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고분자 박막 안에 포함된 나노입자가 전하 포획영역으로 작용하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014047386
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자 박막 안에 포함된 나노입자가 전하 포획영역으로 작용하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자는 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성되는 제1전극, 제1전극 상에 형성되고 나노입자가 포함된 고분자 박막, 및 나노입자가 포함된 고분자 박막 상에 형성된 제2전극을 포함한다. 여기서, 나노입자의 가전자대에서 가장 높은 에너지준위(Ev)와 고분자에서 전자가 채워져 있는 가장 높은 에너지준위(EHOMO)의 차이가 나노입자의 전도대에서 가장 낮은 에너지준위(Ec)와 고분자에서 전자가 비어 있는 가장 낮은 에너지준위(ELUMO)의 차이보다 작고, 제1전극의 페르미준위(EF1)가 제2전극의 페르미준위(EF2)보다 작으며, 고분자의 ELUMO와 제2전극의 페르미준위(EF2)의 차이가 제1전극의 페르미준위(EF1)와 고분자의 EHOMO의 차이보다 큰 것이 특징이다. 본 발명에 따르면, 구동전압이 낮아서 소비전력이 작고 낮은 읽기 전압에서도 기억상태에 따른 전류의 차이를 백 배까지 낼 수 있는 소자의 제조가 가능하다. 그리고 소자 재현성이 높으며, 소자구조가 저항 형태를 가지는 매우 간단한 구조이기 때문에 공정비용이 절감된다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 51/0032(2013.01) H01L 51/0032(2013.01)
출원번호/일자 1020070039743 (2007.04.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0904898-0000 (2009.06.19)
공개번호/일자 10-2008-0095376 (2008.10.29) 문서열기
공고번호/일자 (20090629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.24)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 푸샨리 중국 서울시 성동구
3 정재훈 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임승섭 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호(특허법인임앤정)
2 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0308901-02
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0150794-77
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0353922-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0480577-72
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0791338-36
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0109458-24
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.04.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0017316-18
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0248312-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되는 제1전극; 상기 제1전극 상에 형성되고 나노입자가 포함된 고분자 박막; 및 상기 나노입자가 포함된 고분자 박막 상에 형성된 제2전극;을 포함하고, 온/오프(on/off) 전류 비율을 크게 하고, 구동전압을 작게 하기 위해, 상기 나노입자의 가전자대에서 가장 높은 에너지준위(Ev)와 상기 고분자에서 전자가 채워져 있는 가장 높은 에너지준위(EHOMO)의 차이가 상기 나노입자의 전도대에서 가장 낮은 에너지준위(Ec)와 상기 고분자에서 전자가 비어 있는 가장 낮은 에너지준위(ELUMO)의 차이보다 작고, 상기 제1전극의 페르미준위(EF1)가 상기 제2전극의 페르미준위(EF2)보다 작으며, 상기 고분자의 ELUMO와 상기 제2전극의 페르미준위(EF2)의 차이가 상기 제1전극의 페르미준위(EF1)와 상기 고분자의 EHOMO의 차이보다 큰 것을 특징으로 하는, 고분자 박막 안에 포함된 나노입자가 전자 포획영역으로 작용하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 고분자는 PVK(poly-N-vinylcarbazole) 또는 MEH-PPV(poly(2-methhoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-pheneylenevinylene)) 중 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 나노입자는 CdSe인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노입자는 중심이 CdSe이고 표면이 ZnS로 된 코어(core)-쉘(shell) 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1전극은 ITO(indium-tin-oxide)인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
6 6
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 마그네슘-은(MgAg) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
7 7
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 제2전극은 서로 교차되어 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
8 8
(a) 반도체 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계; (b) 상기 제1전극 상에 나노입자가 포함된 고분자 박막을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 나노입자가 포함된 고분자 박막 상에 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 온/오프(on/off) 전류 비율을 크게 하고, 구동전압을 작게 하기 위해, 상기 나노입자의 가전자대에서 가장 높은 에너지준위(Ev)와 상기 고분자에서 전자가 채워져 있는 가장 높은 에너지준위(EHOMO)의 차이가 상기 나노입자의 전도대에서 가장 낮은 에너지준위(Ec)와 상기 고분자에서 전자가 비어 있는 가장 낮은 에너지준위(ELUMO)의 차이보다 작고, 상기 제1전극의 페르미준위(EF1)가 상기 제2전극의 페르미준위(EF2)보다 작으며, 상기 고분자의 ELUMO와 상기 제2전극의 페르미준위(EF2)의 차이가 상기 제1전극의 페르미준위(EF1)와 상기 고분자의 EHOMO의 차이보다 큰 것을 특징으로 하는, 고분자 박막 안에 포함된 나노입자가 전자 포획영역으로 작용하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 (b) 단계는, (d) 용매에 상기 나노입자와 상기 고분자를 혼합하여 혼합용액을 형성하는 단계; (e) 상기 제1전극 상에 상기 혼합용액을 스핀코팅하는 단계; 및 (f) 상기 스핀코팅된 혼합용액으로부터 용매를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
10 10
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 고분자는 PVK 또는 MEH-PPV 중 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
11 11
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 나노입자는 CdSe인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
12 12
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 나노입자는 중심이 CdSe이고 표면이 ZnS로 된 코어-쉘 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
13 13
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제1전극은 ITO인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
14 14
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제2전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 마그네슘-은(MgAg) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
15 15
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 제2전극은 서로 교차되게 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
16 16
제9항에 있어서, 상기 용매는 1,2-dicloroethane(C2H4Cl2), 톨루엔, 아세톤, 클로로포름, 에틸렌글리콜 및 크실렌 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.