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나노 구조 산란막과 이의 제조법 및 그 산란막을 탑재한 염료감응형 태양전지

  • 기술번호 : KST2014050348
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 구조 산란막 구조물은 나노 입자들을 포함하는 광 흡수층 및 상기 광 흡수층 상에 형성되고 나노 입자들을 포함하며, 불규칙하게 배열된 복수의 중공(hollow)을 구비하는 쿼사이 인버스 오팔(quasi-inverse opal) 구조를 갖는 광 산란층을 포함한다. 상기 나노 구조 산란막 구조물을 구비한 염료감응형 태양전지는 전하 발생 특성 및 광산란 특성이 우수하다.
Int. CL H01G 9/20 (2006.01.01)
CPC H01G 9/209(2013.01) H01G 9/209(2013.01)
출원번호/일자 1020110017947 (2011.02.28)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1218394-0000 (2012.12.27)
공개번호/일자 10-2012-0098173 (2012.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20130121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상욱 대한민국 서울특별시 영등포구
2 한세훈 대한민국 서울특별시 은평구
3 정현석 대한민국 서울특별시 송파구
4 홍국선 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0145889-34
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0172734-00
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005509-59
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0218120-25
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0469703-17
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0562459-75
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0646946-46
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0737236-50
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0737237-06
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0581827-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
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번호 청구항
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카르복실기가 부착된 고분자 입자의 표면에 제1 나노 입자들을 코팅하는 단계; 기판 상에 제2 나노 입자들을 포함하는 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 제1 나노 입자들이 코팅된 상기 고분자 입자를 상기 광 흡수층 상에 도포 또는 스크린 프린팅하여 상기 광 흡수층 상에 예비 광 산란층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 및 상기 예비 광 산란층을 열처리하여, 상기 제1 나노 입자들을 결정화시키고 상기 고분자 입자를 연소시켜, 복수의 중공(hollow)을 구비하는 쿼사이 인버스 오팔(quasi-inverse opal) 구조를 갖는 광 산란층을 형성하는 단계를 포함하는 나노 구조 산란막 구조물의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 제1 나노 입자들 및 상기 제2 나노 입자들은 각기 티타늄 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조 산란막 구조물의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 제1 나노 입자들을 코팅하는 단계 이전에, 2-단계 졸-겔법(sol-gel method)을 이용하여 상기 제1 나노 입자들을 합성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조 산란막 구조물의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 고분자 입자는 폴리스티렌(PS) 또는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조 산란막 구조물의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 400도 내지 500도의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 구조 산란막 구조물의 제조 방법
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1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 기술료사업 기초원천기술의 산업화 탐색연구