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알루미늄 분말의 표면에 실리콘 분말 및 유리 프릿이 코팅되는 형성되는 코어쉘(core-shell) 구조의 전극 분말, 바인더 및 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 페이스트
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 분말은 상기 알루미늄 분말의 전체 중량 대비 1 내지 15wt%인 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 페이스트
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 분말은 상기 알루미늄 분말보다 크기가 작은 나노 입자로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 페이스트
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제 1 항에 있어서,상기 유리 프릿은 상기 알루미늄 분말보다 크기가 작은 나노 입자로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 페이스트
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제1 도전성 타입의 기판을 준비하는 기판 준비 단계와,상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와,상기 에미터층의 상부에 반사방지막을 형성하는 반사방지막 형성 단계와,상기 기판의 후면에 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계와,상기 반사방지막의 상부에 형성되며 상기 에미터층과 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계 및,상기 패시베이션막의 후면에 전극 페이스트를 도포하여 상기 기판의 후면과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계를 포함하며,상기 전극 페이스트는 제 1 항 내지 4 항중 어느 하나의 항에 따른 전극 페이스트로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 후면 전극 형성 단계는 상기 전극 페이스트를 상기 패시베이션막의 후면에 먼저 도포하고, 추가로 일반 전극 페이스트를 도포하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 패시베이션막은 Al2O3막, SiO2막 또는 SiN막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 패시베이션막의 후면에 실리콘계 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계 및,상기 패시베이션막과 상기 배리어막의 일부를 제거하여 상기 기판의 후면의 컨택 영역을 노출시키는 컨택 영역 형성 단계를 포함하며,상기 전극 페이스트는 상기 배리어막의 후면에 도포되어 상기 기판의 후면의 컨택 영역에 접촉되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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