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실리콘 기판 위에 다공성 나노 템플레이트를 형성하여 상기 다공성 나노 템플레이트에 형성되는 기공 하부에서 실리콘 입자를 석출하는 단계와; 상기 기공 내에 상기 실리콘 기판과 수직으로 실리콘 나노 와이어를 에피택셜 성장시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
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청구항 1 에 있어서, 상기 실리콘 입자를 석출하는 단계는, 양극 산화를 통해 다공성 나노 템플레이트를 형성하는 단계와; 상기 실리콘 기판 위에서 실리사이드가 형성되어 상기 다공성 나노 템플레이트에 형성되는 기공의 하부로 확산하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
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청구항 2 에 있어서, 상기 다공성 나노 템플레이트를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 기판 위에 금속 박막을 증착하는 단계와; 상기 금속 박막 위에 알루미늄 박막을 성장시키는 단계와; 양극 산화를 수행하여 상기 알루미늄 박막에 기공을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
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청구항 2 에 있어서, 상기 실리콘 입자를 석출하는 단계는, 상기 실리사이드가 상기 기공의 하부로 확산하는 단계에 이어 상기 기공의 하부에 실리사이드가 형성되며 실리사이드의 말단에 실리콘 입자가 석출되는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
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청구항 3 에 있어서, 상기 실리콘 기판 위에 증착되는 금속 박막은 Ti, Ta, Nb, Hf, Zr 중 어느 하나 또는 이들 중 어느 하나의 합금인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
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청구항 1 에 있어서, 상기 실리콘 나노 와이어를 에피택셜 성장시키는 단계는, 상기 실리콘 입자의 자연 산화막을 제거하는 단계와; 상기 실리콘 입자를 씨드로 하여 선택적 에피택셜 성장(Selective Epitaxial Growth) 방법을 통해 실리콘 나노 와이어를 성장시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
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청구항 6 에 있어서, 상기 자연 산화막을 제거하는 단계는, 600℃ 내지 900℃에서 30초 내지 2분간 인-시튜(in-situ) 하이드로겐 베이크(hydrogen bake)를 실시하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
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청구항 6 에 있어서, 상기 나노 와이어를 성장시키는 단계는, 600℃ 내지 900℃에서 인-시튜(in-situ)로 DCS, TCS, Silane, HCL 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반응 가스를 50 내지 200 sccm의 속도로 흘려 선택적 에피택셜 성장(Selective Epitaxial Growth) 방법으로 실리콘 단결정을 성장시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 나노 와이어 제조 방법은, 실리콘 나노 와이어를 에피택셜 성장시키는 단계에 이어 다공성 나노 템플레이트를 식각하여 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
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청구항 9 에 있어서, 상기 다공성 나노 템플레이트를 식각하여 제거하는 단계에서 식각 방법은 습식 식각인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법
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실리콘 기판 위에 다공성 나노 템플레이트를 형성하여 상기 다공성 나노 템플레이트에 형성되는 기공 하부에서 실리콘 입자를 석출하는 단계와; 상기 기공 내에 상기 실리콘 기판과 수직으로 실리콘 나노 와이어를 에피택셜 성장시켜 나노 와이어를 형성하는 단계와; 상기 다공성 나노 템플레이트를 제거하고 소스 영역, 게이트 영역, 드레인 영역을 형성하는 채널 형성 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 채널 형성 단계는, 다공성 나노 템플레이트를 습식 식각하여 제거하는 단계와; 게이트 산화막을 형성하는 단계와; 제 1 층간 절연막, 게이트 전극, 제 2 층간 절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 채널 형성 단계는, 다공성 나노 템플레이트를 습식 식각하여 제거하는 단계와; 게이트 산화막을 형성하는 단계와; 제 1 층간 절연막, 제 1 스페이서 절연막, 게이트 전극, 제 2 스페이서 절연막, 제 2 층간 절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 실리콘 입자를 석출하는 단계는, 상기 실리콘 기판 위에 금속 박막을 증착하는 단계와; 상기 금속 박막 위에 알루미늄 박막을 성장시키는 단계와; 양극 산화를 통해 상기 알루미늄 박막에 기공을 형성시키는 단계와; 상기 실리콘 기판 위에서 형성된 실리사이드가 상기 기공의 하부로 확산하는 단계와; 상기 기공의 하부에 실리사이드가 형성되며 실리사이드의 말단에 실리콘 입자가 석출되는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 15 에 있어서, 상기 실리콘 기판 위에 증착되는 금속 박막은 Ti, Ta, Nb, Hf, Zr 중 어느 하나 또는 이들 중 어느 하나의 합금인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 12 에 있어서, 상기 나노 와이어를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 입자의 자연 산화막을 제거하는 단계와; 상기 실리콘 입자를 씨드로 하여 선택적 에피택셜 성장(Selective Epitaxial Growth) 방법을 통해 실리콘 나노 와이어를 성장시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 17 에 있어서, 상기 자연 산화막을 제거하는 단계는, 600℃ 내지 900℃에서 30초 내지 2분간 인-시튜(in-situ) 하이드로겐 베이크(hydrogen bake)를 실시하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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청구항 17 에 있어서, 상기 나노 와이어를 성장시키는 단계는, 600℃ 내지 900℃에서 인-시튜(in-situ)로 DCS, TCS, Silane, HCL 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반응 가스를 50 내지 200 sccm의 속도로 흘려 선택적 에피택셜 성장(Selective Epitaxial Growth) 방법으로 실리콘 단결정을 성장시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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