를 채용한 플라즈마 발생 장치는 공정에 따라 상, 하부 전극 및 코일에 각각 인가되는 RF 전원의 주파수를 조절할 수 있으며, 이를 통하여 간단하고 용이하게 플라즈마의 중심부와 에지부의 밀도 차이 및 균일도의 제어가 가능하다.
Int. CL	H05H 1/46 (2006.01) H05H 1/24 (2006.01)
CPC	H05H 1/46(2013.01) H05H 1/46(2013.01) H05H 1/46(2013.01) H05H 1/46(2013.01) H05H 1/46(2013.01) H05H 1/46(2013.01) H05H 1/46(2013.01)
출원번호/일자	1020110028029 (2011.03.29)
출원인	성균관대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1184859-0000 (2012.09.14)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20120920) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.03.29)
심사청구항수	10

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	염근영	대한민국	서울특별시 송파구
2	김경남	대한민국	충청남도 천안시 서북구
3	임종혁	대한민국	경기도 용인시 처인구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인이상	대한민국	서울특별시 서초구 바우뫼로 **(양재동, 우도빌딩 층)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	성균관대학교산학협력단		경기도 수원시 장안구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.03.29	수리 (Accepted)	1-1-2011-0227730-96
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.02.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0108435-00
3	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.04.23	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0322990-35
4	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.04.23	수리 (Accepted)	1-1-2012-0322962-67
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090770-53
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
8	등록결정서 Decision to grant	2012.09.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0538301-10
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 플라즈마 형성을 위한 플라즈마 소스에 있어서,챔버의 중심부에 배치된 용량 결합형 플라즈마 소스; 및 상기 용량 결합형 플라즈마 소스 주변에 배치된 유도 결합형 플라즈마 소스를 포함하되,상기 용량 결합형 플라즈마 소스에 인가되는 전원의 주파수는 상기 유도 결합형 플라즈마 소스에 인가되는 전원의 주파수보다 낮은 주파수인 하이브리드 플라즈마 소스
2	2 제 1 항에 있어서,상기 유도 결합형 플라즈마 소스는 상기 용량 결합형 플라즈마 소스를 둘러싸고 있는 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 플라즈마 소스
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 유도 결합형 플라즈마 소스는 원형의 도넛 형상을 가지며, 상기 용량 결합형 플라즈마 소스는 원 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 하이브리드 플라즈마 소스
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 용량 결합형 플라즈마 소스에는 400kHz 내지 12
5	5 삭제
6	6 제 1 항에 있어서,상기 용량 결합형 플라즈마 소스는 상기 챔버의 상부에 설치된 제 1 전극 및 상기 제 1 전극에 대향하는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 플라즈마 소스
7	7 제 6 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 챔버의 외부로 돌출된 상부 전극봉, 상기 상부 전극봉에 연결되고, 상기 용량 결합형 플라즈마 소스가 배치된 공간에 설치된 중심 전극봉 및 상기 중심 전극봉에 연결되고, 챔버를 향해 돌출된 하부 전극봉을 포함하는 I자 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 플라즈마 소스
8	8 제 6 항에 있어서,상기 유도 결합형 플라즈마 소스는 상기 제 1 전극으로부터 일정 거리 이격되어 배치된 쿼츠판 상에 적어도 하나의 단위 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 플라즈마 소스
9	9 측면의 외벽 및 외벽에 상부 방향으로 연장되는 커버를 구비하며, 제 1 공간과 제 2 공간이 정의되는 챔버;상기 제 1 공간으로부터 제 2 공간을 향해 관통하고, 상기 챔버의 상부에 설치된 제 1 전극 및 상기 제 1 전극에 대향하는 제 2 전극을 포함하는 용량 결합형 플라즈마 소스; 및상기 제 1 공간에 형성되고, 상기 제 1 전극으로부터 일정 거리 이격되어 배치된 쿼츠판 상에 적어도 하나의 단위 코일을 포함하는 유도 결합형 플라즈마 소스를 포함하되,상기 제 1 전극, 상기 제 2 전극 및 상기 적어도 하나의 단위 코일에 각각 RF 전원이 인가되고, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 각각 인가되는 RF 전원의 주파수는 상기 적어도 하나의 단위 코일에 인가되는 RF 전원의 주파수보다 낮은 주파수인 플라즈마 발생 장치
10	10 제 9 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 챔버의 외부로 돌출된 상부 전극봉, 상기 상부 전극봉에 연결되고, 상기 용량 결합형 플라즈마 소스가 배치된 공간에 설치된 중심 전극봉 및 상기 중심 전극봉에 연결되고, 챔버를 향해 돌출된 하부 전극봉을 포함하는 I자 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
11	11 제 9 항에 있어서,상기 제 1 공간 및 제 2 공간은 쿼츠판을 기준으로 나누어지며, 상기 제 2 공간을 진공상태로 유지하기 위하여 상기 제 1 전극의 중심 전극봉으로부터 연장되어 형성된 쿼츠판의 하부에 지지볼을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
12	12 삭제

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1184859-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20110329 출원 번호 : 1020110028029 공고 연월일 : 20120920 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120912 청구범위의 항수 : 10 유별 : H05H 1/46 발명의 명칭 : 하이브리드 플라즈마 소스 및 이를 채용한 플라즈마 발생 장치 존속기간(예정)만료일 : 20170915

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	217,500 원	2012년 09월 14일	납입
제 4 년분	금 액	182,000 원	2015년 07월 03일	납입
제 5 년분	금 액	182,000 원	2016년 06월 07일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.03.29	수리 (Accepted)	1-1-2011-0227730-96
2	의견제출통지서	2012.02.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0108435-00
3	[명세서등 보정]보정서	2012.04.23	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0322990-35
4	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.04.23	수리 (Accepted)	1-1-2012-0322962-67
5	출원인정보변경(경정)신고서	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090770-53
6	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
7	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
8	등록결정서	2012.09.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0538301-10
9	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43


기술번호	KST2014040035
자료제공기관	NTB
기술공급기관	성균관대학교
기술명	하이브리드 플라즈마 소스 및 이를 채용한 플라즈마 발생 장치
기술개요	하이브리드 플라즈마 소스 및 이를 채용한 플라즈마 발생 장치가 개시된다. 본 발명의 하이브리드 플라즈마 소스는 내부의 용량 결합형 플라즈마 소스를 둘러싸는 유도 결합형 플라즈마 소스로 구성됨으로써 각 플라즈마 소스의 장점을 활용하여 저압에서도 공정이 가능하며, 고밀도 및 높은 균일도의 플라즈마를 확보할 수 있다. 또한 상기의 플라즈마 소스를 채용한 플라즈마 발생 장치는 공정에 따라 상, 하부 전극 및 코일에 각각 인가되는 RF 전원의 주파수를 조절할 수 있으며, 이를 통하여 간단하고 용이하게 플라즈마의 중심부와 에지부의 밀도 차이 및 균일도의 제어가 가능하다.
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	플라즈마 발생 장치
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415115521
세부과제번호	KI002098
연구과제명	32nm/300mm 급 반도체 후공정용 웨이퍼가공장비
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	한국반도체연구조합
성과제출연도	2011
연구기간	200903~201302
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020110028029]	하이브리드 플라즈마 소스 및 이를 채용한 플라즈마 발생 장치	새창보기

중요키워드

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