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촉매의 존재 하에, 헥사플루오로프로필렌옥사이드를 기상 반응시켜, 기판 상에 폴리테트라플루오로에틸렌을 포함하는 박막을 기상 증착하는 단계; 및상기 박막에 전자빔(e-beam)을 조사하여 친수성 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 전자빔은, 플라즈마 상태의 아르곤 가스에 10 내지 1500V의 가속 전압을 가하여 얻어지는, 폴리테트라플루오로에틸렌 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 전자빔(e-beam)을 이용하여 상기 박막에 패턴을 형성하는 단계는,상기 기상 증착된 박막에 10eV 내지 500eV 의 전자빔을 1분 내지 120분 동안 조사하는 단계를 포함하는 폴리테트라플루오로에틸렌 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 촉매는 텅스텐(W), 니켈크롬(NiCr), 니켈-크롬-철 합금(Ni-Cr-F alloy), 철(Fe), 스테인리스 강(stainless steel), 몰리브덴(MO), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 및 백금(Pt)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 폴리테트라플루오로에틸렌 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리 기판, 투명 플라스틱 기판, 실리콘 기판 또는 투명 전도성 무기물 기판인 폴리테트라플루오로에틸렌 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 10 내지 50℃로 유지되는 폴리테트라플루오로에틸렌 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 촉매는 500 내지 1200℃로 가열되는 폴리테트라플루오로에틸렌 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 헥사플루오로프로필렌옥사이드의 기상 반응은 진공 챔버에서 이루어지는 폴리테트라플루오로에틸렌 박막의 형성 방법
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제8항에 있어서, 상기 진공 챔버는 0 내지 10-4 의 압력으로 유지되는 폴리테트라플루오로에틸렌 박막의 형성 방법
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제9항에 있어서, 상기 헥사플루오로프로필렌옥사이드를 포함하는 공정 가스가 상기 진공 챔버 내부로 주입되고, 상기 공정 가스가 100 내지 800 mTorr의 분압 및 4 내지 20 sccm의 유량을 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌 박막의 형성 방법
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