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마이크로 나노 조합구조의 제조방법 및 마이크로 나노 조합 구조가 집적된 광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014057853
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 나노 조합구조의 제조방법 및 마이크로 나노 조합구조가 집적된 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 마이크로 구조를 형성하는 단계와, 상기 마이크로 구조가 형성된 기판 상에 금속박막을 증착하는 단계와, 상기 금속박막을 열처리하여 금속입자로 변형시키는 단계와, 상기 마이크로 구조가 형성된 기판 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 끝이 뾰족한 쐐기형의 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 금속입자를 마스크로 하여 상기 마이크로 구조가 형성된 기판의 전면을 식각하는 단계를 포함함으로써, 제조 공정이 간단하며, 공기와 반도체 물질간의 굴절률차로 인해 발생하는 빛의 반사량을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 광소자(optical device) 분야에 용이하게 적용할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G02B 1/12 (2006.01) G02B 1/11 (2006.01)
CPC G02B 1/111(2013.01) G02B 1/111(2013.01) G02B 1/111(2013.01) G02B 1/111(2013.01) G02B 1/111(2013.01) G02B 1/111(2013.01)
출원번호/일자 1020100074098 (2010.07.30)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1250450-0000 (2013.03.28)
공개번호/일자 10-2012-0021427 (2012.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20130408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120156985;
심사청구여부/일자 Y (2010.08.10)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송영민 대한민국 광주광역시 북구
2 이용탁 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0495607-17
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0513351-36
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0538732-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0088222-95
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0192405-33
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0383498-46
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0383497-01
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0652369-44
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.11.28 수리 (Accepted) 7-1-2012-0054785-13
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.12.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-1092808-94
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1092819-96
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0017535-90
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번호 청구항
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광소자의 제조방법에 있어서,n형 도핑층, 활성층 및 p형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 상기 p형 도핑층의 p형 상부전극 위치를 제외한 발광부 상면에 마이크로 구조를 형성하는 단계;상기 p형 도핑층의 상면에 p형 상부전극을 적층하고, 상기 n형 도핑층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계;상기 p형 도핑층의 마이크로 구조가 형성된 발광부 상면에 금속박막을 증착하는 단계;상기 금속박막을 열처리하여 금속입자로 변형시키는 단계; 및상기 p형 도핑층의 마이크로 구조가 형성된 발광부 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 끝이 뾰족한 쐐기형의 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 금속입자를 마스크로 하여 상기 p형 도핑층의 마이크로 구조가 형성된 발광부의 전면을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 나노 조합구조가 집적된 광소자의 제조방법
10 10
광소자의 제조방법에 있어서,n형 도핑층, 활성층 및 p형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 상기 p형 도핑층의 발광부 상면에 마이크로 구조를 형성하는 단계;상기 p형 도핑층의 마이크로 구조가 형성된 발광부 상면에 금속박막을 증착하는 단계;상기 금속박막을 열처리하여 금속입자로 변형시키는 단계;상기 p형 도핑층의 마이크로 구조가 형성된 발광부 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 끝이 뾰족한 쐐기형의 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 금속입자를 마스크로 하여 상기 p형 도핑층의 마이크로 구조가 형성된 발광부의 전면을 식각하는 단계; 및상기 무반사 나노구조를 포함한 p형 도핑층의 전면에 투명전극을 적층한 후, 상기 투명전극의 발광부를 제외한 상면에 접촉패드를 적층하고, 상기 n형 도핑층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 나노 조합구조가 집적된 광소자의 제조방법
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광소자의 제조방법에 있어서,하부 전지층, 중간 전지층 및 상부 전지층을 순차적으로 적층한 후, 상기 상부 전지층의 일측 상면에 p형 상부전극을 적층하고, 상기 하부 전지층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계;상기 p형 상부전극 영역을 제외한 상부 전지층의 상면에 마이크로 구조를 형성하는 단계;상기 마이크로 구조가 형성된 상부 전지층의 상면에 금속박막을 증착하는 단계;상기 금속박막을 열처리하여 금속입자로 변형시키는 단계; 및상기 p형 상부전극 영역을 제외한 마이크로 구조가 형성된 상부 전지층의 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 끝이 뾰족한 쐐기형의 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 금속입자를 마스크로 하여 상기 p형 상부전극 영역을 제외한 상부 전지층의 전면을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 나노 조합구조가 집적된 광소자의 제조방법
12 12
제11 항에 있어서,상기 하부 전지층과 중간 전지층 사이 및 상기 중간 전지층과 상부 전지층의 사이는 각각 제1 및 제2 터널 접합층을 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 마이크로 나노 조합구조가 집적된 광소자의 제조방법
13 13
제12 항에 있어서,상기 제1 터널 접합층과 중간 전지층 사이에 버퍼층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 마이크로 나노 조합구조가 집적된 광소자의 제조방법
14 14
광소자의 제조방법에 있어서,n형 도핑층, 광 흡수층 및 p형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 상기 p형 도핑층의 광 흡수부를 제외한 상면에 p형 상부전극을 적층하고, 상기 n형 도핑층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계;상기 p형 도핑층의 광 흡수부 상면에 마이크로 구조를 형성하는 단계;상기 마이크로 구조가 형성된 p형 도핑층의 광 흡수부 상면에 금속박막을 증착하는 단계;상기 금속박막을 열처리하여 금속입자로 변형시키는 단계; 및상기 마이크로 구조가 형성된 p형 도핑층의 광 흡수부 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 끝이 뾰족한 쐐기형의 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 금속입자를 마스크로 하여 상기 마이크로 구조가 형성된 p형 도핑층의 광 흡수부 전면을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 나노 조합구조가 집적된 광소자의 제조방법
15 15
광소자의 제조방법에 있어서,n형 도핑층, 분포궤환 반사층, 활성층 및 p형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 상기 p형 도핑층의 p형 상부전극 위치를 제외한 발광부 상면에 마이크로 구조를 형성하는 단계;상기 마이크로 구조가 형성된 p형 도핑층의 발광부 상면에 금속박막을 증착하는 단계;상기 금속박막을 열처리하여 금속입자로 변형시키는 단계; 및상기 마이크로 구조가 형성된 p형 도핑층의 발광부 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 끝이 뾰족한 쐐기형의 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 금속입자를 마스크로 하여 상기 마이크로 구조가 형성된 p형 도핑층의 발광부 전면을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 나노 조합구조가 집적된 광소자의 제조방법
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제15 항에 있어서,상기 p형 도핑층의 일측 상부에 p형 상부전극을 형성한 후, 상기 n형 도핑층의 하면에 n형 하부전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 나노 조합구조가 집적된 광소자의 제조방법
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