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광전극 및 이의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015134912
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광전극은 전극 및 상기 전극 상에 형성되고 표면에 음이온이 흡착된 산화물 반도체 입자를 포함한다. 흡착된 음이온은 산화물 반도체 입자 내의 전자가 반도체와 전해질 계면을 통하여 손실되는 것을 방지한다. 따라서 광전극의 효율을 향상시킬 수 있다. 산 처리, 반도체, 광전극, 태양전지
Int. CL H01G 9/20 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자 1020080107926 (2008.10.31)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1026418-0000 (2011.03.25)
공개번호/일자 10-2010-0048664 (2010.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20110407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상욱 대한민국 서울특별시 양천구
2 정현석 대한민국 서울특별시 강남구
3 조인선 대한민국 경상북도 김천시
4 임동균 대한민국 부산광역시 사하구
5 조진무 대한민국 서울특별시 동작구
6 안재설 대한민국 서울특별시 관악구
7 김동욱 대한민국 경기도 성남시 수정구
8 김동회 대한민국 경기도 성남시 수정구
9 홍국선 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0759364-73
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0126013-87
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0841820-49
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0004470-19
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0224127-61
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0484805-93
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0514554-76
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0514546-11
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0596345-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극; 및 상기 전극 상에 형성되고 표면에 음이온이 흡착된 산화물 반도체 입자를 포함하는 산화물 반도체막을 포함하는 광전극(photoelectrode)
2 2
제1항에 있어서, 상기 음이온은 BO33-, PO43-, NO2-, NO3-, SO32-, SO42-, S2O32- 이온인 것을 특징으로 하는 광전극
3 3
제1항에 있어서, 상기 산화물 반도체 입자 표면에는 광감응 물질이 더 흡착된 것을 특징으로 하는 광전극
4 4
제1항에 있어서, 상기 반도체 입자에는 양이온(proton) 또한 흡착된 것을 특징으로 하는 광전극
5 5
전극 상에 산화물 반도체 입자를 포함하는 반도체 산화막을 도포하는 단계; 및 상기 산화물 반도체 입자 표면에 음이온 및 양이온을 흡착시키는 단계를 포함하는 광전극 형성 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 음이온 및 양이온을 흡착시키는 단계는 상기 반도체 산화막이 도포된 전극을 산 처리하는 것을 특징으로 하는 광전극 형성 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 산 처리하는 산은 붕산(H3BO3), 인산(H3PO4), 아질산(HNO2), 질산(HNO3), 아황산(H2SO3), 황산(H2SO4), 싸이오황산(H2S2O3) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광전극 형성 방법
8 8
산화물 반도체 입자를 포함하는 광전극을 형성하는 방법에 있어서, 상기 산화물 반도체 입자 표면에 음이온을 흡착하기 위해 광감응 물질을 흡착하기 이전에 붕산(H3BO3), 인산(H3PO4), 아질산(HNO2), 질산(HNO3), 아황산(H2SO3), 황산(H2SO4), 싸이오황산(H2S2O3) 중 어느 하나에 상기 광전극을 담지하는 단계를 포함하는 광전극 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.