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나노선 정렬 방법

  • 기술번호 : KST2014040291
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노선 정렬 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 나노선 정렬 방법은 기판 상부에 홀 구조를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 홀 구조에 나노선 수용액을 공급하는 단계, 공급한 나노선 수용액을 증발시켜, 기판 상부에 나노선을 정렬시키는 단계 및 형성된 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다. 따라서, 친수성 및 소수성의 성질을 이용하여 나노선을 정렬하므로 보다 효과적으로 나노선을 정렬할 수 있으며, 포토레지스트 패턴을 이용하여 단차를 형성하므로 한층 더 효과적으로 나노선을 정렬할 수 있다. 또한, 간단하게 포토레지스트 패턴을 연소하여 제거할 수 있으므로 비용의 부담을 줄이며 대량 생산을 할 수 있다. 결국, 효율적인 방법으로 기판 상의 원하는 위치에 잘 정렬된 나노선을 획득할 수 있다. 특히, 상기와 같이 기판 상의 원하는 위치에 정렬된 나노선을 이용하여, 화학 및 바이오 센서, 고성능의 트랜지스터 및 발광 다이오드 등의 다양한 소자에 적용할 수 있으므로, 전자/전기 소자의 소형화를 이룩할 수 있다.
Int. CL G03F 7/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020100072023 (2010.07.26)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1252734-0000 (2013.04.03)
공개번호/일자 10-2012-0010465 (2012.02.03) 문서열기
공고번호/일자 (20130411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태윤 대한민국 서울특별시 서대문구
2 홍주리 대한민국 경기도 김포시
3 이현익 대한민국 서울특별시 송파구
4 구자훈 대한민국 서울특별시 마포구
5 서정목 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0482182-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0331498-94
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0309383-27
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0538460-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0604486-72
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0604485-26
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0800721-07
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0089936-69
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.01.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0089935-13
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0135693-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
기판 상부에 홀 구조를 갖는 포토레지스트 패턴(photoresist pattern)을 형성하는 단계;상기 홀 구조에 나노선 수용액을 공급하는 단계;상기 공급한 나노선 수용액을 증발시켜, 상기 기판 상부에 나노선을 정렬시키는 단계; 및상기 형성된 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 나노선(nanowires) 정렬 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 포토레지스트 물질은 SU-8인 것을 특징으로 하는 나노선 정렬 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 기판 상부에 홀 구조를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는 리소그래피(lithography)를 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노선 정렬 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 형성된 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계는 상기 포토레지스트 패턴을 연소하여 제거하는 것을 특징으로 하는 나노선 정렬 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 기판의 표면은 친수성 성질, 상기 포토레지스트 패턴은 소수성 성질, 상기 나노선은 친수성 성질인 것을 특징으로 하는 나노선 정렬 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 기판의 표면은 소수성 성질, 상기 포토레지스트 패턴은 친수성 성질, 상기 나노선은 소수성 성질인 것을 특징으로 하는 나노선 정렬 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴이 친수성 성질을 갖도록 하기 위하여, 상기 포토레지스트 물질에 글리시돌(glycidol)을 포함하는 친수성 혼성 중합체를 혼합하는 것을 특징으로 하는 나노선 정렬 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 (주)실리콘화일 연세대학교 산학협력단 시스템집적반도체기술개발 3D INTEGRATION을 이용한 차세대 이미지센서 개발
2 학술진흥재단 연세대학교 산학협력단 중점연구소지원 나노융합 그린에너지 원천기술 개발