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입자 자기조립을 이용한 네트워크 전극 제작 방법

  • 기술번호 : KST2014058483
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전극층 위에 나노미터 혹은 마이크로미터 수준의 크기를 가지는 입자를 배열시키고, 입자와 입자 사이의 공간에 기능성 유체가 스며들게 하여 형성된 표면 구조물을 이용하여 전극층을 차등적으로 식각함으로서 주기적인 네트워크 전극을 형성할 수 있다. 네트워크 전극은 수십 나노미터 정도의 주기를 갖도록 형성될 수도 있으나, 네트워크 전극의 형상, 크기 및 주기는 사용하는 입자의 형상과 크기, 그리고 전극층의 식각 정도에 따라 다양하게 조절이 가능하다. 또한, 동일한 형상 및 주기를 갖는 네트워크 전극에서도 전극 영역과 전극이 없는 영역의 비율을 식각 정도에 따라 변화시킬 수 있다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01)
CPC H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/0036(2013.01)
출원번호/일자 1020120140102 (2012.12.05)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1342558-0000 (2013.12.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.05)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이신두 대한민국 서울 동작구
2 박승철 대한민국 서울 관악구
3 김민회 대한민국 서울 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-1007971-46
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0047432-97
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0063840-30
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0852208-83
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극층상에 복수 개의 입자를 배열하는 단계; 상기 복수 개의 입자가 배열된 상기 전극층상에 기능성 유체를 도포하는 단계; 상기 기능성 유체를 경화시키는 단계; 상기 복수 개의 입자를 제거하여, 경화된 상기 기능성 유체로 이루어지는 표면 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 표면 구조물의 위치에 따른 높이 차이를 이용하여 상기 전극층을 차등적으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 네트워크 전극의 제작 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 전극층을 차등적으로 식각하는 단계는, 상기 표면 구조물을 희생층으로 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 네트워크 전극의 제작 방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 표면 구조물은 상기 복수 개의 입자 각각에 대응되는 복수 개의 함몰 영역을 포함하며, 상기 전극층을 차등적으로 식각하는 단계는, 상기 복수 개의 함몰 영역에서 상기 전극층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 네트워크 전극의 제작 방법
4 4
제 2항에 있어서,상기 표면 구조물은 상기 입자의 표면 형상에 대응되는 경사면을 가지며, 상기 전극층을 차등적으로 식각하는 단계는, 상기 표면 구조물의 경사면을 이용하여 상기 전극층이 경사면을 갖도록 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 네트워크 전극의 제작 방법
5 5
제 2항에 있어서,상기 전극층을 차등적으로 식각하는 단계는, 식각 시간을 조절함으로써 상기 전극층의 식각된 영역의 크기를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 네트워크 전극의 제작 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 기능성 유체를 도포하는 단계는, 모세관 현상에 의해 상기 복수 개의 입자 사이의 공간으로 상기 기능성 유체가 스며들게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 네트워크 전극의 제작 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 전극층을 차등적으로 식각하는 단계 후, 상기 표면 구조물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 네트워크 전극의 제작 방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 기능성 유체는 열, 빛 또는 전자기파에 의하여 경화될 수 있는 물질인 것을 특징으로 하는 네트워크 전극의 제작 방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 기능성 유체는, 불소계 물질, 포토레지스트, 폴리아크릴산, 폴리디메틸실록세인, 또는 나노입자가 분산된 용매로 이루어지는 것을 특징으로 하는 네트워크 전극의 제작 방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 전극층은 금속, 금속산화물, 전도성 나노입자, 또는 전도성 고분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 네트워크 전극의 제작 방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 입자는 금속, 합성수지, 플라스틱 또는 무기 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 네트워크 전극의 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 중견연구자지원사업ㆍ도약연구지원사업 나노네트워크전극 기반의 고 발광 수직 유기발광 전계효과 트랜지스터 개발