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고감도 표면 플라즈몬 공명 센서, 표면 플라즈몬 공명 센서칩, 및 표면 플라즈몬 공명 센서 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014040316
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 표면 플라즈몬 공명 센서는, 프리즘; 상기 프리즘 상에 배치된 금속 박막; 상기 금속 박막 상에 형성되어 국소 표면 플라즈몬 공명에 의한 여기장을 발생시키는 물질 패턴; 국소 표면 플라즈몬 공명에 의해 국소적으로 증폭된 근거리 여기장이 발생되는 지점인 핫스폿(hot spots)을 노출시켜 시료 물질의 접합 영역을 한정하도록 상기 물질 패턴과 금속 박막을 부분적으로 차단하는 마스크층; 상기 프리즘을 통해 상기 금속 박막으로 입사하는 입사광을 제공하는 광원; 및 상기 금속 박막에서 반사된 반사광을 감지하는 수광부를 포함한다.
Int. CL G01N 21/63 (2006.01) G01N 21/27 (2006.01)
CPC G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01)
출원번호/일자 1020100017208 (2010.02.25)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0097389 (2011.08.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.25)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동현 대한민국 서울특별시 서대문구
2 마경재 대한민국 서울특별시 서대문구
3 김동준 대한민국 서울특별시 서대문구
4 김규정 대한민국 서울특별시 동작구
5 문세영 대한민국 서울특별시 강남구
6 오영진 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0124808-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.08.04 수리 (Accepted) 9-1-2011-0063596-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0043530-82
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0223027-58
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0315301-44
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0339408-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
프리즘; 상기 프리즘 상에 배치된 금속 박막; 상기 금속 박막 상에 형성되어 국소 표면 플라즈몬 공명에 의한 여기장을 발생시키는 물질 패턴; 국소 표면 플라즈몬 공명에 의해 국소적으로 증폭된 근거리 여기장이 발생되는 지점인 핫스폿을 노출시켜 시료 물질의 접합 영역을 한정하도록 상기 물질 패턴과 금속 박막을 부분적으로 차단하는 마스크층; 상기 프리즘을 통해 상기 금속 박막으로 입사하는 입사광을 제공하는 광원; 및 상기 금속 박막에서 반사된 반사광을 감지하는 수광부를 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 프리즘과 금속 박막 사이에 배치된 투명 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
3 3
제1항에 있어서, 상기 물질 패턴은 선(wires), 섬(islands), 기둥(columns), 홀(holes), 다중 격자(multi-lattice) 패턴 또는 다층(multi-layer)의 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
4 4
제1항에 있어서, 상기 물질 패턴은 금속 패턴인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
5 5
제1항에 있어서, 상기 물질 패턴은 상기 금속 박막 상에서 서로 평행하게 일정한 주기로 배열된 금속 나노선인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
6 6
제1항에 있어서, 상기 마스크층은 유전체인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
7 7
제1항에 있어서, 상기 물질 패턴은 일정한 주기로 배열된 나노선이고, 상기 마스크층은 상기 나노선의 일측 또는 양측 엣지를 노출시키도록 형성된 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서
8 8
투명 기판; 상기 투명 기판 상에 배치된 금속 박막; 상기 금속 박막 상에 형성되어 국소 표면 플라즈몬 공명에 의한 여기장을 발생시키는 물질 패턴; 및 국소 표면 플라즈몬 공명에 의해 국소적으로 증폭된 근거리 여기장이 발생되는 지점인 핫스폿을 노출시켜 시료 물질의 접합 영역을 한정하도록 상기 물질 패턴과 금속 박막을 부분적으로 차단하는 마스크층을 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
9 9
제8항에 있어서, 상기 물질 패턴은 선, 섬, 기둥, 홀, 다중 격자 패턴 또는 다층의 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
10 10
제8항에 있어서, 상기 물질 패턴은 금속 패턴인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
11 11
제8항에 있어서, 상기 물질 패턴은 상기 금속 박막 상에서 서로 평행하게 일정한 주기로 배열된 금속 나노선인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
12 12
제8항에 있어서, 상기 마스크층은 유전체인 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
13 13
제8항에 있어서, 상기 물질 패턴은 일정한 주기로 배열된 나노선이고, 상기 마스크층은 상기 나노선의 일측 또는 양측 엣지를 노출시키도록 형성된 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서칩
14 14
투명 기판 또는 프리즘 상에 금속 박막을 형성하는 단계; 상기 금속 박막 상에 국소 표면 플라즈몬 공명에 의한 여기장을 발생시키는 물질 패턴을 형성하는 단계; 및 시료 물질의 접합 영역을 핫스폿에 한정하도록 상기 물질 패턴과 금속 박막을 부분적으로 차단하는 마스크층을 형성하는 단계를 포함하는 표면 플라즈몬 공명 센서 소자의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 물질 패턴을 형성하는 단계는, 선, 섬, 기둥, 홀, 다중 격자 패턴 또는 다층의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 소자의 제조 방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 물질 패턴은 금속 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 소자의 제조 방법
17 17
제14항에 있어서, 상기 마스크층을 형성하는 단계는, 상기 금속 박막과 물질 패턴에 대해 마스크층 물질의 기울임 증착을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 소자의 제조 방법
18 18
제14항에 있어서, 상기 물질 패턴을 형성하는 단계는 상기 금속 박막 상에서 서로 평행하게 일정한 주기로 배열된 금속 나노선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 소자의 제조 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 마스크층은, 상기 나노선의 일측 또는 양측 엣지를 노출시키도록 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 소자의 제조 방법
20 20
제18항에 있어서, 상기 마스크층을 형성하는 단계는, 상기 금속 박막과 나노선에 대해 마스크층 물질의 기울임 증착을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명 센서 소자의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2011105679 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2011105679 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2011105679 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2011105679 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2011105679 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
3 WO2011105679 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 학술진흥재단 연세대학교 산학협력단 BK21 (국고) TMS정보기술사업