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Ｃｏｌｌｏｉｄａｌ ｌｉｔｈｏｒｇｒａｐｈｙ를 이용한 ＧａＡｓ 나노선

  • 기술번호 : KST2015122118
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리머구(Polystyrene Sphere,PS)를 이용하여 Gold dot을 형성시켜 분자빔 에픽텍시(Molcular Beam Epitaxy,MBE)나 유기금속화학증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)를 이용하여 나노막대(Nanopillar, Nanorod, Nanowires)를 형성하는 Colloidal lithography에 관한 것이다. 실리콘(Si) 혹은 갈륨아세나이드(GaAs) 기판 표면위에 Gold를 증착시킨 뒤 1마이크론 직경의 PS를 분산시키고 Reactive Ion Etching(RIE)를 사용하여 PS 직경을 150nm~200nm로 줄인 다음 Gold를 etching하여 Patterned Gold dot을 형성한 후에 MBE나 MOCVD로 GaAs 나노막대를 성장하는 형태이다.Colloidal lithography를 사용하게 되면 대면적에 비교적 단시간에 gold pattern을 형성할 수 있다는 장점과 나노 임프린트, Electron-beam lithography와 같은 고가의 장비에 비해 훨씬 저렴하게 패턴을 형성할 수 있다는 장점이 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020110080261 (2011.08.11)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0017684 (2013.02.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경진 대한민국 서울특별시 중구
2 김재화 대한민국 서울특별시 성북구
3 김도양 대한민국 대전광역시 서구
4 권초롱 대한민국 전라북도 익산시 익

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0622821-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
3 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘(111) 기판위에 gold층을 증착한 뒤 Polystyrene spheres를 이용하여 gold pattern을 형성한 뒤 In과 Ga의 성분비가 조절된 InxGa1-xAs 나노선 array을 수직으로 성장함에 있어서,상기 gold층 위에 Polystyrene sphere를 자가배열하고, 상기 자가배열된 polystyrene sphere의 사이즈를 조절하여 gold dot의 사이즈를 조절하고, 상기 사이즈가 조절된 gold dot을 촉매로 사용하는 InxGa1-xAs 나노선
2 2
제1항에 있어서,상기 실리콘 (111)기판위에 촉매로 사용되는 gold층 증착은 sputtering을 이용하여 1nm ~ 100nm 의 두께를 가지는 gold층 증착하고, 상기 gold층을 촉매로 사용하는 InxGa1-xAs 나노선
3 3
제1항에 있어서,Gold층 위에 polystyrene sphere를 자가배열 하기 위해서 mercaptoundecanoic acid를 사용하여 Self Assembly Monolayer 처리를 한 InxGa1-xAs 나노선
4 4
제1항에 있어서,상기 polystyrene sphere를 자가배열 하기 위해 polyvinylpyrrolidone7
5 5
제3항에 있어서,상기 자가배열된 polystyrene sphere를 Microwave Plasma Asher를 이용하여 사이즈가 조절된 polystyrene sphere를 형성한 뒤 성장한 InxGa1-xAs 나노선
6 6
제1항에 있어서,상기 gold dot을 형성하기 위해 ICP-RIE 장비를 이용하여 건식식각 방법을 통하여 gold 층을 식각하여 gold dot을 형성하고, 상기 gold dot을 촉매로 사용하여 성장한 InxGa1-xAs 나노선
7 7
제 6항에 있어서, 상기 gold 패턴이 형성된 실리콘(111) 기판 위에 MOCVD를 이용하여 InxGa1-xAs 나노선 성장
8 8
제 7항에 있어서, 상기 패턴이 형성된 실리콘 기판 위에 InxGa1-xAs (0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.