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기판의 일면에서 기판의 중심을 향해 홀의 크기가 작아지다가 다시 상기 기판의 타면을 향해 홀의 크기가 커지는 형상을 갖는 관통홀을 포함한 것을 특징으로 하는, 관통홀을 포함한 기판
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제 1 항에 있어서,상기 홀의 형상은, 원형 또는 다각형인 것을 특징으로 하는, 관통홀을 포함한 기판
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제 1 항에 있어서,상기 홀의 크기 변화 구간에서, 홀의 크기가 변하지 않는 일정 구간을 포함할 수 있는 것을 특징으로 하는, 관통홀을 포함한 기판
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제 1 항에 있어서,상기 관통홀은,상기 관통홀에서 홀의 크기가 가장 작은 부분이 기판의 중심부이고, 상기 기판의 중심부로부터 상기 기판의 일면 및 타면을 향해 대칭적으로 홀의 크기가 커지는 관통홀인 것을 특징으로 하는,관통홀을 포함한 기판
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기판의 일면에서 기판의 중심을 향해 홀의 크기가 작아지도록 제 1 홀을 형성하는 단계; 및상기 기판을 타면에서 기판의 중심을 향해 홀의 크기가 작아지도록 제 2 홀을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제 1 홀과 상기 제 2 홀이 기판의 내부에서 서로 연결되어 관통홀을 이루는 것을 특징으로 하는,관통홀을 포함한 기판을 형성하는 방법
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제 5 항에 있어서,상기 홀의 형상은, 원형 또는 다각형인 것을 특징으로 하는, 관통홀을 포함한 기판을 형성하는 방법
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제 5 항에 있어서,상기 홀의 크기 변화 구간에서, 홀의 크기가 변하지 않는 일정 구간을 포함할 수 있는 것을 특징으로 하는, 관통홀을 포함한 기판을 형성하는 방법
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제 5 항에 있어서,상기 관통홀은,상기 관통홀에서 홀의 크기가 가장 작은 부분이 기판의 중심부이고, 상기 기판의 중심부로부터 상기 기판의 일면 및 타면을 향해 대칭적으로 상기 제 1 홀 및 상기 제 2 홀의 크기가 커지는 것을 특징으로 하는,관통홀을 포함한 기판을 형성하는 방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 한에 따른 기판을 준비하는 단계;상기 관통홀에 씨드층을 증착시키는 단계; 및상기 기판의 양쪽에 전극을 연결한 후 전압을 인가하여 상기 관통홀을 전극 물질로 충진시키는 단계를 포함하고,상기 관통홀을 전극 물질로 충진시키는 단계는, 펄스 전압을 먼저 인가하는 단계; 및 상기 펄스 전압 인가 이후 직류 전압을 인가하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는,관통홀을 포함한 기판의 관통홀을 전극 물질로 충진시키는 방법
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제 9 항에 있어서,상기 씨드층의 증착은, 스퍼터링(Sputtering), 원자층증착법(ALD), 무전해(electroless) 도금법 또는 PVD에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는,관통홀을 포함한 기판의 관통홀을 전극 물질로 충진시키는 방법
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제 9 항에 있어서,상기 관통홀을 전극 물질로 충진시키는 단계에서,상기 펄스 전압을 인가하는 단계는, 상기 관통홀의 홀의 크기가 작은 부분이 전극 물질로 채워져 막힐 때까지 이루어지고,상기 직류 전압을 인가하는 단계는, 상기 관통홀 전체가 충진될때까지 이용되는 것을 특징으로 하는,관통홀을 포함한 기판의 관통홀을 전극 물질로 충진시키는 방법
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