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금속산화물 및 금속질화물 나노구조의 제작

  • 기술번호 : KST2015125053
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 i) 서로 다른 자연산화막 제거 방법을 이용하여 기판 위에 형성된 자연산화막을 제거하는 단계; ii) 상기 단계 i)의 자연산화막이 제거된 산화아연 박막을 도포하여 산화아연 박막을 형성하는 박막 형성 단계; iii) 상기 단계 ii)의 박막이 형성된 기판 위에 산화아연 나노선을 성장시키는 산화아연 성장 단계를 포함하는 기판상의 자연산화막 제거 방법 차이와 서로 다른 기판이 산화아연 박막에 미치는 영향에 대한 이해를 통해 산화아연 박막의 배향성과 산화아연 나노선의 결정성 대한 제조방법을 제공한다.자연산화막, 산화아연, 박막, 나노선, 수열용액법
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020070098953 (2007.10.01)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0033757 (2009.04.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.01)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상우 대한민국 서울 강남구
2 양자현 대한민국 서울 영등포구
3 송재진 대한민국 서울 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0708080-93
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0304945-22
3 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0449933-96
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
i) 서로 다른 자연산화막 제거 방법을 이용하여 기판 위에 형성된 자연산화막을 제거하는 단계; ii) 상기 단계 i)의 자연산화막 제거 단계가 종료된 후 금속산화물 또는 금속질화물 박막을 도포하여 금속산화물 또는 금속질화물 박막을 형성하는 박막 형성 단계; iii) 상기 단계 ii)이 종료된 후 기판 위에 도포된 금속산화물 또는 금속질화물 박막 위에 금속산화물 또는 금속질화물 나노선을 성장시키는 단계를 포함하는 금속산화물 또는 금속질화물 나노선의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 단계 i)의 자연산화막 제거 시 사용하는 용액 중 암모늄기를 포함하는 수용액은 전체 수용액 부피를 기준으로 50 내지 80%의 암모늄플루오르를 이용하되 바람직하게는 40%의 암모늄플루오르를 사용한다
3 3
제 2항에 있어서,상기 단계, 금속산화물 또는 금속질화물 박막 도포 시 금속산화물 또는 금속질화물은 산화아연 또는 셀렌화아연, 황산아연, 질화갈륨, 탄화규소, 산화베릴륨, 질화알루미늄, 질화붕소 등 인 것을 특징으로 하는 금속산화물 또는 금속질화물 박막의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 단계 i)의 자연산화막 제거 시 사용하는 용액 중 암모늄기를 포함하는 수용액은 전체 수용액 부피를 기준으로 50 내지 80%의 암모늄플루오르를 이용하되 바람직하게는 40%의 암모늄플루오르를 사용한다
5 5
제 1항에 있어서,상기 단계 i)의 자연산화막 제거 시 사용하는 용액 중 암모늄기를 포함하는 수용액은 전체 수용액 부피를 기준으로 50 내지 80%의 암모늄플루오르를 이용하되 바람직하게는 40%의 암모늄플루오르를 사용한다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.