| 1 |
1
저순도 알루미늄을 강산 전해질 용액에서 전기화학적인 양극 산화를 통해 나노기공성 구조물을 제조함에 있어서,전해질 용액으로 옥살산 및 불산의 혼합산 용액을 사용하고,전압 20 내지 200V, 온도 0 내지 15℃, 6 내지 12 시간의 양극 산화 조건에서 저순도 알루미늄의 불순물을 제거하는 단계를 포함하는 나노기공성 구조물의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,저순도 알루미늄은 98% 이하의 순도를 갖는 나노기공성 구조물의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,불산은 혼합산 용액 100 중량부에 대해 0
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,옥살산은 혼합산 용액에 대해 0
|
| 5 |
5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 나노기공성 구조물의 제조방법에 따라 제조되며,나노기공 또는 미세기공 어레이가 공존하면서 수직으로 관통하는 채널구조를 갖는 나노기공성 구조물
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,나노 기공은 20 내지 200 nm의 크기를 갖는 나노기공성 구조물
|
| 7 |
7
강산 전해질 용액에서 전기화학적인 양극 산화를 통해 저순도 알루미늄의 불순물 용해 속도를 제어하는 단계를 포함하는 제5항의 나노기공성 구조물의 미세기공 형태 제어 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,불순물의 용해 속도는 전해질 용액으로 옥살산, 황산, 또는 인산을 사용하여 제어하는 제5항의 나노기공성 구조물의 미세기공 형태 제어 방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,불순물의 용해 속도는 전해질 용액으로 불산 및 옥살산의 혼합산을 사용하여 제어하는 제5항의 나노기공성 구조물의 미세기공 형태 제어 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,불산은 혼합산 용액 100 중량부에 대해 0
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,옥살산은 혼합산 용액에 대해 0
|
| 12 |
12
제7항에 있어서,양극 산화는 전압 20 내지 200V, 온도 0 내지 18℃, 시간 6 내지 12시간의 조건에서 실시하는 제5항의 나노기공성 구조물의 미세기공 형태 제어 방법
|
