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그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014044069
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 광검출기는, 기상 탄소 공급원을 이용한 그래핀 증착을 통해 제작한 시트 형상의 그래핀 박막; 및 상기 그래핀 박막 위에 형성되며 상기 그래핀 박막의 전극 영역을 정의하도록 패터닝되어 있고 매트릭스 물질 없이 나노 입자로 이루어진 나노 입자층을 포함한다. 이러한 광검출기는 그래핀 박막을 채널 및 전극으로 사용하고 나노 입자를 광기전력 물질(자외선에 의한 광기전력으로 전자-정공쌍을 형성)로 사용하는 수평형 구조이며 매우 간단한 구조이므로 저비용으로 제조할 수 있어 생산성이 높을 뿐만 아니라, 그래핀 박막을 포함함에 따라 저전력화할 수 있다.
Int. CL H01L 31/08 (2006.01.01) B82B 1/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020090078054 (2009.08.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1154347-0000 (2012.06.01)
공개번호/일자 10-2011-0020443 (2011.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 정재훈 대한민국 서울특별시 광진구
3 손동익 대한민국 서울특별시 마포구
4 이정민 대한민국 서울특별시 성북구
5 양희연 대한민국 서울특별시 서초구
6 박원일 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0515552-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.02.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0015474-94
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0129250-52
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0315380-06
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0701883-05
7 [명세서등 보정] 보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0059867-24
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견] 의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0059840-03
9 등록결정서
Decision to grant
2012.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0261716-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기상 탄소 공급원을 이용한 그래핀 증착을 통해 제작한 시트 형상의 그래핀 박막; 및상기 그래핀 박막 위에 형성되며 상기 그래핀 박막의 전극 영역을 정의하도록 패터닝되어 있고 매트릭스 물질 없이 나노 입자로 이루어진 나노 입자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기
2 2
제1항에 있어서, 상기 나노 입자는 ZnO, CuO, BaCO3, Bi2O3, B2O3, CaCO3, CeO2, Cr2O3, Fe2O3, Ga2O3, In2O3, Li2CO3, LiCoO2, MgO, MnCO3, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, PbO, Sb2O3, SnO2, SrCO3, Ta2O5, TiO2, BaTiO3, V2O5, WO3, ZrO2, GaN, AlxGa1-xN, SiC 및 ZnS 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광검출기
3 3
기상 탄소 공급원을 이용한 그래핀 증착을 통해 시트 형상의 그래핀 박막을 제작하는 단계; 및상기 그래핀 박막 위에 상기 그래핀 박막의 전극 영역을 정의하도록 패터닝되어 있고 매트릭스 물질 없이 나노 입자로 이루어진 나노 입자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 나노 입자층을 형성하는 단계는,나노 입자가 분산되어 있는 용액을 준비하는 단계;상기 그래핀 박막 위에 상기 나노 입자가 분산되어 있는 용액을 스핀 코팅한 후 건조시켜 매트릭스 물질 없이 나노 입자로 이루어진 나노 입자층을 형성하는 단계; 및상기 그래핀 박막의 전극 영역을 정의하도록 상기 나노 입자층을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기 제조 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 나노 입자층을 형성하는 단계는,나노 입자가 분산되어 있는 용액을 준비하는 단계;상기 그래핀 박막 위에 상기 그래핀 박막의 전극 영역을 가리는 마스크를 형성하는 단계;상기 마스크가 형성된 그래핀 박막 위에 상기 나노 입자가 분산되어 있는 용액을 스핀 코팅한 후 건조시켜 매트릭스 물질 없이 나노 입자로 이루어진 나노 입자층을 형성하는 단계; 및상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기 제조 방법
6 6
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 나노 입자가 분산되어 있는 용액을 준비하는 단계는,DMF(N,N-Dimethylformamide)에 금속 아세테이트 디하이드레이트(acetate dihydrate)를 용해시켜 혼합 용액을 형성하는 단계; 및상기 혼합 용액을 가열한 후, 가열 온도를 단계적으로 낮추어 나노 입자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 나노 입자는 ZnO, CuO, BaCO3, Bi2O3, B2O3, CaCO3, CeO2, Cr2O3, Fe2O3, Ga2O3, In2O3, Li2CO3, LiCoO2, MgO, MnCO3, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, PbO, Sb2O3, SnO2, SrCO3, Ta2O5, TiO2, BaTiO3, V2O5, WO3 및 ZrO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광검출기 제조 방법
8 8
제3항에 있어서, 상기 그래핀 박막을 제작하는 단계는,그래파이트화 금속막이 형성된 기판을 챔버 내에 장입하는 단계;상기 챔버 내에서 상기 그래파이트화 금속막 및 기판 중 적어도 어느 하나에 전류를 흘려 그 때의 전열 효과에 의해 상기 그래파이트화 금속막을 가열하는 단계;상기 그래파이트화 금속막이 가열되는 상태에서 상기 챔버 내에 기상 탄소 공급원을 공급하여 상기 그래파이트화 금속막 안에 탄소 성분을 고용시키는 단계; 상기 전류의 양을 조절하여 상기 그래파이트화 금속막을 제어된 속도로 냉각시킴으로써 상기 그래파이트화 금속막 안에 고용시킨 탄소 성분으로부터 상기 그래파이트화 금속막 표면에 그래핀을 석출시키는 단계; 및산처리에 의해 상기 그래파이트화 금속막을 제거함으로써, 석출된 그래핀을 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 기상 탄소 공급원은 CH4 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출기 제조 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 그래핀을 석출시키는 동안 상기 그래파이트화 금속막의 냉각 속도는 초당 1 ~ 50℃인 것을 특징으로 하는 광검출기 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08598568 US 미국 FAMILY
2 US20120161106 US 미국 FAMILY
3 WO2011025216 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2011025216 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012161106 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8598568 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2011025216 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2011025216 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 과학기술부(한국과학재단) 기초과학연구사업(우수연구리더육성) 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구