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(a)반도체 기판을 계면활성제로 코팅하는 단계; (b)상기 계면활성제로 코팅된 기판을 반응기로 이송하는 단계; 및(c)상기 반응기에 Ⅲ족의 유기금속, Ⅴ족을 함유하는 유기금속 또는 기체를 주입한 후 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)으로 상기 반도체 기판에 나노선을 성장시키는 단계를 포함하며,상기 (c)단계에서 Ⅴ족을 함유하는 유기금속은 트리뷰틸아신, 트리뷰틸포스핀 및 트리메틸안티모니로 이루어진 군에서 선택된 1종이며, Ⅴ족을 함유하는 기체는 이산화질소, 아신 및 포스핀으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계에서 반도체 기판은 실리콘, 사파이어, 유리, 산화알루미늄 및 산화마그네슘으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계에서 계면활성제는 폴리라이신, 폴리에틸렌이민 및 키토산으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계에서 계면활성제는 코팅막의 두께가 10 내지 70 nm가 되도록 코팅하는 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 Ⅲ족의 유기금속은 갈륨, 인듐, 알루미늄 및 탈륨으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 Ⅲ족의 유기금속은 갈륨 및 인듐이 혼합된 혼합금속인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 Ⅲ족의 유기금속은 다이메틸인듐, 다이메틸갈륨, 다이메틸알루미늄, 다이에틸인듐, 다이에틸갈륨 및 다이에틸알루미늄인듐으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 Ⅲ족 유기금속의 분자흐름은 1X10-3 내지 1X10-7 mol/min 인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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9
제1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 Ⅴ족은 질소, 인, 비소 및 안티몬으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 Ⅴ족은 비소인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 Ⅲ족의 유기금속과, Ⅴ족을 함유하는 유기금속 또는 기체의 몰비는 1 : 10~300인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 나노선 성장시 온도는 450 내지 800 ℃인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 나노선 성장시 압력은 50 내지 1300 mbar인 것을 특징으로 하는 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법
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제1항 내지 제10항 및 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 직경 200 nm 이하의 나노선
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제16항에 있어서, 상기 나노선은 나노선 수의 밀도가 1X107 내지 8X109 개/㎠인 것을 특징으로 하는 나노선
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제1항 내지 제10항 및 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 나노선을 이용하여 제조된 태양전지
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제1항 내지 제10항 및 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 나노선을 이용하여 제조된 발광다이오드
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