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폴리실리콘 결정화 기술

  • 기술번호 : KST2014046650
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판; 및 상기 기판상에 결정화된 2개의 층을 포함하는 아몰퍼스 실리콘 층(amorphous silicon layer)에 관한 것으로써, 본 발명은 기존의 RTA 공정 대비 결정화 온도를 감소시킬 수 있으며, 기존의 VIC 공정과 비교시 금속 오염을 감소시킬 수 있는 고유의 결정화 공정을 개발하였다. 이와 같은 기술은 폴리실리콘 TFT의 누설전류를 감소시킬 수 있기 때문에 AMOLED 제품의 상업화에 있어서 중요한 요소가 될 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01)
출원번호/일자 1020100055511 (2010.06.11)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1090144-0000 (2011.11.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.11)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안병태 대한민국 대전광역시 유성구
2 양용호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0376988-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0066119-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0518210-50
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0892925-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0892927-03
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0687372-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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(i) 기판 및 상기 기판상에 결정화된 2개의 층으로 구성되고; (ii) 상기 결정화된 2개의 층 중 어느 하나의 층은 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 납(Pd) 및 코발트(Co)로 이루어진 군으로 부터 선택된 어느 하나인 금속원소를 이용하여 결정화된 층이고, 다른 하나의 층은 실리사이드상(silicide phase)에 의해 결정화된 층이고; (iii) 상기 금속원소를 이용하여 결정화된 층이 상기 실리사이드상에 의해 결정화된 층보다 금속농도가 높은 것; 을 특징으로 하는 아몰퍼스 실리콘 층(amorphous silicon layer)
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.