맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

나노와이어 신경탐침 전극 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014040102
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노와이어 신경탐침 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 본 발명은, 기판상에 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 나노와이어의 표면에 금속층 또는 폴리머층을 더 형성하여 상기 나노와이어의 기계적 물성을 보강하는 단계; 및 상기 나노와이어의 표면에 폴리머층을 더 형성한 경우, 상기 나노와이어의 일부를 노출시키는 단계;를 포함하여 구성되는 나노와이어 신경탐침 전극의 제조방법, 및 그 방법에 의해 제조되는 나노와이어 신경탐침 전극을 제공한다.본 발명에 의하여, 나노와이어를 기반으로 신경 신호를 검출하기에 적합한 전기적, 기계적, 생체친화적 특징을 갖는 나노와이어 탐침전극을 제공함으로써 안전하게 살아있는 신경세포의 내외부에서 신경세포의 신호를 감지하거나, 신경세포를 자극하거나 또는 물질을 보다 효율적으로 전달할 수 있는 작용효과를 기대할 수 있다.
Int. CL A61B 5/0478 (2006.01)
CPC A61B 5/0478(2013.01) A61B 5/0478(2013.01) A61B 5/0478(2013.01) A61B 5/0478(2013.01)
출원번호/일자 1020100122570 (2010.12.03)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1188368-0000 (2012.09.27)
공개번호/일자 10-2012-0061305 (2012.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20121005) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.03)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최헌진 대한민국 서울특별시 성북구
2 홍종일 대한민국 서울특별시 강남구
3 박승한 대한민국 서울특별시 양천구
4 이기영 대한민국 서울특별시 영등포구
5 김소은 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최환욱 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)(특허법인 수)
2 강민수 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (역삼동, 우일빌딩)(광개토국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최헌진 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0797820-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.09.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0082564-54
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0234903-33
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0501053-89
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0587807-91
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0587845-15
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0562616-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 나노와이어를 형성하는 단계;상기 나노와이어의 표면에 금속층 또는 폴리머층을 더 형성하여 상기 나노와이어의 기계적 물성을 보강하는 단계; 상기 나노와이어의 표면에 폴리머층을 더 형성한 경우, 상기 나노와이어의 일부를 노출시키는 단계; 및상기 기판 또는 상기 기판 및 상기 나노와이어의 일부를 전기적으로 절연하는 단계;를 포함하여 구성되며,상기 나노와이어 또는 상기 나노와이어의 표면에 형성된 금속층 또는 폴리머층으로부터 나노와이어가 연결된 기판 부분에 이르기까지 다중 파라-크실렌(poly(p-xylylene))을 코팅함으로써 상기 다중 파라-크실렌으로부터 나노와이어의 생체친화성 및 기계적 물성을 동시에 보강하도록 하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 신경탐침 전극의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 나노와이어가 소기의 전기전도도를 갖도록 하기 위하여 상기 나노와이어에 도전성을 보강하는 단계;가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 신경탐침 전극의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 도전성을 보강하는 단계;는상기 나노와이어 기지내에 p형 또는 n형 도판트를 가하는 방법, 또는 상기 나노와이어의 표면에 도전성 물질을 코팅하는 방법에 의하는 것임을 특징으로 하는 나노와이어 신경탐침 전극의 제조방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 기판상에 나노와이어를 형성하는 단계;는 상기 기판상에 나노와이어를 직접 성장시키는 방법 또는 기판의 일부를 식각하는 방법인 것을 특징으로 하는 나노와이어 신경탐침 전극의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 나노와이어의 길이는 0
9 9
삭제
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 원천기술개발사업-미래유망파이오니아 NT-IT-BT 뉴로모듈레이션 기술 개발