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대면적 나노임프린트 방법으로 패턴된 (111) 실리콘 기판위에 Ｖｏｌｍｅｒ―Ｗｅｂｅｒ 방법으로 성장한 ＩｎＧａＡｓ 나노선

  • 기술번호 : KST2015123657
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노임프린트 공정을 이용하여 (111) 실리콘 기판위에 패턴을 형성 한 후에 Volmer-Weber 성장방법으로 InxGa1-xAs 나노선을 패턴된 기판에 성장하는 방법이다. Volmer-Weber 방식으로 성장한 InxGa1-xAs 나노선은 구조적으로 misfit dislocation이 없으며, 광학적/전기적 특성이 우수한 장점이 있다. 이에 더해 InxGa1-xAs 나노선의 밴드갭 에너지는 조성비(x)에 따라 0.35에서 1.4 eV 까지 소자의 특성에 맞게 조절될 수 있으며, 패턴의 모양에 따라 고밀도의 나노선 성장이 가능하므로 이를 이용한 실리콘 기반의 고효율 LED, 가스 센서, 트랜지스터, 다중접합 태양전지 등의 소자 제작이 가능하다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020110080262 (2011.08.11)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0017685 (2013.02.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경진 대한민국 서울특별시 중구
2 신재철 대한민국 광주광역시 광산구
3 김재화 대한민국 서울특별시 성북구
4 김도양 대한민국 대전광역시 서구
5 권초롱 대한민국 전라북도 익산시 익
6 김효진 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0622823-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
3 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판위에 SiO2층을 증착한 뒤 In과 Ga의 성분비가 조절된 InxGa1-xAs 나노선 array을 수직으로 성장함에 있어서,상기 SiO2층 위에 나노 hole 패턴을 형성하고, 상기 나노 hole 패턴 형상에 따라서 성장하는 InxGa1-xAs 나노선
2 2
제1항에 있어서, 상기 실리콘 (111)기판위에 SiO2층 증착은 플라즈마화학기상증착법(PECVD)을 이용하여 10nm ~ 300nm 사이의 두께를 가지는 SiO2 층 형성한 InxGa1-xAs 나노선
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 SiO2층 위에 PMMA층과 Resin을 spin coater를 이용하여 형성한 InxGa1-xAs 나노선
4 4
제3항에 있어서, 상기 기판 위 나노 hole 패턴 구조는 Nano imprint lithography 방법을 이용해서 50 nm ~ 500 nm 사이의 직경을 가지고, hole 사이의 간격이 400nm ~ 1000nm를 가지는 나노 hole 구조를 Si (111) 기판 위에 구현
5 5
제4항에 있어서, 상기 Nano imprint lithography 공정 시 사용하는 mold에서 hole 사이즈는 동일하나 간격이 4단계로 조절된 mold를 사용하는 것을 특징으로 하는 InxGa1-xAs 나노선 성장
6 6
제5항에 있어서, 상기 SiO2층 나노 hole 구조를 Microwave Plasma Asher를 이용하여 residual layer를 에칭한 InxGa1-xAs 나노선 성장
7 7
제 6항에 있어서, 상기 기판을 Dry etching 방법인 RIE와 BOE를 이용한 wet etching 방법을 활용하여 SiO2층을 Si 기판까지 식각시키는 것을 특징으로 하는 InxGa1-xAs 나노선 성장
8 8
제 7항에 있어서, 상기 패턴이 형성된 실리콘 기판 위에 MOCVD를 이용하여 InxGa1-xAs 나노선 성장
9 9
제 7항에 있어서, 상기 패턴이 형성된 실리콘 기판 위에 InxGa1-xAs (0≤x≤1)로 조성비를 조절 하여 나노선 성장
10 10
제 7항에 있어서, 상기 패턴이 형성된 실리콘 기판 위에 어떠한 촉매제없이 실리콘 기판과의 격차차이에서 오는 스트레인을 이용한 Volmer-Weber 방식을 이용하여 InxGa1-xAs 나노선 성장
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