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InP 기판을 이용한 소자 제조 방법

기술번호 : KST2021011052
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 InP 기판을 준비하는 단계; 상기 InP 기판 상에 SiO2층을 형성하는 단계; 상기 SiO2층 상에 Cr층을 형성하는 단계; 상기 Cr층 상에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴을 마스크로 이용하여 상기 Cr층을 식각하여 Cr패턴을 형성하는 단계; 상기 Cr패턴을 마스크로 이용하여 상기 SiO2층을 식각하여 SiO2패턴을 형성하는 단계; 및 상기 SiO2패턴을 마스크로 이용하여 상기 InP 기판을 식각하여 비아홀을 형성하는 단계;를 포함하는 InP 기판을 이용한 소자 제조 방법을 제공한다.
Int. CL	H01L 21/308 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 29/20 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC	H01L 21/3086(2013.01) H01L 21/3081(2013.01) H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/28575(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 29/20(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자	1020200148527 (2020.11.09)
출원인	한국과학기술원
등록번호/일자	10-2300920-0000 (2021.09.06)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20210913) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2020.11.09)
심사청구항수	10

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	주소
1	이종원	대전광역시 유성구
2	김영수	대전광역시 유성구
3	임성규	대전광역시 유성구
4	노길선	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김남식	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2	김한	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3	이인행	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2020.11.09	수리 (Accepted)	1-1-2020-1194589-14
2	[우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서	2021.06.17	수리 (Accepted)	1-1-2021-0700344-38
3	[우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search	2021.06.18	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	[우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search	2021.06.23	수리 (Accepted)	9-1-2021-0009178-33
5	등록결정서 Decision to grant	2021.08.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0690951-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 InP 기판을 준비하는 단계;상기 InP 기판 상에 SiO2층을 형성하는 단계;상기 SiO2층 상에 Cr층을 형성하는 단계;상기 Cr층 상에 포토레지스트패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트패턴을 마스크로 이용하여 상기 Cr층을 식각하여 Cr패턴을 형성하는 단계;상기 Cr패턴을 마스크로 이용하여 상기 SiO2층을 식각하여 SiO2패턴을 형성하는 단계; 및상기 SiO2패턴을 마스크로 이용하여 상기 InP 기판을 식각하여 비아홀을 형성하는 단계;를 포함하는,InP 기판을 이용한 소자 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 SiO2층을 식각하는 단계 동안 상기 포토레지스트패턴과 상기 SiO2층이 서로 반응하는 현상을 방지하기 위하여, 상기 Cr패턴을 형성하는 단계;와 상기 SiO2층을 식각하여 SiO2패턴을 형성하는 단계; 사이에 상기 포토레지스트패턴을 제거하는 단계;를 더 포함하는,InP 기판을 이용한 소자 제조 방법
3	3 제 2 항에 있어서,상기 SiO2층을 식각하여 SiO2패턴을 형성하는 단계;는 상기 SiO2층을 건식 식각하여, 측면과 바닥면 사이의 각도가 45도 이상인 SiO2패턴을 형성하는 단계를 포함하는,InP 기판을 이용한 소자 제조 방법
4	4 제 3 항에 있어서,상기 InP 기판을 식각하여 비아홀을 형성하는 단계;는 상기 InP 기판을 건식 식각하여, 하방으로 단면적이 작아지는 비아홀을 형성하되, 상기 비아홀의 측면과 수평면 사이의 예각이 80도 이상인 것을 특징으로 하는,InP 기판을 이용한 소자 제조 방법
5	5 제 2 항에 있어서,상기 SiO2층을 식각하여 SiO2패턴을 형성하는 단계;는 상기 SiO2층을 건식 식각과 습식 식각을 순차적으로 수행하여, 측면과 바닥면 사이의 각도가 1 내지 45도인 SiO2패턴을 형성하는 단계를 포함하는,InP 기판을 이용한 소자 제조 방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 SiO2패턴의 측면과 바닥면 사이의 각도는 상기 건식 식각과 상기 습식 식각의 상대적인 식각 비율에 의하여 조절되는 것을 특징으로 하는,InP 기판을 이용한 소자 제조 방법
7	7 제 6 항에 있어서,상기 InP 기판을 식각하여 비아홀을 형성하는 단계;는 상기 InP 기판을 건식 식각하여, 하방으로 단면적이 작아지는 비아홀을 형성하되, 상기 비아홀의 측면과 수평면 사이의 예각이 50 내지 80도인 것을 특징으로 하는,InP 기판을 이용한 소자 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 SiO2층의 습식 식각 대비 건식 식각의 상대적인 식각 비율이 높을수록 상기 비아홀의 측면과 수평면 사이의 예각이 더 커지는 것을 특징으로 하는,InP 기판을 이용한 소자 제조 방법
9	9 제 1 항에 있어서,상기 비아홀을 도전성 물질로 충전하는 단계;를 더 포함하는,InP 기판을 이용한 소자 제조 방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 충전하는 단계;는 스퍼터링 공정을 이용하여 충전하는 단계를 포함하는,InP 기판을 이용한 소자 제조 방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부, 방사청	한국전자통신연구원	민군기술협력	초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-2300920-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20201109 출원 번호 : 1020200148527 공고 연월일 : 20210913 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20210831 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 21/308 발명의 명칭 : InP 기판을 이용한 소자 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	217,500 원	2021년 09월 07일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2020.11.09	수리 (Accepted)	1-1-2020-1194589-14
2	[우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서	2021.06.17	수리 (Accepted)	1-1-2021-0700344-38
3	[우선심사신청]선행기술조사의뢰서	2021.06.18	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	[우선심사신청]선행기술조사보고서	2021.06.23	수리 (Accepted)	9-1-2021-0009178-33
5	등록결정서	2021.08.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0690951-09

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