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구동 주파수를 가지고 주기적인 RF 펄스를 제공하는 RF 전원;상기 RF 전원에 연결된 제1 전극; 및기판을 장착하고 상기 제1 전극과 대향하여 이격되어 배치된 제2 전극을 포함하되,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 플라즈마가 형성되고,상기 제1 전극은 홀들을 포함하는 할로우 케소드 영역을 포함하고,상기 할로우 케소드 영역은 복수의 서브 할로우 케소드 영역들로 분리되고,상기 서브 할로우 케소드 영역들은 서로 다른 홀의 형태를 가지고,상기 RF 전원의 펄스의 듀티비(duty ratio)에 따라, 상기 서브 할로우 케소드 영역들의 플라즈마 밀도 분포의 제어가 가능하고,상기 구동 주파수는 400 kHz 내지 100 MHz 이고,상기 서브 할로우 케소드 영역들은 서로 다른 홀의 형태에 기인하여 동일한 상기 RF 전원에 대하여 서로 다른 플라즈마 밀도를 제공하고, 상기 RF 전원의 듀티비는 상기 플라즈마 밀도를 변경하는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 할로우 케소드 영역에서 홀들의 직경은 플라즈마 쉬스가 가장 짧아지는 시각의 플라즈마 쉬스의 길이보다 큰 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 RF 전원의 펄스는 켜지는 시간(On time)과 꺼지는 시간(Off time)을 포함하고, 상기 켜지는 시간은 할로우 케소드 효과 발생에 필요한 최소 시간보다 크고,상기 할로우 케소드 효과는 상기 홀들의 내부에서 전자가 다단계의 이온화하는 것을 제공하는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 할로우 케소드 영역의 상기 제1 전극과 결합하여 가스 분배 공간을 제공하는 가스 분배부를 더 포함하고,상기 홀들은 상기 제1 전극을 관통하고,상기 가스 분배부에 제공된 공정 가스는 상기 홀들을 통하여 상기 제2 전극에 제공되는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생장치
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제 1 항에 있어서,상기 할로우 케소드 영역의 상기 홀들은 할로우 케소드 방전을 유발하는 제1 홀과 상기 제1 홀과 연결되고 공정 가스를 공급하는 제2 홀을 포함하고,상기 제2 홀의 지름은 상기 제1 홀의 지름보다 작은 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제1 전극과 결합하여 가스 분배 공간을 제공하는 가스 분배부를 더 포함하고,상기 할로우 케소드 영역의 상기 홀들은 상기 제1 전극의 표면에만 배치되고,상기 제1 전극을 관통하는 가스 공급 홀들을 더 포함하고,상기 가스 공급 홀들은 할로우 케소드 방전을 유발하지 않고,상기 가스 분배부에 제공된 공정 가스는 상기 가스 공급 홀들을 통하여 상기 제2 전극에 제공되는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생장치
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홀들을 가지는 할로우 케소드 영역을 포함하는 제1 전극 및 기판을 장착하고 상기 제1 전극과 대향하여 이격되어 배치된 제2 전극을 제공하는 단계;상기 제1 전극에 RF 전원을 펄스 형태로 인가하여 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 플라즈마를 형성하는 단계; 및상기 RF 전원의 펄스의 듀티비(Duty Ratio)를 조절하여 공정 균일도를 확보하는 단계를 포함하고,상기 할로우 케소드 영역은 복수의 서브 할로우 케소드 영역들로 분리되고,상기 서브 할로우 케소드 영역들은 서로 다른 홀의 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 방법
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제 7 항에 있어서,상기 제1 전극과 대향하여 이격되어 배치된 제2 전극을 제공하는 단계는:예비 제1 전극을 이용하여 기판을 처리하여 공간 균일도 맵을 작성하는 단계;상기 공간 균일도 맵의 균일도에 따라 예비 할로우 케소드 영역들을 선택하는 단계; 및상기 예비 할로우 케소드 영역들에 따라 다른 형태의 홀을 가진 할로우케소드 영역들을 제1 전극에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 방법
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제 7 항에 있어서,상기 제1 전극과 대향하여 이격되어 배치된 제2 전극을 제공하는 단계는:균일한 밀도와 형태의 홀을 포함하는 예비 제1 전극을 이용하여 플라즈마 밀도, 전계 또는 공정 결과의 공간 균일도 맵을 작성하는 단계;상기 공간 균일도 맵의 균일도에 따라 예비 할로우 케소드 영역들을 선택하는 단계; 및상기 예비 할로우 케소드 영역들에 따라 다른 형태의 홀을 가진 할로우케소드 영역들을 제1 전극에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생 방법
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