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전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서

  • 기술번호 : KST2014053409
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서는 인간 혀에 존재하는 미각 수용체 단백질과 미각을 나타내는 화합 물질이 결합하는 과정을 그대로 재현함으로써, 목표 맛 물질에 대하여 비표지식, 실시간 검지가 가능하며 높은 선택도와 펨토 몰(fM)수준의 뛰어난 민감도를 나타내며, 식품 산업에서 품질검사의 목적이나 맛 물질을 선별을 위한 도구로 사용될 수 있다.
Int. CL G01N 27/414 (2006.01.01) G01N 33/68 (2006.01.01) G01N 33/543 (2006.01.01)
CPC G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01)
출원번호/일자 1020110068819 (2011.07.12)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0008216 (2013.01.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박태현 대한민국 서울특별시 서초구
2 장정식 대한민국 서울특별시 강남구
3 송현석 대한민국 경기도 화성시 고향의봄
4 권오석 대한민국 서울특별시 관악구
5 이상훈 대한민국 서울특별시 양천구
6 박선주 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태선 대한민국 서울(해산으로 인한 퇴사 후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0533020-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.04 수리 (Accepted) 9-1-2012-0070029-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0756570-21
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0125359-69
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0212192-50
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0322148-53
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0322140-99
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0558152-06
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0922825-62
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-1031647-11
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-1145365-25
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1145369-18
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0250621-18
17 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.04.30 수리 (Accepted) 7-1-2014-0016276-74
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0539157-21
19 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.06.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0539159-12
20 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.07.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0460031-05
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
23 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.12.01 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-1182572-96
24 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2016.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0175755-49
25 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1258481-44
26 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2016.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0185097-94
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 아민기로 표면 개질하는 단계;상기 아민기로 표면 개질된 기판에 이온 전도성 작용기를 가지는 전도성 고분자 나노 구조체를 고정시키는 단계; 및상기 기판 표면에 고정된 전도성 고분자 나노 구조체를 미각 수용체 단백질로 기능화시키는 단계를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 아민기로 표면을 개질하는 단계에서는 상기 기판을 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란 및 3-아닐리노프로필트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란, 및 3-아미노프로필트리에톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 아민기-함유 실란 커플링제로 처리하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전도성 고분자는 피롤, 아닐린, 싸이오펜, 아세틸렌, 티오펜 및 그 유도체들인 피롤-2-카르복실산(pyrrole-2-carboxylic acid), 피롤-3-카르복실산(pyrrole-3-carboxylic acid), 피롤-2-설포닉산(pyrrole-2-설포닉산), 2-아민벤조익산(2-aminobenzoic acid), 3-아민벤조익산(3-aminobenzoic acid), 아닐린-2-설포닉산(aniline-2-sulfonic acid), 싸이오펜-2-카르복실산(thiophene-2-carboxylic acid), 및 싸이오펜-3-카르복실산(thiophene-3-carboxylic acid)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 단량체의 중합체인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 아민기로 표면 개질된 기판에 이온 전도성 작용기를 가지는 전도성 고분자 나노 구조체를 고정시키는 단계에서는 상기 기판 표면의 아민기와 상기 전도성 고분자 나노 구조체의 이온 전도성 작용기와의 축합 반응에 의하여 상기 전도성 고분자 나노 구조체가 상기 아민기가 도입된 기판 표면에 고정되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 이온 전도성 작용기를 가지는 전도성 고분자 나노 구조체의 이온 전도성 작용기는 카르복시산 또는 카르복시산염인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서의 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 기판 표면의 아민기와 상기 전도성 고분자 나노 구조체의 이온 전도성 작용기와의 축합 반응에 축합 반응 촉매로 4-(4,6-dimethoxy-1,3,5-triazin-2-yl)-4 -methylmorpholinium(DMT-MM)를 0
7 7
제 1 항에 있어서,상기 미각 수용체 단백질은 hTAS2R 류의 쓴맛 수용체 단백질인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체는 나노튜브, 나노와이어, 나노로드, 나노리본, 나노필름, 나노볼 및 나노파티클 인 것인 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 나노 구조체의 지름은 10 nm 내지 1000 nm 인 것인 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서의 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 기판 표면에 고정된 전도성 고분자 나노 구조체를 미각 수용체 단백질로 기능화시키는 단계에서는 상기 전도성 고분자 나노 구조체와 상기 미각 수용체 단백질과의 질량비가 1:15 내지 1:30 의 범위로 혼합하고, 상기 전도성 고분자 나노 구조체 표면에 상기 미각 수용체 단백질이 축합 반응에 의하여 결합하도록 하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서의 제조 방법
11 11
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 하나의 제조 방법에 의하여 제조되고, 기판; 상기 기판 위에 서로 이격되어 배치된 소스 전극, 드레인 전극;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 접촉하면서 상기 기판 상부에 증착된 이온 전도성 작용기를 가지는 전도성 고분자 나노 구조체; 및 상기 이온 전도성 작용기를 가지는 전도성 고분자 나노 구조체의 표면에 기능화된 미각 수용체 단백질;을 포함하는 전계 효과 트랜지스터 기반 미각 센서
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 ETRI (한국전자통신연구원) 신기술융합형 성장동력사업 진단용 후각/미각 수용체 제조 및 수용체 기반 센서용 나노융합구조 개발