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투명 도전막의 제조 방법 및 이에 의한 투명 도전막

기술번호 : KST2014036929
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 전기적, 광학적 특성이 우수한 투명 도전막의 제조 방법 및 이에 의한 투명 도전막에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 기판을 구비하는 기판 구비 단계, 알루미늄이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막을 기판에 증착하는 ZnO:Al 형성 단계 및 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막에 갈륨을 도핑하는 GAZO 형성 단계를 포함하는 투명 도전막의 제조 방법을 개시한다.
Int. CL	C23C 14/08 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) H01L 21/203 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) C23C 14/35 (2006.01.01)
CPC	C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01)
출원번호/일자	1020100038990 (2010.04.27)
출원인	서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2011-0119344 (2011.11.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.04.27)
심사청구항수	14

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	서울대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 관악구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	강동원	대한민국	서울특별시 광진구
2	한민구	대한민국	서울특별시 강남구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	서만규	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2	서경민	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2010-0272389-28
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2011.03.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.04.14	수리 (Accepted)	9-1-2011-0031860-80
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.09.27	수리 (Accepted)	4-1-2011-5195109-43
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.02.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0086272-48
6	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2012.05.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0257712-03
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2013-5007213-54
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판을 구비하는 기판 구비 단계;알루미늄이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막을 상기 기판에 증착하는 ZnO:Al 형성 단계; 및 상기 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막에 갈륨을 도핑하는 GAZO 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 ZnO:Al 형성 단계와 상기 GAZO 형성 단계는 동시에 행하여지는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 ZnO:Al 형성 단계는 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO) 타겟을 이용하여 이루어지고, 상기 GAZO 형성 단계는 갈륨 옥사이드(Ga2O3) 타겟을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
4	4 제 3 항에 있어서,상기 ZnO:Al 형성 단계와 상기 GAZO 형성 단계는 마그네트론 코스퍼터링법에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
5	5 제 4 항에 있어서,상기 ZnO:Al 형성 단계는 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의하고, 상기 GAZO 형성 단계는 RF 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 RF 마그네트론 스터링법에서 RF 파워의 조절을 통해 상기 투명 도전막에 대한 갈륨의 도핑 농도를 조절하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 투명 도전막에 대한 상기 도핑된 갈륨의 원자 농도는 0
8	8 제 7 항에 있어서,상기 투명 도전막에 대한 상기 도핑된 알루미늄의 원자 농도는 3 내지 5 at
9	9 제 1 항에 있어서,상기 투명 도전막에 대한 상기 도핑된 갈륨의 원자 농도는 2
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 투명 도전막에 대한 상기 도핑된 알루미늄의 원자 농도는 3
11	11 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 하나의 항에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 투명 도전막
12	12 산화아연 박막에 알루미늄이 원자 농도 3 내지 5 at
13	13 제 12 항에 있어서,상기 투명 도전막에 대한 상기 도핑된 갈륨의 원자 농도는 2
14	14 제 12 항에 있어서,상기 투명 도전막에 대한 상기 도핑된 알루미늄의 원자 농도는 3

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	서울대학교 산학협력단	국가지정 연구실사업	High Performance and Stable Nanocrystalline Silicon Thin Film Devices and Circuits for Plastic Electronics

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.04.27	수리 (Accepted)	1-1-2010-0272389-28
2	선행기술조사의뢰서	2011.03.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2011.04.14	수리 (Accepted)	9-1-2011-0031860-80
4	출원인정보변경(경정)신고서	2011.09.27	수리 (Accepted)	4-1-2011-5195109-43
5	의견제출통지서	2012.02.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0086272-48
6	거절결정서	2012.05.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0257712-03
7	출원인정보변경(경정)신고서	2013.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2013-5007213-54
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
9	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
10	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59


기술번호	KST2014036929
자료제공기관	NTB
기술공급기관	서울대학교
기술명	투명 도전막의 제조 방법 및 이에 의한 투명 도전막
기술개요	본 발명은 전기적, 광학적 특성이 우수한 투명 도전막의 제조 방법 및 이에 의한 투명 도전막에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 기판을 구비하는 기판 구비 단계, 알루미늄이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막을 기판에 증착하는 ZnO:Al 형성 단계 및 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막에 갈륨을 도핑하는 GAZO 형성 단계를 포함하는 투명 도전막의 제조 방법을 개시한다.
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이센스
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345120817
세부과제번호	2007-0056722
연구과제명	High Performance and Stable Nanocrystalline Silicon Thin Film Devices and Circuits for Plastic Electronics
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	서울대학교 산학협력단
성과제출연도	2010
연구기간	200707~201206
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1345121789
세부과제번호	2007-2002775
연구과제명	플라즈마 화학기상증착 방법에 의한 나노 실리콘 태양전지 소재 연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	경희대학교 산학협력단
성과제출연도	2010
연구기간	200706~201305
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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