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무소결 다층 회로 기판용 열전도성 비아 페이스트 및 이를 이용한 방열 비아 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014044724
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 무소결 다층 회로 기판용 열전도성 비아 페이스트 및 이를 이용한 방열 비아 형성 방법이 개시되어 있다. 무소결 다층 회로 기판용 방열 비아 형성 방법은 a) 경성(rigid) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판 상에 잉크젯 공정을 이용하여 제 1 유전 층을 형성하는 단계; c) 상기 제 1 유전 층에 제 1 비아 홀을 형성하는 단계; d) 상기 비아 홀에 제 1 열 전도성 비아 페이스트를 충진 및 저온 열 경화하여 제 1 방열 비아를 형성하는 단계; e) 상기 제 1 방열 비아가 형성된 기판 상에 전도성 잉크를 사용하는 잉크젯 공정으로 회로 배선을 형성하는 단계; f) 상기 회로 도선이 형성된 기판 상에 제 2 유전 층을 형성하는 단계; g) 상기 제 2 유전 층에 제 2 비아 홀을 형성하고 상기 제 1 열 전도성 비아 페이스트를 충진 및 저온 열 경화하여 제 2 방열 비아를 형성하는 단계; h) 상기 제 2 방열 비아가 형성된 상기 기판의 상부에 보호 층 필름을 부착하는 단계; i) 상기 보호 층 필름에 레이저 드릴링 공정으로 제 3 비아 홀을 형성하는 단계; 및 j) 상기 제 3 비아 홀에 제 2 열전도성 비아 페이스트를 충진하여 제 3 방열 비아를 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H05K 3/40 (2006.01) H05K 3/46 (2006.01)
CPC H05K 3/429(2013.01) H05K 3/429(2013.01) H05K 3/429(2013.01) H05K 3/429(2013.01) H05K 3/429(2013.01) H05K 3/429(2013.01)
출원번호/일자 1020110052315 (2011.05.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1205440-0000 (2012.11.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성대 대한민국 서울특별시 송파구
2 유명재 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 심재만 대한민국 대구광역시 달서구 호산로 ** ,(주)공성 *층 (파호동)(특허법인 스마트(대구분사무소))
3 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0410009-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0031061-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0231430-24
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0490276-05
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0490318-24
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0490214-85
8 등록결정서
Decision to grant
2012.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0698451-57
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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a) 경성(rigid) 기판을 준비하는 단계;b) 상기 기판 상에 잉크젯 공정을 이용하여 제 1 유전 층을 형성하는 단계; c) 상기 제 1 유전 층에 레이저 드릴링을 이용하여 제 1 비아 홀을 형성하는 단계;d) 상기 비아 홀에 제 1 열 전도성 비아 페이스트를 충진 및 저온 열 경화하여 제 1 방열 비아를 형성하는 단계;e) 상기 제 1 방열 비아가 형성된 기판 상에 전도성 잉크를 사용하는 잉크젯 공정으로 회로 배선을 형성하는 단계;f) 상기 회로 배선이 형성된 기판 상에 제 2 유전 층을 형성하는 단계;g) 상기 제 2 유전 층에 레이저 드릴링을 이용하여 제 2 비아 홀을 형성하고 상기 제 1 열 전도성 비아 페이스트를 충진 및 저온 열 경화하여 제 2 방열 비아를 형성하는 단계;h) 상기 제 2 방열 비아가 형성된 상기 기판의 상부에 도금가능한 보호 층 필름을 부착하는 단계;i) 상기 보호 층 필름에 레이저 드릴링 공정으로 제 3 비아 홀을 형성하는 단계; 및j) 상기 제 3 비아 홀에 제 2 열전도성 비아 페이스트를 충진하여 제 3 방열 비아를 형성하는 단계를 포함하는 무소결 다층 회로 기판용 방열 비아 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 방법은k) 상기 기판 및 상기 제 1 유전 층 사이에 위치하도록, 상기 단계 b)를 수행하기 이전에, 상기 기판 상에 전극 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무소결 다층 회로 기판용 방열 비아 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 유전 층 및 제 2 유전 층은 상이한 유전율을 갖는 것을 특징으로 하는 무소결 다층 회로 기판용 방열 비아 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 유전 층 및 상기 제 2 유전 층 각각은, 세라믹 분말을 용매에 분산하여 제조한 잉크를 잉크젯 장치를 이용하여 상기 기판 상에 도포한 후, 건조하여 고 충진된 세라믹 분말 층을 형성한 다음, 열경화성 수지 용액 잉크를 젯팅(jetting)하여 함침시키고, 이를 200~300도의 저온에서 열경화함으로써, 형성되는 것을 특징으로 하는 무소결 다층 회로 기판용 방열 비아 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 유전 층 및 상기 제 2 유전 층 각각의 두께는 상기 잉크 젯 공정의 반복 횟 수에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 무소결 다층 회로 기판용 방열 비아 형성 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 열전도성 비아 페이스트는저 융점 금속 및 은 분말을 혼합한 필러를 포함하며,상기 저 융점 금속은 Sn 또는 In을 포함하며, 상기 저 융점 금속과 상기 은 분말의 중량비는 20/80~40/60이며, 상기 필러와 수지의 중량비는 80/20~95/5인 것을 특징으로 하는 무소결 다층 회로 기판용 방열 비아 형성 방법
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삭제
8 8
삭제
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 (총괄주관) 한국세라믹기술원 (세부주관) 전자부품연구원 소재원천기술개발사업 (총괄) 나노 분산 및 무소결 저온공정에 의한 3-D Integration Ceramic 기술 (세부) 다층접속 나노소재 및 고집적 공정기술 개발