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알칼리 금속 염, 실리콘(Si) 화합물, 및 희토류 금속 염을 포함하는 수용액을 고분자 물질에 함침시켜 전구체를 수득하고,상기 전구체를 400 내지 1000℃의 온도까지 예열된 로(furnace)의 안으로 넣어 1차 소성한 후에, 냉각 후 또는 연속으로 1000 내지 1300℃의 온도에서 환원 분위기 하에서 30 분 내지 5 시간 동안 2차 소성함으로써 알칼리 금속을 포함하는 SiO계 형광체 분말을 수득하는 것:을 포함하는, SiO계(실리케이트계) 산화물 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 알칼리 금속은 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +1가의 알칼리 금속을 포함하는 것인, SiO계 산화물 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 알칼리 금속 염 및 희토류 금속 염은, 알칼리 금속 및 희토류 금속 각각의 염화물, 질산염, 황산염, 탄산염 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, SiO계 산화물 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 물질은 셀룰로오스, 비결정질 셀룰로오스, 펄프, 레이온 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, SiO계 산화물 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 환원 분위기 하에서 2차 소성은 N2/H2 = (90 내지 95)/(10 내지 5) 또는 Ar/H2 = (90 내지 95)/(10 내지 5)의 환원 분위기에서 수행하는 것인, SiO계 산화물 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 SiO계 형광체 분말의 입자 사이즈가 50 nm 내지 2000 nm 인, SiO계 산화물 형광체 분말의 제조 방법
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제 1 항의 제조 방법에 의하여 제조되며, 하기 일반식 1로 표시되는 것인, SiO계 산화물 형광체 분말:[일반식 1]A2w(CbD1-b)x(DcSi1-c)yDdOz:Lf, 상기 일반식 1 중상기 A는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +1가의 알칼리 금속을 포함하고,상기 C는 붕소(B), 알루미늄(Al), 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 세륨(Ce) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +3가의 금속을 포함하고,상기 D는 형광체의 모체 또는 공부활제로서 역할을 하는, 인(P), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 비소(As) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +3, +4 또는 +5가의 금속을 포함하고,상기 L은 부활제로서 유로퓸(Eu), 망간(Mn), 세륨(Ce), 디스프로슘(Dy), 사마륨(Sm) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하고,상기 w는 0 초과 내지 4이고,상기 b는 0 내지 1이고, 상기 x는 0 내지 5이고,상기 c는 0 내지 1 미만이고, 상기 y는 0 초과 내지 6이고,상기 d는 0 내지 3이고, 상기 z는 2 초과 내지 54이며,상기 f는 0
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제 7 항에 있어서, 상기 SiO계 산화물 형광체 분말의 입자 사이즈가 50 nm 내지 2000 nm 인, SiO계 산화물 형광체 분말
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제 7 항 또는 제 9 항에 따른 SiO계 산화물 형광체의 분말을 형광체로서 포함하는, 디스플레이
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제 10 항에 있어서,상기 디스플레이는 브라운관, 발광 다이오드(light emitting diode, LED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display, FED) 중 어느 하나인 디스플레이
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제 7 항 또는 제 9 항에 따른 SiO계 산화물 형광체의 분말을 형광체로서 포함하는 램프
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