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비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140949
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자는 기판과, 기판 상에 형성된 하부 전극과, 하부 전극 상에 형성되고 플러렌(fullerene) 및 탄소나노튜브(carbon nanotube) 중 적어도 어느 하나로 이루어진 하부 전하주입층을 구비한다. 그리고 하부 전하주입층 상에 형성되고 나노입자가 포함된 절연성 고분자 박막과, 절연성 고분자 박막 상에 형성되고 플러렌(fullerene) 및 탄소나노튜브(carbon nanotube) 중 적어도 어느 하나로 이루어진 상부 전하주입층과, 상부 전하주입층 상에 형성된 상부 전극을 구비한다. 본 발명에 따르면, 전극과 절연성 고분자 물질 사이에 전하 전송 능력이 우수한 전하주입층을 삽입하여, on 상태의 소자의 전도도를 향상시켜 종래의 절연성 고분자 물질만을 사용하였을 때와 비교하여 훨씬 큰 전류가 흐르게 된다. 이를 통해 소자의 on/off 전류 비율이 크게 증가되어 각각의 기억상태가 보다 명확하게 되고, 소자의 저항이 작아짐에 따라 소자의 동작 속도가 향상된다. 비휘발성, 쌍안정성, 나노입자, 플러렌
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC G11C 13/0014(2013.01) G11C 13/0014(2013.01) G11C 13/0014(2013.01) G11C 13/0014(2013.01) G11C 13/0014(2013.01) G11C 13/0014(2013.01) G11C 13/0014(2013.01) G11C 13/0014(2013.01) G11C 13/0014(2013.01) G11C 13/0014(2013.01) G11C 13/0014(2013.01)
출원번호/일자 1020070125742 (2007.12.05)
출원인 한양대학교 산학협력단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자 10-0909365-0000 (2009.07.20)
공개번호/일자 10-2009-0058932 (2009.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20090724) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.05)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 푸샨 리 중국 서울시 성동구
3 정재훈 대한민국 서울 광진구
4 김영호 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0876756-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0051226-28
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0656280-09
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0673154-08
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0183269-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되고, 플러렌(fullerene) 및 탄소나노튜브(carbon nanotube) 중 적어도 어느 하나로 이루어진 하부 전하주입층; 상기 하부 전하주입층 상에 형성되고, 나노입자가 포함된 절연성 고분자 박막; 상기 절연성 고분자 박막 상에 형성되고, 플러렌 및 탄소나노튜브 중 적어도 어느 하나로 이루어진 상부 전하주입층; 및 상기 상부 전하주입층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 플러렌은 C60 및 고차의 플러렌(C70, C76, C78, C82, C90, C94, C96) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽(single-wall) 탄소나노튜브, 다중벽(multi-wall) 탄소나노튜브 및 탄소나노튜브 묶음(bundle) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 전하주입층과 상기 상부 전하주입층은 동일한 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연성 고분자는 PVK(poly-N-vinylcarbazole), PVP(poly-4-vinyl-phenol), PS(poly styrene), PI(polyimide), PFV(poly(fluorenyl-2,7-vinylene)), PEH-PPV(poly(2-methhoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-pheneylenevinylene)) 및 PFV의 PPV 코폴리머(poly(FV-co-PV)) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노입자는 Au, Ag, Pd, Pt, ZnO, Cu2O, SnO2, Al2O3, Ni1-xFexO, MgO, Zn1-xCuxO, HfO2, Ga2O3, BaO, Ta2O5, TiO2, ZrO2, ZrSixOy, HfSixOy, SrTiO3, Zn1-xCdxO, Zn1-xMnxO, Zn1-xCoxO, Sb2O3, Zn1-xMgxO3 및 Zn1-xSxO 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
7 7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극은 Al, Au, Cu, Pt, Ag, W 및 ITO(indium tin oxide) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
8 8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 절연성 무기물 기판 또는 절연성 유기물 기판인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 절연성 무기물 기판은 Si, GaAs, InP, Al2O3, SiC, 유리(glass) 및 석영(quartz) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
10 10
제8항에 있어서, 상기 절연성 유기물 기판은 PET(poly ethylene terephthalate), PS(poly styrene), PI(polyimide), PVC(poly vinyl chloride), PVP(poly vinyl pyrrolidone) 및 PE(poly Ethylene) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자
11 11
기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에, 플러렌 및 탄소나노튜브 중 적어도 어느 하나로 이루어진 하부 전하주입층을 형성하는 단계; 상기 하부 전하주입층 상에 나노입자가 포함된 절연성 고분자 박막을 형성하는 단계; 상기 절연성 고분자 박막 상에, 플러렌 및 탄소나노튜브 중 적어도 어느 하나로 이루어진 상부 전하주입층을 형성하는 단계; 및 상기 상부 전하주입층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 플러렌은 C60 및 고차의 플러렌(C70, C76, C78, C82, C90, C94, C96) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽(single-wall) 탄소나노튜브, 다중벽(multi-wall) 탄소나노튜브 및 탄소나노튜브 묶음(bundle) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
14 14
제11항에 있어서, 상기 하부 전하주입층을 형성하는 단계 및 상기 상부 전하주입층을 형성하는 단계는, 플러렌 및 탄소나노튜브 중 적어도 어느 하나를 용매에 용해시켜 용액을 제조하는 단계; 상기 용액을 스핀코팅하는 단계; 및 상기 스핀코팅된 용액으로부터 상기 용매를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 용매는 1,2-dicloroethane(C2H4Cl2), 톨루엔, 아세톤, 클로로포름, 에틸렌글리콜, 이소프로페놀 및 크실렌 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
16 16
제11항에 있어서, 상기 나노입자가 포함된 절연성 고분자 박막을 형성하는 단계는, 상기 하부 전하주입층 상에 금속 박막을 형성하는 단계; 열처리시 상기 절연성 고분자로 변하는 선구 고분자 물질을 용매에 용해시켜 제조된 선구 고분자 용액을 준비하는 단계; 상기 금속 박막 상에 상기 선구 고분자 용액을 스핀코팅하는 단계; 상기 스핀코팅된 선구 고분자 용액으로부터 상기 용매를 제거하여 상기 선구 고분자 물질로 이루어진 박막을 형성하는 단계; 및 상기 금속 박막과 상기 선구 고분자 물질로 이루어진 박막을 열처리하여 상기 금속 또는 상기 금속의 산화물 나노입자가 포함된 상기 절연성 고분자 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 제조방법
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1 한국과학재단 과학기술부, 한국과학재단 국가지정연구실 사업 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구