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플렉서블 이차전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플렉서블 이차전지
- 기술번호 : KST2014046965
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 플렉서블 이차전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플렉서블 이차전지가 제공된다. 본 발명에 따른 플렉서블 이차전지 제조방법은 희생 기판상에 전극물질을 포함하는 이차전지 소자를 적층하는 단계; 상기 소자를 고온 처리하여 상기 전극물질을 결정화하는 단계; 상기 이차전지 소자 하부의 희생기판을 식각하여, 상기 이차전지 소자를 상기 희생기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 분리된 이차전지 소자를 전사층을 이용하여 플렉서블 기판으로 전사시키는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 플렉서블 이차전지 제조방법은 실리콘 기판과 같은 딱딱한 희생기판 상에 이차전지를 제조한 후, 이를 고온처리함으로써 이차전지의 특성을 향상시킬 수 있고, 또한 플렉서블 기판에 따른 공정상의 제약을 피할 수 있다. 더 나아가, 대면적인 경우, 이차전지의 복수 지점으로부터 동시에 비등방 식각을 진행한 후, 하부 희생기판을 제거하는 방식에 의하여 대면적 플렉서블 이차전지의 구현이 가능하다. |
|---|---|
| Int. CL | H01M 4/04 (2006.01) H01M 10/38 (2006.01) |
| CPC | H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090095406 (2009.10.08) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1042241-0000 (2011.06.10) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0038212 (2011.04.14) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20110617) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.10.08) |
| 심사청구항수 | 23 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이건재 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 박귀일 | 대한민국 | 경상북도 구미시 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김강욱 | 대한민국 | 전북 전주시 덕진구 틀못*길**, 은빛빌딩 ***호(장동)(특허법인다해(전라도분사무소)) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0615527-10 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.12.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.01.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0004058-56 |
| 4 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0295802-59 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 희생 기판상에 전극물질을 포함하는 이차전지 소자를 적층하는 단계; 상기 소자를 고온 처리하여 상기 전극물질을 결정화하는 단계; 상기 이차전지 소자 하부의 희생기판을 식각하여, 상기 이차전지 소자를 상기 희생기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 분리된 이차전지 소자를 전사층을 이용하여 플렉서블 기판으로 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 고온 처리는 700 내지 900℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 희생 기판은 (1,1,1) 결정 구조의 단결정 실리콘 기판이며, 상기 소자 하부의 희생기판 식각은 (1,1,0)방향으로의 비등방 식각인 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 이차전지 소자는 캐소드층, 전해질층 및 애노드층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 5 |
5 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 플렉서블 이차전지 |
| 6 |
6 플렉서블 이차전지 제조방법에 있어서, 상기 방법은 희생 기판상에 캐소드층, 전해질층 및 애노드층을 순차적으로 적층하여 소자층을 형성하는 단계; 상기 적층된 소자층을 식각하여, 소정 간격으로 이격되며, 하부의 희생 기판이 노출된 복수 개의 단위 트렌치로 이루어진 트렌치 열을 복수 개 형성시키는 단계; 상기 복수 개의 트렌치 구조 하부의 희생 기판을 동시에 비등방 식각하여 상기 이차전지 소자층을 희생 기판으로부터 분리하는 단계; 및 전사층을 상기 분리된 소자층에 접촉, 부착시킨 후, 플렉서블 기판에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 7 |
7 제 6항에 있어서, 상기 트렌치 구조는 상기 단위 트렌치의 길이 방향이 상기 비등방 식각 방향에 수직하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 8 |
8 제 6항에 있어서, 상기 복수 열의 트렌치는 상기 트렌치 길이 방향에서 1nm 내지 10μm 길이 범위만큼 중첩되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 9 |
9 제 6항에 있어서, 상기 트렌치 길이(b)는 10nm 내지 1cm인 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 10 |
10 제 6항에 있어서, 상기 트렌치 폭(d)은 1nm 내지 50 μm, 트렌치 간 간격은 1 내지 500μm인 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 11 |
11 제 6항에 있어서, 상기 희생 기판은 (1,1,1) 결정 구조의 단결정 실리콘 기판이며, 상기 비등방 식각은 (1,1,0)방향으로 진행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 12 |
12 제 6항에 있어서, 상기 전사층은 PDMS를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 13 |
13 제 6항에 있어서, 상기 캐소드층, 전해질층 및 애노드층은 LiCoO2층, LiPON층 및 Al층인 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 14 |
14 제 6항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 플렉서블 이차전지 |
| 15 |
15 플렉서블 기판; 상기 플렉서블 기판 상에 적층된 이차전지를 포함하며, 상기 이차전지는 희생 기판에서 제조된 후, 이차전지 하부의 상기 희생 기판을 복수 지점으로부터 동시에 비등방식각함으로써 상기 희생기판으로부터 분리된 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 |
| 16 |
16 제 15항에 있어서, 상기 이차전지는 희생기판에서 분리된 후 상기 플렉서블 기판에 전사된 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 |
| 17 |
17 제 15항에 있어서, 상기 비등방 식각의 시작 지점은 소정 간격으로 이격된 트렌치인 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 |
| 18 |
18 제 17항에 있어서, 상기 트렌치는 상기 트렌치의 길이 방향은 상기 비등방식각 방향에 수직하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 |
| 19 |
19 제 1 플렉서블 기판상에 패터닝된 제 1 금속층을 형성하는 단계; 제 1 희생 기판상에 제조된 후, 하부 제 1 희생기판이 비등방 식각됨으로써 상기 제 1 희생 기판과 분리된 BTO 소자를 상기 제 1 금속층의 일 영역 및 제 1 플렉서블 기판에 동시에 접촉시킨 후, 떼어냄으로써 압전 소자를 제 1 플렉서블 기판에 전사시키는 단계; 제 2 희생 기판상에 제조된 후, 하부 제 2 희생기판이 비등방 식각됨으로써 상기 제 2 희생 기판과 분리된 이차전지를 상기 제 1 금속층의 타 영역 및 제 1 플렉서블 기판에 동시에 접촉시킨 후, 떼어냄으로써 이차전지를 제 1 플렉서블 기판에 전사시키는 단계; 및 상기 제 1 플렉서블 기판에 대향하며, 상기 압전 소자 및 이차전지의 타 측을 전기적으로 연결하는 제 2 금속층이 증착된 제 2 플렉서블 기판을 상기 압전 소자 및 이차전지 타 측에 부착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 20 |
20 제 19항에 있어서, 상기 압전소자와 제 1 희생 기판의 분리는, 제 1 희생 기판상에 압전소자층을 적층하는 단계; 상기 적층된 압전소자층을 식각하여, 소정 간격으로 이격되며, 하부의 제 1 희생 기판이 노출된 복수 개의 단위 트렌치로 이루어진 트렌치 열을 복수 개 형성시키는 단계; 및 상기 복수 개의 트렌치 구조 하부의 제 1 희생 기판을 동시에 비등방 식각함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 21 |
21 제 19항에 있어서, 상기 이차전지와 제 2 희생 기판의 분리는 제 2 희생 기판상에 이차전지 소자층을 적층하는 단계; 상기 적층된 이차전지 소자층을 식각하여, 소정 간격으로 이격되며, 하부의 제 2 희생 기판이 노출된 복수 개의 단위 트렌치로 이루어진 트렌치 열을 복수 개 형성시키는 단계; 및 상기 복수 개의 트렌치 구조 하부의 제 2 희생 기판을 동시에 비등방 식각함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 22 |
22 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 상기 트렌치 구조는 상기 단위 트렌치의 길이 방향은 상기 비등방 식각 방향에 수직하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 23 |
23 제 20항 또는 제 21항에 있어서 상기 복수 열의 트렌치는 상기 트렌치 길이 방향에서 1nm 내지 10μm 길이 범위만큼 중첩되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 이차전지 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1042241-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20091008 출원 번호 : 1020090095406 공고 연월일 : 20110617 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110531 청구범위의 항수 : 23 유별 : H01M 10/38 발명의 명칭 : 플렉서블 이차전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플렉서블 이차전지 존속기간(예정)만료일 : 20150611 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 471,000 원 | 2011년 06월 10일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 546,000 원 | 2014년 05월 21일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.10.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0615527-10 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.12.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.01.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0004058-56 |
| 4 | 등록결정서 | 2011.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0295802-59 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술번호 | KST2014046965 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국과학기술원 |
| 기술명 | 플렉서블 이차전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플렉서블 이차전지 |
| 기술개요 |
플렉서블 이차전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플렉서블 이차전지가 제공된다. 본 발명에 따른 플렉서블 이차전지 제조방법은 희생 기판상에 전극물질을 포함하는 이차전지 소자를 적층하는 단계; 상기 소자를 고온 처리하여 상기 전극물질을 결정화하는 단계; 상기 이차전지 소자 하부의 희생기판을 식각하여, 상기 이차전지 소자를 상기 희생기판으로부터 분리하는 단계; 및 상기 분리된 이차전지 소자를 전사층을 이용하여 플렉서블 기판으로 전사시키는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 플렉서블 이차전지 제조방법은 실리콘 기판과 같은 딱딱한 희생기판 상에 이차전지를 제조한 후, 이를 고온처리함으로써 이차전지의 특성을 향상시킬 수 있고, 또한 플렉서블 기판에 따른 공정상의 제약을 피할 수 있다. 더 나아가, 대면적인 경우, 이차전지의 복수 지점으로부터 동시에 비등방 식각을 진행한 후, 하부 희생기판을 제거하는 방식에 의하여 대면적 플렉서블 이차전지의 구현이 가능하다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 연료전지 기술 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345145475 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0088402 |
| 연구과제명 | 마이크로스트럭쳐 반도체(μs-Sc)기술을 활용한 플렉서블 고감도 바이오 센서 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200909~201208 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | BT(생명공학기술) |
| 과제고유번호 | 1345156443 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0068063 |
| 연구과제명 | 바이오-IT 융합 기술을 위한 인쇄가능한 반도체 재료 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200905~201204 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345158424 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0009903 |
| 연구과제명 | 플렉시블 디스플레이 신모드 개발 및 특성 향상 기술 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200709~201602 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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