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알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014056098
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명의 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막, 활성층, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 절연막은 알루미늄 산화물(AlOx)이고, 상기 활성층은 아연 주석 산화물(Zinc Tin Oxide, ZTO)인 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성에 의하면, 본 발명은 용액 공정에 의해 알루미늄 산화물의 게이트 절연막과 ZTO 활성층을 구성하였으므로 낮은 어닐링 온도로도 훌륭한 성능을 발휘할 수 있고 동시에 높은 전계효과이동도를 얻을 수 있어 고성능의 박막 트랜지스터를 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020100136696 (2010.12.28)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1216642-0000 (2012.12.21)
공개번호/일자 10-2012-0074760 (2012.07.06) 문서열기
공고번호/일자 (20121231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장진 대한민국 서울특별시 동대문구
2 크리스토프 아비스 프랑스 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0867517-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0091820-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0685035-38
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0980571-39
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0055559-84
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0055560-20
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0419652-17
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0701431-70
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0701432-15
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0775271-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성된 활성층, 상기 활성층 위에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 절연막은 질소 환경 하에서 아세토니트릴(acetonitrile)과 에틸렌글리콜(ethyleneglycol)을 용매로 뒤섞여진 염화알루미늄을 사용하는 알루미늄 산화물 용액으로 형성되고,상기 활성층은 아연 주석 산화물(Zinc Tin Oxide, ZTO)인 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 알루미늄 산화물 용액은 사용되기 전에 0
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 게이트 절연막은 용액 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 활성층은 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 게이트 절연막은 100℃이상 300℃이하에서 어닐링된 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터
6 6
(a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, (b) 상기 게이트 전극 위에, 용액 공정에 의해 질소 환경 하에서 아세토니트릴과 에틸렌글리콜을 용매로 뒤섞여진 염화알루미늄을 사용하는 알루미늄 산화물 용액으로 게이트 절연막을 형성하는 단계,(c) 상기 게이트 절연막 위에 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅에 의해 아연 주석 산화물(ZTO)의 활성층을 형성하는 단계, 및(d) 상기 활성층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
7 7
(e) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, (f) 상기 게이트 전극 위에 용액 공정에 의해 질소 환경 하에서 아세토니트릴과 에틸렌글리콜을 용매로 뒤섞여진 염화알루미늄을 사용하는 알루미늄 산화물 용액으로 게이트 절연막을 형성하는 단계,(g) 상기 게이트 절연막 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및(h) 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 위에 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅에 의해 아연 주석 산화물(ZTO)의 활성층을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
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