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펄스 레이저 증착을 이용한 나노 구조체의 형성 방법 및 나노 구조체를 포함하는 전극

  • 기술번호 : KST2014037243
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 펄스 레이저 증착을 이용하여 저온에서 수득 가능한 나노 구조체의 형성 방법이 제공된다. 반응 챔버에 기판을 제공한 후, 기판을 300℃ 이하로 가열한다. 금속 산화물 타겟에 레이저빔을 조사하여 타겟과 동일한 조성을 갖는 나노 구조체를 기판 상에 형성한다. 펄스 레이저 증착을 이용하여 이산화티타늄 나노 구조체, 불순물이 도핑된 이산화티타늄 나노 구조체, 또는 산화아연 나노 구조체를 형성할 수 있다. 나노 구조체는 수십 나노미터 직경으로 수 내지 수십 마이크로미터 두께로 균일하게 형성될 수 있으므로, 염료 감응형 태양 전지, 유기 태양 전지 또는 물 분해 전지 등의 다양한 전극들로 사용할 수 있다.
Int. CL H01G 9/20 (2006.01.01) H01B 1/08 (2006.01.01) H01L 51/44 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01)
CPC H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01)
출원번호/일자 1020100060774 (2010.06.25)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0000422 (2012.01.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.25)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노준홍 대한민국 서울특별시 구
2 조진무 대한민국 서울특별시 동작구
3 한현수 대한민국 서울특별시 관악구
4 박종훈 대한민국 서울특별시 강남구
5 한병서 대한민국 서울특별시 강남구
6 홍국선 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0411675-54
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0060447-11
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0508678-32
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2012-0001555-56
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0171519-03
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0407556-59
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0505076-11
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0715047-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응 챔버에 기판을 제공하는 단계;기판을 가열하지 않거나 300℃ 이하로 가열하는 단계; 및금속 산화물 타겟에 레이저빔을 조사하여 상기 타겟과 동일한 조성을 갖는 나노 구조체를 상기 기판 상에 형성하는 단계를 포함하는 펄스 레이저 증착을 이용한 나노 구조체의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 나노 구조체는, 0℃ 내지 300℃의 온도에서 500분 이하의 시간 동안 상기 레이저빔의 발생 반복 주기를 1㎐ 내지 10㎐로 유지하고, 상기 반응 챔버 내의 분위기 가스의 분압을 0
3 3
제1항에 있어서, 상기 나노 구조체는, 0℃ 내지 200℃의 온도에서 1분 내지 300분 동안 상기 레이저빔의 발생 반복 주기를 3㎐ 내지 8㎐로 유지하고, 상기 반응 챔버 내의 분위기 가스의 분압을 0
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 반응 챔버 내의 분위기 가스는 산소, 질소, 아르곤, 수소, 질소와 수소 혼합가스, 또는 아르곤과 수소 혼합가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 펄스 레이저 증착을 이용한 나노 구조체의 형성 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 타겟은 이산화티타늄 (TiO2), 산화아연 (ZnO), 이산화주석 (SnO2), 산화니오븀 (Nb2O5), 또는 아연주석산화물 (Zn2SnO4)을 포함하는 것을 특징으로 하는 펄스 레이저 증착을 이용한 나노 구조체의 형성 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 타겟들은 불순물으로 B, Al, Ga, In, Sb, V, Nb, Ta으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 펄스 레이저 증착을 이용한 나노 구조체의 형성 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 나노 구조체를 형성하는 단계는, 0℃ 내지 200℃의 온도에서 1분 내지 300분 동안 상기 레이저빔의 발생 반복 주기를 3㎐ 내지8㎐로 유지하고, 상기 반응 챔버 내의 분위기 가스의 분압을 0
8 8
제1항에 있어서, 상기 나노 구조체를 형성하는 단계는, 0℃ 내지 200℃의 온도에서 1분 내지 200분의 반응 시간 동안 상기 레이저빔의 발생 반복 주기를 3㎐ 내지 8㎐로 유지하고, 상기 반응 챔버 내의 분위기 가스 분압을 0
9 9
제1항에 있어서, 상기 기판은 플렉시블한 전도성 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 펄스 레이저 증착을 이용한 나노 구조체의 형성 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 나노 구조체를 열처리하는 단계를 더 포함하는 펄스 레이저 증착을 이용한 나노 구조체의 형성 방법
11 11
투명 전극;상기 투명 전극 상에 배치되며, 0℃ 내지 300℃의 온도에서 500분 이하의 시간 동안 상기 레이저빔의 발생 반복 주기를 1㎐ 내지 10㎐로 유지하고, 상기 반응 챔버 내의 분위기 가스의 분압을 0
12 12
제11항에 있어서, 상기 나노 구조체는 이산화티타늄, 산화아연, 이산화주석, 산화니오븀, 아연주석산화물, 불순물이 도핑된 이산화티타늄 또는 산화아연을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지
13 13
제11항에 있어서, 상기 투명 전극은 플렉시블한 전도성 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료 감응형 태양 전지
14 14
양극;상기 양극 상에 배치되며, 0℃ 내지 300℃의 온도에서 온도에서 500분 이하의 시간 동안 상기 레이저빔의 발생 반복 주기를 1㎐ 내지 10㎐로 유지하고, 상기 반응 챔버 내의 분위기 가스의 분압을 0
15 15
제14항에 있어서, 상기 나노 구조체는 이산화티타늄, 산화아연, 이산화주석, 산화니오븀, 아연주석산화물, 불순물이 도핑된 이산화티타늄 또는 산화아연을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
16 16
제14항에 있어서, 상기 투명 전극은 플렉시블한 전도성 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
17 17
전극;상기 전극 상에 배치되며, 0℃ 내지 300℃의 온도에서 500분 이하의 시간 동안 상기 레이저빔의 발생 반복 주기를 1㎐ 내지 10㎐로 유지하고, 상기 반응 챔버 내의 분위기 가스의 분압을 0
18 18
제17항에 있어서, 상기 나노 구조체는 이산화티타늄, 산화아연, 이산화주석, 산화니오븀, 아연주석산화물, 불순물이 도핑된 이산화티타늄 또는 산화아연을 포함하는 것을 특징으로 하는 물 분해 전지
19 19
제17항에 있어서, 상기 투명 전극은 플렉시블한 전도성 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 물 분해 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.