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(a) 그래핀 산화물 분산액을 준비하는 단계;(b) 기판을 준비하고, 상기 기판의 표면을 플라즈마 처리 또는 계면활성제 처리하여 친수성으로 개질하는 단계;(c) 상기 그래핀 산화물 분산액에 상기 기판을 침지하는 단계; 및(d) 상기 기판을 상기 그래핀 산화물 분산액으로부터 인출하여 건조시키는 단계를 포함하는 그래핀 산화물의 기판 코팅 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계는그래파이트의 화학적 산화에 의해 그래파이트 산화물을 제조하는 단계; 및상기 그래파이트 산화물을 극성 용매와 혼합한 후 초음파 분산하여 그래파이트 산화물을 박리하는 단계를 포함하는 그래핀 산화물의 기판 코팅 방법
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제2항에 있어서,상기 극성 용매는 물, DMF, NMP, THF 및 이들의 적어도 2이상의 혼합물 중에서 선택되는 그래핀 산화물의 기판 코팅 방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 산화물 분산액의 농도는 0
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삭제
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 산소, 질소, 수소, 아르곤 또는 이들의 적어도 2 이상의 혼합물 중에서 선택되는 기체로 수행되는 그래핀 산화물의 기판 코팅 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계의 기판 인출 속도는 0
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(a) 그래핀 산화물 분산액을 준비하는 단계;(b) 기판을 준비하고, 상기 기판의 표면을 플라즈마 처리 또는 계면활성제 처리하여 친수성으로 개질하는 단계;(c) 상기 그래핀 산화물 분산액에 상기 기판을 침지하는 단계; (d) 상기 기판을 상기 그래핀 산화물 분산액으로부터 인출하고 건조시켜 상기 기판 상에 그래핀 산화물을 코팅하는 단계; 및(e) 상기 기판에 코팅된 상기 그래핀 산화물을 환원시켜 전기 전도성을 부여하는 단계를 포함하는 그래핀 산화물의 환원물이 코팅된 기판의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 (d) 단계의 환원 과정은상기 그래핀 산화물이 코팅된 기판을 화학적 환원 또는 열적 환원하는 그래핀 산화물의 환원물이 코팅된 기판의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 화학적 환원에 사용되는 환원제는 황화수소, 하이드라진, 다이메틸하이드라진, 수소화붕소나트륨, 하이드로퀴논, 수소 가스, 및 요오드화수소산과 아세트산의 혼합물 중에서 선택되는 어느 하나인 그래핀 산화물의 환원물이 코팅된 기판의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 열적 환원은 150℃ 내지 2000℃의 온도범위에서 수행되는 그래핀 산화물의 환원물이 코팅된 기판의 제조방법
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