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결함(defect)을 가지는 광 밴드 갭 구조의 다층 유전체 박막; 상기 다층 유전체 박막의 일면에 배치되고, 소정의 표면 플라즈몬 공명 조건을 가지는 금속박막; 및상기 다층 유전체 박막을 통과하여 입사되어 상기 금속박막에서 반사된 후 상기 다층 유전체 박막을 통과하여 출사되는 광신호를 검출하는 광 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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제1항에 있어서, 상기 다층 유전체 박막은 서로 다른 굴절률을 가지는 2 이상의 유전체 박막이 번갈아 가면서 반복적으로 적층된 제1 영역; 및 상기 결함과 대응되는 결함 유전체 박막이 포함된 제2 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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제2항에 있어서,상기 제2 영역은 상기 제1 영역과 상기 금속박막 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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제2항에 있어서,상기 결함 유전체 박막의 굴절률은 상기 2 이상의 유전체 박막의 굴절률과 상이한 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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제2항에 있어서,상기 결함 유전체 박막의 굴절률은 상기 2 이상의 유전체 박막 중 어느 하나의 유전체 박막의 굴절률과 동일하고, 상기 결함 유전체 박막의 두께는 상기 어느 하나의 유전체 박막의 두께와 상이한 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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제1항에 있어서,상기 다층 유전체 박막은 소정 주파수 대역의 광신호만을 통과시키는 광 파장 필터로 동작하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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제1항에 있어서,상기 금속박막의 전면은 상기 다층 유전체 박막의 일면과 마주보도록 배치되고, 상기 다층 박막 센서는 상기 금속박막의 후면에 배치되며, 소정의 물질과 결합하는 적어도 하나의 리셉터(receptor)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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제7항에 있어서,상기 적어도 하나의 리셉터 중 적어도 일부가 상기 소정의 물질과 결합하는 경우 상기 금속박막의 표면 플라즈몬 공명 조건은 변경되고, 상기 표면 플라즈몬 공명 조건의 변경과 대응하여 상기 다층 유전체 박막을 통과하여 출사되는 광신호의 주파수 대역은 변경되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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결함을 가지는 광 밴드 갭 구조의 다층 유전체 박막; 전면이 상기 다층 유전체 박막의 일면과 마주보도록 배치되고, 소정의 표면 플라즈몬 공명 조건을 가지는 금속박막; 광신호를 상기 다층 유전체 박막을 통과하여 상기 금속박막의 전면으로 입사시키는 입사도파로; 및 상기 금속박막의 전면에서 반사되는 광신호를 출사하는 출사도파로를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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제9항에 있어서, 상기 다층 박막 센서는 상기 출사되는 광신호를 검출하는 광 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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제9항에 있어서, 상기 다층 유전체 박막은 서로 다른 굴절률을 가지는 2 이상의 유전체 박막이 번갈아 가면서 반복적으로 적층된 제1 영역; 및 상기 결함과 대응되는 결함 유전체 박막이 포함된 제2 영역을 포함하되, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역과 상기 금속박막 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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제11항에 있어서,상기 결함 유전체 박막의 굴절률은 상기 2 이상의 유전체 박막의 굴절률과 상이한 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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제11항에 있어서,상기 결함 유전체 박막의 굴절률은 상기 2 이상의 유전체 박막 중 어느 하나의 유전체 박막의 굴절률과 동일하고, 상기 결함 유전체 박막의 두께는 상기 어느 하나의 유전체 박막의 두께와 상이한 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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제9항에 있어서,상기 금속박막의 전면은 상기 다층 유전체 박막의 일면과 마주보도록 배치되고, 상기 다층 박막 센서는 상기 금속박막의 후면에 배치되며, 소정의 물질과 결합하는 적어도 하나의 리셉터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 공명을 이용한 다층 박막 센서
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