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방독마스크용 면체 소독 건조장치

  • 기술번호 : KST2014050483
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다결정 실리콘막 저항체에 있어서 저항치의 편차 감소를 촉진시키는 반도체 장치의 제공. 본 발명에 의한 반도체 장치와 그 제조방법에 있어서, 다결정 실리콘막 저항체를 제조할 때, 다결정 실리콘막 저항체에 주입하는 불순물 주입량을 새로운 방법을 이용하여 결정함으로써 구축하여, 성능이 우수한 반도체 집적회로장치를 구성한다.
Int. CL H01L 27/04 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020057816 (2002.09.24)
출원인 세이코 인스트루 가부시키가이샤
등록번호/일자 10-1200617-0000 (2012.11.06)
공개번호/일자 10-2003-0027707 (2003.04.07) 문서열기
공고번호/일자 (20121112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 일본  |   JP-P-2001-00291311   |   2001.09.25
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세이코 인스트루 가부시키가이샤 일본 일본국 치바켄 치바시 미하마구 나카세 *쵸메

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 다케이노부오 일본 일본국치바켄치바시미하마구
2 오미도시히코 일본 일본국치바켄치바시미하마구
3 우에무라게이스케 일본 일본국치바켄치바시미하마구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에이블릭 가부시키가이샤 일본국 도쿄도 미나토쿠 미타 *쵸메 *반
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2002-0310780-83
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2002.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-5235850-26
3 우선권주장증명서류제출서
Submission of Priority Certificate		 2002.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-5235851-72
4 우선권주장증명서류제출서(일본)
Submission of Priority Certificate(Japan)		 2003.10.28 수리 (Accepted) 9-1-2003-9001915-22
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2004-0049629-67
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.08.26 수리 (Accepted) 4-1-2006-5120562-15
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2007.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0631738-43
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2008-5018876-99
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0040942-43
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0443883-26
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0723968-52
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0723969-08
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0086007-73
15 심사관 의견서
Written Opinion of Examiner		 2009.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2009-0010312-58
16 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2009.06.05 수리 (Accepted) 7-8-2009-0019128-96
17 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0391709-06
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0717415-99
19 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0525131-71
20 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.12.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0052196-15
21 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2011.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0061045-26
22 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2011.03.09 수리 (Accepted) 7-8-2011-0006541-94
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5136439-12
24 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0486778-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
BF2의 주입량에 대해 시트 저항치의 최소값을 갖는, 반도체 기판 상에 퇴적된 다결정 실리콘막에 불순물을 주입함으로써 형성된 다결정 실리콘막 저항체를 갖는 반도체 장치에 있어서,상기 다결정 실리콘막 저항체는 불순물이 시트 저항치가 최소로부터 편차 10% 내가 되도록 불순물 주입량을 설정한 양으로 주입된 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
2 2
BF2의 주입량에 대해 시트 저항치의 최소값을 갖는, 반도체 기판 상에 퇴적된 다결정 실리콘막에 불순물을 주입함으로써 형성된 다결정 실리콘막 저항체를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 있어서,상기 다결정 실리콘막 저항체에 시트 저항치가 최소로부터 편차 10% 내가 되도록 불순물 주입량을 설정한 양으로 불순물을 주입하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 반도체 기판 상에 퇴적된 다결정 실리콘막에 불순물을 주입함으로써 형성된 다결정 실리콘막 저항체를 포함하며,상기 다결정 실리콘막 저항체는 특정 저항치를 얻기 위한 저항체의 길이와 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
4 4
제2항에 있어서, 반도체 기판 상에 퇴적된 다결정 실리콘막에 불순물을 주입함으로써 형성된 다결정 실리콘막 저항체를 포함하며,상기 다결정 실리콘막 저항체를 특정 저항치를 얻기 위한 저항체의 길이와 폭으로 형성하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1419279 CN 중국 FAMILY
2 JP15100879 JP 일본 FAMILY
3 TW560004 TW 대만 FAMILY
4 US06750531 US 미국 FAMILY
5 US20030057519 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1419279 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2003100879 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 SG106096 SG 싱가포르 DOCDBFAMILY
4 TW560004 TW 대만 DOCDBFAMILY
5 US2003057519 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US6750531 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.