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태양전지 셀 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015011243
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양면수광형 태양전지 셀 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 제조방법은 a) 희생층이 형성된 반도체 기판에 광활성층을 형성하는 단계; b) 상기 광활성층 상부에 제1전면전극을 형성하고 상기 제1전면전극 상부에 제1투명기판을 부착하여 광활성층-전극 복합체를 제조하는 단계; c) 상기 희생층을 제거하여, 상기 광활성층-전극 복합체를 상기 반도체 기판으로부터 분리하는 단계; 및 d) 상기 광활성층-전극 복합체의 제1투명기판과 대향하는 대향면에 제2전면전극을 형성하고 상기 제2전면전극 상부에 제2투명기판을 부착하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120105260 (2012.09.21)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1372305-0000 (2014.03.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종수 대한민국 대구광역시 수성구
2 손창원 대한민국 대구광역시 수성구
3 노삼규 대한민국 대전광역시 유성구
4 김진수 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 보성티피엠 주식회사 충청남도 아산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0768900-85
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0883071-30
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0158440-67
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0158415-25
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0137392-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 희생층이 형성된 반도체 기판에 광활성층을 형성하는 단계;b) 상기 광활성층 상부에 제1전면전극을 형성하고 상기 제1전면전극 상부에 제1투명기판을 부착하여 광활성층-전극 복합체를 제조하는 단계;c) 상기 희생층을 제거하여, 상기 광활성층-전극 복합체를 상기 반도체 기판으로부터 분리하는 단계; 및d) 상기 광활성층-전극 복합체의 제1투명기판과 대향하는 대향면에 제2전면전극을 형성하고 상기 제2전면전극 상부에 제2투명기판을 부착하는 단계;를 포함하되,상기 a) 단계는 상기 반도체 기판에 제1 밴드갭 에너지를 갖는 제1광활성층을 형성하는 단계;상기 제1광활성층 상부에 제2 밴드갭 에너지를 갖는 제2광활성층을 형성하는 단계; 상기 제2광활성층 상부에 제3 밴드갭 에너지를 갖는 제3광활성층을 형성하는 단계;상기 제3광활성층 상부에 제2 밴드갭 에너지를 갖는 제4광활성층을 형성하는 단계; 및상기 제4광활성층 상부에 제1 밴드갭 에너지를 갖는 제5광활성층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 제1 내지 제3 밴드갭 에너지 중, 상기 제3 밴드갭 에너지가 상대적으로 가장 작은 밴드갭을 가지며, 상기 제1 밴드갭 에너지가 상기 제2 밴드갭 에너지보다 큰 밴드갭을 갖는 양면수광형 태양전지 셀의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 a) 단계는상기 반도체 기판에 제1도전형 불순물로 도핑된 제1도전형불순물층을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 기판에 상기 제1도전형 불순물에 대해 상보적인 불순물인 제2도전형 불순물로 도핑된 제2도전형불순물층을 형성하는 단계;를 포함하는 양면수광형 태양전지 셀의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 a) 단계 후 및 b) 단계 전, 상기 a) 단계의 광활성층을 부분식각하여, 상기 제3광활성층의 일부를 표면으로 노출시키는 단계; 및상기 표면 노출된 제3광활성층 영역에 공통전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 양면수광형 태양전지 셀의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 a) 단계는 반도체 기판에 희생층을 형성하는 단계; 및상기 희생층 상부에 광활성층을 형성하는 단계;를 단위 공정으로 하여,상기 단위 공정이 2회 이상 반복 수행되는 양면수광형 태양전지 셀의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 단위 공정의 반복에 의해 형성된 광활성층 별로 상기 b) 단계가 수행되며, 상기 단위 공정의 반복에 의해 형성된 희생층 별로 상기 c) 단계가 수행되는 양면수광형 태양전지 셀의 제조방법
7 7
제 1항 내지 제 2항 및 제 4항 내지 제 6항에서 선택된 어느 한 항의 제조방법으로 제조되어, 제1투명기판, 제1전면전극, 광활성층, 제2전면전극 및 제2투명기판이 순차적으로 적층되고, 상기 제1투명기판 및 상기 제2투명기판을 통해 상기 광활성층으로 광이 입사되며,상기 광활성층은 적어도 제1광활성층, 제2광활성층, 제3광활성층, 제4광활성층 및 제5광활성층이 적층된 탠덤구조를 가지며, 상기 제1 내지 제5광활성층의 밴드갭 에너지는 하기 식 1, 식 2 및 식 3을 만족하는 양면 수광형 태양전지 셀
8 8
삭제
9 9
제 7항에 있어서,상기 양면 수광형 태양전지 셀은 상기 제3광활성층과 접속하는 공통전극을 더 포함하는 양면 수광형 태양전지 셀
10 10
제 9항에 있어서,상기 양면 수광형 태양전지 셀은 상기 제1투명기판을 통해 입사된 광은 상기 제1광활성층에서 제5광활성층으로 유입되며, 상기 제2투명기판을 통해 입사된 광은 상기 제5광활성층에서 제1광활성층으로 유입되어, 상기 제1투명기판 및 제2투명기판을 통해 입사된 광을 제1광활성층 내지 제5광활성층 모두에서 흡수하는 양면 수광형 태양전지 셀
11 11
제 7항에 있어서,상기 양면 수광형 태양전지 셀은 제n광활성층(1≤n≤4인 자연수)과 제n+1광활성층(1≤n≤4인 자연수)사이에 터널접합층이 더 구비되는 양면 수광형 태양전지 셀
12 12
제 7항에 있어서,상기 광활성층은 양자점을 함유하는 양면 수광형 태양전지 셀
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1 WO2014046473 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 영남대학교 산학협력단 거대과학기술개발사업/기후변화대응 기술개발사업 GaAs:N-QD/IN(Ga)As-QD 기반 파장 맞춤형 탠덤 태양전지 성장 기술 개발