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플렉서블 압전 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 플렉서블 압전 소자

  • 기술번호 : KST2014046964
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플렉서블 압전 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 플렉서블 압전 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 플렉서블 압전 소자 제조방법은 희생기판 상에 압전소자층을 적층하는 단계; 상기 희생기판 상의 압전소자층을 고온처리 하는 단계; 상기 압전소자층을 패터닝하여, 압전소자를 형성하는 단계; 상기 희생기판을 식각하여, 상기 압전소자를 상기 희생 기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 압전소자에 전사층을 접촉시킨 후, 이를 플렉서블 기판에 전사하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 플렉서블 압전 소자 제조방법은 플렉서블 기판상에 압전 소자 뿐만 아니라, 압전 소자에 의하여 발생한 전류를 안정적으로 정류할 수 있는 커패시터를 모두 구현한, 플렉서블 압전 소자를 가능하게 한다. 또한, 복수의 단위 압전 소자와 커패시터를 동일 플렉서블 기판에 전기적으로 상호 연결시키므로, 대면적 압전소자 구현이 가능하며, 본 발명에 따른 플렉서블 압전소자는 플렉서블한 기판의 휘는 특성에 따라 전기를 발생시킬 수 있다 또한, 상기 발생한 전기를 동일 소자 영역에 구비된 커패시터로 정류시킬 수 있으므로, 그 효과가 우수한다.
Int. CL H01L 41/02 (2006.01)
CPC H01L 41/0815(2013.01) H01L 41/0815(2013.01) H01L 41/0815(2013.01) H01L 41/0815(2013.01) H01L 41/0815(2013.01) H01L 41/0815(2013.01)
출원번호/일자 1020090095404 (2009.10.08)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1048423-0000 (2011.07.05)
공개번호/일자 10-2011-0038210 (2011.04.14) 문서열기
공고번호/일자 (20110711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.08)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이건재 대한민국 대전광역시 유성구
2 강석중 대한민국 대전광역시 유성구
3 장재명 대한민국 대전광역시 유성구
4 박귀일 대한민국 경상북도 구미시
5 이상용 대한민국 광주광역시 광산구
6 김승준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김강욱 대한민국 전북 전주시 덕진구 틀못*길**, 은빛빌딩 ***호(장동)(특허법인다해(전라도분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0615522-93
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0008056-60
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0067827-53
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0160805-17
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0160807-19
6 등록결정서
Decision to grant
2011.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0355282-03
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
희생기판 상에 압전소자층을 적층하는 단계; 상기 희생기판 상의 압전소자층을 고온처리 하는 단계; 상기 압전소자층을 패터닝하여, 압전소자를 형성하는 단계; 상기 희생기판을 식각하여, 상기 압전소자를 상기 희생 기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 압전소자에 전사층을 접촉시킨 후, 이를 플렉서블 기판에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 압전소자는 주변부의 희생기판이 노출된 압전소자 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전소자 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 희생기판은 (1,1,1)의 결정구조를 갖는 단결정 실리콘 기판이며, 상기 식각은 (1, 1, 0) 방향으로의 비등방 식각인 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전소자 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 전사층은 PDMS를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전소자 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 압전소자층은 BTO, PZT, PLZT, Bi4Ti3O12 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전소자 제조방법
6 6
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 플렉서블 압전소자
7 7
희생기판 상에 커패시터층을 적층하는 단계; 상기 희생기판 상의 커패시터층을 고온처리 하는 단계; 상기 커패시터 층을 패터닝하여, 커패시터를 형성하는 단계; 상기 희생기판을 식각하여, 상기 희생 기판으로부터 상기 커패시터를 분리하는 단계; 및 상기 커패시터에 전사층을 접촉시킨 후, 이를 플렉서블 기판에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 커패시터 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 커패시터는 주변부의 희생기판이 노출된 커패시터층 영역인 것을 특징으로 하는 플렉서블 커패시터 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 희생기판은 (1,1,1)의 결정구조를 갖는 단결정 실리콘 기판이며, 상기 식각은 (1, 1, 0) 방향으로의 비등방 식각인 것을 특징으로 하는 플렉서블 커패시터 제조방법
10 10
제 7항에 있어서, 상기 전사층은 PDMS를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 커패시터 제조방법
11 11
제 7항에 있어서, 상기 커패시터층은 지르코니아, Al2O3, Y2O3, La2O3, HfO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 커패시터 제조방법
12 12
제 7항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 플렉서블 커패시터
13 13
별도의 제 1 희생기판 및 제 2 희생기판에서 각각 제조된 압전소자 및 커패시터를 제조하는 단계; 상기 압전소자 및 커패시터를 상기 제 1 및 제 2 희생기판으로부터 분리하는 단계; 및 전사층을 상기 압전소자 및 커패시터에 접촉시킨 후, 이를 플렉서블 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전소자 제조방법
14 14
제 13항에 있어서, 플렉서블 기판상의 상기 압전소자 및 커패시터를 전기적으로 연결시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전소자 제조방법
15 15
제 14항에 있어서, 상기 압전소자 및 커패시터의 전기적 연결은 상기 플렉서블 기판 상에 적층된 금속층을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전소자 제조방법
16 16
제 1 희생 기판상에 제조된 후, 하부 제 1 희생기판이 식각됨으로써 상기 제 1 희생 기판과 분리된 압전소자를 제 1 플렉서블 기판에 접촉시킨 후, 이를 떼어냄으로써 압전소자를 제 1 플렉서블 기판에 전사시키는 단계; 제 2 희생 기판상에 제조된 후, 하부 제 2 희생기판이 식각됨으로써 상기 제 2 희생 기판과 분리된 커패시터를 제 1 플렉서블 기판에 접촉시킨 후, 떼어냄으로써 커패시터를 상기 제 1 플렉서블 기판에 전사시키는 단계; 및 상기 제 1 플렉서블 기판에 대항하며, 상기 압전 소자 및 커패시터 소자 타 측에 제 2 플렉서블 기판을 상기 압전소자 및 커패시터에 접착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전소자 제조방법
17 17
제 16항에 있어서, 상기 압전소자 및 커패시터는 제 1 또는 제 2 플렉서블 기판 상에 적층되며 상기 압전소자 및 커패시터와 동시에 접촉하는 금속층에 의하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전소자 제조방법
18 18
제 16항에 있어서, 상기 압전 소자 및 커패시터는 소정 크기를 가지며, 일정 간격으로 이격된 복수 개의 단위 소자로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전 소자 제조방법
19 19
제 16항에 있어서, 상기 압전소자는 BTO, PZT, PLZT, Bi4Ti3O12 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전 소자 제조방법
20 20
제 16항에 있어서, 상기 제 1 희생기판 및 제 2 희생 기판은 (1,1,1)의 결정구조를 갖는 단결정 실리콘 기판이며, 상기 식각은 (1,1,0) 방향으로의 비등방 식각인 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전 소자 제조방법
21 21
제 16항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 플렉서블 기판은 PDMS 인 것을 특징으로 하는 플렉서블 압전 소자 제조방법
22 22
제 16항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 플렉서블 압전 소자
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1 한국연구재단 한국과학기술원 기초과학연구사업 바이오-IT 융합 기술을 위한 인쇄가능한 반도체 재료