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투명 전도막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 투명 전도막

  • 기술번호 : KST2014050449
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 전기적, 광학적 특성이 우수한 투명 전도막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 투명 전도막이 개시된다.일 예로, 기판을 구비하는 단계와, 상기 기판의 상부에 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계와, 상기 기판의 상부에 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계를 포함하는 투명 전도막의 제조 방법이 개시된다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 51/44 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01)
CPC H01L 31/022483(2013.01) H01L 31/022483(2013.01) H01L 31/022483(2013.01)
출원번호/일자 1020100132702 (2010.12.22)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0071100 (2012.07.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.22)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강동원 대한민국 서울특별시 광진구
2 한민구 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0849440-37
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-5042075-53
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0867238-32
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0091723-28
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0347604-14
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0656644-42
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0656645-98
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0644802-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 구비하는 단계;상기 기판의 상부에 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계; 및상기 기판의 상부에 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계를 포함하는 투명 전도막의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계 및 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 동시에 이루어지는 투명 전도막의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계 및 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 동시 스퍼터링법(co-sputtering)에 의하여 이루어지는 투명 전도막의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 챔버 내부에 알루미늄 도핑 산화 아연(Aluminum doped Zinc Oxide)을 타겟으로 이용하여 이루어지는 투명 전도막의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 이루어지는 투명 전도막의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 챔버 내부에 붕소 도핑 산화 아연(Boron doped Zinc Oxide)을 타겟으로 이용하여 이루어지는 투명 전도막의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 이루어지는 투명 전도막의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 RF 파워의 조절을 통해 붕소의 도핑 농도를 제어하는 투명 전도막의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 붕소 도핑 산화 아연을 증착하는 단계는 도핑된 붕소의 원자 농도를 0
10 10
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따라 제조되는 투명 전도막
11 11
산화 아연 박막을 포함하는 투명 전도막에 있어서,상기 산화 아연 박막은 알루미늄 및 붕소가 도핑되어 있는 투명 전도막
12 12
제 11 항에 있어서,상기 붕소는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 국가지정 연구실사업(NRL) High Performance and Stable Nanocrystalline Silicon Thin Film Devices and Circuits forPlastic Electronics