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반도체 기판 상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법, 이를 이용한 반도체 도선 형성방법 및 이를 이용하여 인덕터 소자 제조 방법
- 기술번호 : KST2014065460
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 성장된 탄소나노튜브를 홈에 채워 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 반도체 소자를 제조하는 방법은, 기판 위에 몰드를 패터닝하는 단계; 패터닝에 의해 형성된 홈 및 몰드 전면에 탄소나노튜브를 도포하는 단계; 몰드 전면에 도포된 탄소나노튜브를 홈에 채워 넣는 단계; 및 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법인 것을 특징으로 이루어진다. 탄소나노튜브, CNT, 반도체 소자 제조방법 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/04 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/28 (2011.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020050080632 (2005.08.31) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0663076-0000 (2006.12.22) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20070102) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2005.08.31) |
| 심사청구항수 | 15 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이병철 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 이정언 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 3 | 최양규 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 4 | 윤준보 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2005.08.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0486952-70 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2006.06.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2006.07.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0047985-34 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2006.08.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0469867-24 |
| 5 | 의견서 Written Opinion |
2006.09.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0666940-34 |
| 6 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2006.09.15 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0666954-73 |
| 7 | 대리인사임신고서 Notification of resignation of agent |
2006.09.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0667156-23 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2006.12.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0768840-83 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 (a) 기판 상에 몰드를 패터닝하여 선택적으로 홈을 형성하는 단계;(b) 패터닝된 상기 홈 및 몰드 상에 탄소나노튜브를 도포하는 단계;(c) 상기 몰드 상에 도포 된 탄소나노튜브 구조체를 상기 홈에 채워 넣는 단계; 및(d) 상기 몰드를 제거하는 단계; 를 포함하되, 상기 탄소나노튜브는 소정의 용제에 분산되어 있고, 상기 (c) 단계 이후에, 상기 용제를 진공상태에서 증발시키는, 반도체 기판상에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 나노튜브 또는 다중벽 나노튜브 중의 어느 하나이거나, 단일벽 나노튜브 및 다중벽 나노튜브의 혼합물인, 반도체 기판상에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법 |
| 3 |
3 제1항에 있어서,상기 몰드는 포토레지스트, 폴리머, 금속, Si, SiO2, III-IV 화합물 반도체 또는 쿼츠 중 어느 하나인, 반도체 기판상에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법 |
| 4 |
4 제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 탄소나노튜브를 도포하는 방법은, 상기 용제에 분산된 상기 탄소나노튜브를 드로퍼를 이용해 도포하는, 반도체 기판상에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법 |
| 5 |
5 제1항에 있어서,상기 용제는 물, 아세톤, 에탄올, 메탄올, 이소프로필알코올 또는 부틸 셀로솔브 아세테이트 중 어느 하나인, 반도체 기판상에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법 |
| 6 |
6 삭제 |
| 7 |
7 제1항에 있어서,상기 (c) 단계는 닥터 블레이드, 칼날, 스퀴지, 롤러 또는 웨이퍼 절단면으로 만든 평평한 날 중 어느 하나를 이용하여 상기 몰드의 상면에 도포 된 상기 탄소나노튜브를 홈에 채워 넣는, 반도체 기판상에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법 |
| 8 |
8 제1항에 있어서,상기 (c) 단계 이후에, 상기 홈에 액체를 주입하는 단계; 와 상기 액체를 증발시키는 단계; 를 더 포함하는, 반도체 기판상에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법 |
| 9 |
9 제8항에 있어서,상기 액체는 물, 아세톤, 에탄올, 메탄올, 이소프로필알코올 또는 부틸 셀로솔브 아세테이트 중 어느 하나인, 반도체 기판상에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법 |
| 10 |
10 (a) 기판 상에 제1 몰드를 패터닝하여 홈을 형성하고, 패터닝에 의해 형성된 상기 홈 및 제1 몰드 상에 제1 금속 전극층을 형성하는 단계; (b) 상기 홈 및 제1 금속 전극층 상에 탄소나노튜브를 도포하는 단계;(c) 상기 제1 금속 전극층 상에 도포 된 상기 탄소나노튜브를 상기 홈에 채워 넣고, 상기 제1 금속 전극층 상에 상기 제1 몰드와 같은 형상의 제2 몰드를 형성하는 단계;(d) 상기 홈에 채워진 탄소나노튜브 상에 제2 금속 전극층을 도금하는 단계;(e) 상기 제1 몰드, 제2 몰드 및 제1 금속 전극층을 선택적으로 제거하는 단계; 를 포함하되, 상기 탄소나노튜브는 소정의 용제에 분산되어 있는 상태인, 탄소나노튜브를 이용한 반도체 도선 형성방법 |
| 11 |
11 제10항에 있어서,상기 제1 금속 전극층 및 제2 금속 전극층은 Ag, Al, Au, Cu, Co, Ni, Pt 또는 Zn 중 어느 하나인, 탄소나노튜브를 이용한 반도체 도선 형성방법 |
| 12 |
12 제10항에 있어서,상기 (c) 단계는 닥터 블레이드, 칼날, 스퀴지, 롤러 또는 웨이퍼 절단면으로 만든 평평한 날 중 어느 하나를 이용하여 상기 몰드의 상에 도포 된 상기 탄소나노튜브를 홈에 채워 넣는, 탄소나노튜브를 이용한 반도체 도선 형성방법 |
| 13 |
13 제10항에 있어서,상기 (d) 단계의 도금은 상기 제1 금속 전극층에 전극을 연결하여 상기 탄소나노튜브 상에 상기 제2 금속 전극층으로 도금하는, 탄소나노튜브를 이용한 반도체 도선 형성방법 |
| 14 |
14 제13항에 있어서,상기 도금은, 상기 탄소나노튜브 사이를 금속으로 채워 넣거나 또는 금속 박막으로 상기 탄소나노튜브를 둘러싸는 것인, 탄소나노튜브를 이용한 반도체 도선 형성방법 |
| 15 |
15 (a) 기판 상에 제1 금속 전극층을 형성한 후, 상기 제1 금속 전극층 상에 3차원 형상의 제1 몰드를 패터닝하여 홈 및 비아를 형성하는 단계; (b) 상기 제1 금속 전극층에 전극을 연결하여 상기 비아 내부에 제2 금속 전극층을 도금하는 단계;(c) 상기 홈 및 제2 금속 전극층 상에 제3 금속 전극층을 형성하는 단계;(d) 상기 제3 금속 전극층이 형성된 상기 홈에 탄소나노튜브를 도포한 후, 상기 탄소나노튜브를 상기 홈에 채워 넣고, 상기 홈에 액체를 주입하는 단계;(e) 상기 제3 금속 전극층 상에 상기 제1 몰드와 같은 형상의 제2 몰드를 패터닝 하는 단계;(f) 상기 제3 금속 전극층에 전극을 가하여 상기 탄소나노튜브 상에 제4 금속 전극층을 도금하는 단계; (g) 상기 제1 몰드, 제2 몰드, 제1 금속 전극층 내지 제4 금속 전극층을 선택적으로 제거하는 단계; 를 포함하되,상기 탄소나노튜브는 소정의 용제에 분산되어 있는 상태인, 탄소나노튜브를 이용하는 인덕터 소자 제조 방법 |
| 16 |
16 (a) 기판 상에 3차원 형상의 제1 몰드를 패터닝하여 홈 및 비아를 형성하는 단계; (b) 상기 홈 및 비아 상에 제1 금속 전극층을 형성하는 단계;(c) 상기 홈 및 비아 상에 탄소나노튜브를 도포한 후, 상기 탄소나노튜브를 상기 홈에 채워 넣고, 상기 홈에 액체를 주입하는 단계;(d) 상기 제1 금속 전극층 상에 상기 제1 몰드와 같은 형상의 제2 몰드를 형성하는 단계;(e) 상기 제1 금속 전극층에 전극을 연결하여 상기 탄소나노튜브 상에 제2 금속 전극층을 도금하는 단계;(f) 상기 제1 몰드, 제2 몰드, 제1 금속 전극층 및 제2 금속 전극층을 선택적으로 제거하는 단계; 를 포함하는, 탄소나노튜브를 이용하는 인덕터 소자 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP04350732 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | JP19063116 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | US07744947 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | US20100130005 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN100433251 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | CN1937172 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | JP2007063116 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 4 | JP4350732 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 5 | US2010130005 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 6 | US7744947 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0663076-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20050831 출원 번호 : 1020050080632 공고 연월일 : 20070102 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20061221 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 21/28 발명의 명칭 : 반도체 기판 상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법, 이를 이용한 반도체 도선 형성방법 및 이를 이용하여 인덕터 소자 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20151223 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전 유성구... |
| 2 |
(권리자) (재)연구개발특구진흥재단 대전광역시 유성구... |
| 2 |
(의무자) 한국과학기술원 대전 유성구... |
| 3 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
| 3 |
(의무자) (재)연구개발특구진흥재단 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 445,500 원 | 2006년 12월 22일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2009년 11월 11일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2010년 12월 01일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2011년 07월 04일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2012년 01월 10일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2013년 11월 29일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2014년 11월 27일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2005.08.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0486952-70 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2006.06.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2006.07.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0047985-34 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2006.08.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0469867-24 |
| 5 | 의견서 | 2006.09.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0666940-34 |
| 6 | 명세서등보정서 | 2006.09.15 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0666954-73 |
| 7 | 대리인사임신고서 | 2006.09.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0667156-23 |
| 8 | 등록결정서 | 2006.12.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0768840-83 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술번호 | KST2014065460 |
|---|---|
| 자료제공기관 | 미래기술마당 |
| 기술공급기관 | 한국과학기술원 |
| 기술명 | 반도체 기판 상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법, 이를 이용한 반도체 도선 형성방법 및 이를 이용하여 인덕터 소자 제조 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 성장된 탄소나노튜브를 홈에 채워 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 반도체 소자를 제조하는 방법은, 기판 위에 몰드를 패터닝하는 단계; 패터닝에 의해 형성된 홈 및 몰드 전면에 탄소나노튜브를 도포하는 단계; 몰드 전면에 도포된 탄소나노튜브를 홈에 채워 넣는 단계; 및 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법인 것을 특징으로 이루어진다. 탄소나노튜브, CNT, 반도체 소자 제조방법 |
| 개발상태 | 유사환경 테스트 |
| 기술의 우수성 |
가. Technology Platform
1) 본 발명의 목적은, 일반적으로 대량 합성 및 정제된 탄소나노튜브를 용제에 분산시켜 패터닝된 몰드에 도포하고 용제가 증발된 후, 탄소나노튜브를 평평한 도구로 패터닝된 몰드 홈에 채워 넣고 액체의 증발력을 이용하여 탄소나노튜브를 조밀하게 하고 마지막으로 패터닝된 몰드를 제거하여 원하는 부위에 선택적으로 탄소나노튜브를 형성하는 방법을 제공함. 2) 다른 목적은 종래 기술의 문제점인 금속 촉매를 쓰지 않고도 탄소나노튜브를 형성할 수 있는 방법을 제공, 패터닝된 몰드에 탄소나노튜브를 채워넣고 전극으로 사용하기 위한 전해 도금을 하는 방법을 제공, 탄소나노튜브로 반도체 금속 배선, 인덕터, 커패시터, 레조네이터, 트랜스투서, 나노미터 크기의 구조체, MEMS(Micro ElectroMechanical Systems)구조체 등을 제작하여 기존의 금속을 이용한 방법들보다 더 우수한 성능 향상을 제공함. 3) 도금된 탄소나노튜브를 이용하여 반도체 금속 배선, 인덕터, 커패시터, 레조네이터, 트랜스투서, 나노미터 크기의 구조체, MEMS 구조체 등을 제작하여 기존의 금속만을 이용한 방법들보다 더 우수한 성능 향상을 제공함. 나. Discovery and Achievements 1) 탄소나노튜브를 홈에 채워 반도체 소자를 제조하는 방법은, (a) 기판 상면에 몰드를 패터닝하여 선택적으로 홈을 형성하는 단계; (b) 패터닝된 홈 및 몰드 상면에 성장된 탄소나노튜브를 도포하여 탄소나노튜브 구조체를 형성하는 단계; (c) 몰드 상면에 도포 된 탄소나노튜브 구조체를 평평한 도구를 이용하여 홈에 채워 넣는 단계; 및 (d) 몰드를 제거하는 단계; 를 포함하되, 성장된 탄소나노튜브는 소정의 용제에 분산되어 있는 상태인, 반도체 기판상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 선택적으로 형성시키는 방법을 포함하여 이루어짐 2) 금속 촉매를 쓰지 않고도 탄소 나노튜브를 형성할 수 있는 방법과 다층 공정을 가능하게 하는 방법을 제공해 탄소나노튜브의 응용분야를 넓힐 수 있으며, 낮은 온도에서의 공정이 가능하게 되어 가장 광범위하게 사용되는 포토레지스트와 같은 폴리머에서 부터 비교적 녹는점이 낮은 금속 몰드까지 매우 다양한 몰드를 사용할 수 있는 방법을 제공해 다양하게 응용할 수 있으며, 2차원 평면의 구조물과 3차원의 구조물을 형성할 수 있는 방법을 제공해 다양하게 응용할 수 있음 |
| 응용분야 |
1) 본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 성장된 탄소나노튜브를 홈에 채워 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것임
2) 반도체 소자를 제조하는 방법은, 기판 위에 몰드를 패터닝하는 단계, 패터닝에 의해 형성된 홈 및 몰드 전면에 탄소나노튜브를 도포하는 단계, 몰드 전면에 도포된 탄소나노튜브를 홈에 채워 넣는 단계, 및 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법인 것을 특징으로 이루어짐 |
| 시장규모 및 동향 |
1) 세계 반도체시장은 1990년대 중반까지의 연평균 성장률 16.9%의 고도 성장기와 1990년대 후반 2002년의 정체기를 거쳤음. 2006년 이후 회복세에 힘입어 연평균 8.6%의 건실한 성장을 지속하여 2015년에는 세계 시장 규모가 4,820억 달러에 이를 것으로 전망됨 2) 산업제품의 디지털화에 따른 신규 응용분야가 생겨나고, 이들 제품에 사용되는 반도체 비중이 지속적으로 증가하고 있으며, 반도체가 차지하는 가격 비중이 점차 증가하는 추세임. 따라서 과거와 같은 주기적인 시장 규모 변동추이 없이 안정적인 시장 규모를 유지할 것으로 전망됨 |
| 희망거래유형 | |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제정보가 없습니다 |
|---|
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